StrongIRFET™ — замена недорогим MOSFET, выполненным по планарной технологии. Новые транзисторы характеризуются высоким уровнем допустимой токовой нагрузки, низкими значениями RDS(on), высокой стойкостью к перенапряжениям сток-исток и предназначены для работы на частотах до 100 кГц.
Подробнее