Случайно заметил, что на HMPS-2822 появляется хорошо заметная постоянная составляющая при мощности уже в единицы дБм.
Причём отрицательная. (Смотрел правда на одной плате пока, допускаю что полярность случайная).
Как будто детектируют они сигнал. Но они же у меня встречно-параллельно на землю.. Что, из-за неодинаковости диодов?
При скажем 10 дБм DC уже очень-очень заметно. Впрочем, при таком уровне он уже давно должен клампить.
Другими словами, DC появляется неожиданно рано, когда ещё клампить не очень-то пора. Да и почему оно вообще появляется?
В целом всё хорошо, влияния на сигнал не заметно.

В даташите имеются spice-параметры диодов. Можете в микрокап промоделировать схему на зависимость от входной мощности.

Это легко объяснимо. Даже если два диода идеально одинаковы, ток через них проходит разный, т.к. расстояние до источника сигнала у них разное, один диод ближе, другой дальше. А точнее, земля находится на разном расстоянии от источника, нет симметрии.
lubomir Моделировать в Microcap этот случай бесполезно. Нужны HFSS, CST, и т.д.

А чем вам так Microcap насолил, и с каких пор программы для обсчета ЭМ-полей стали использовать для моделирования полупроводниковых структур?

Microcap я очень люблю. А как вы в нем собираетесь моделировать разную длину точек подключения диодов? Корпус диода имеет размеры, не равные нулю. Где в Microcap можно нарисовать этот корпус? Может проект нарисуете и выложите здесь? И что он покажет? Что никакого детектирования нет, если диоды одинаковы? А по факту - есть.
Могу предположить, что добиться симметрии можно повернув корпус (в котором 2 диода, соединеные с друг с другом анодом и катодом) на 90 градусов, таким образом, что точка соединения анода и катода будет подключена к середине микрополосковой линии, а анод одного диода окажется сверху линии и будет подключен к земле, а катод другого диода окажется снизу и тоже будет подключен к земле. Другими словами, надо пропустить линию под корпусом диодов, между двумя ножками из трех. Диоды выполнены на одном кристалле и наверняка полностью идентичны друг другу.

По поводу спайсов, серьезные производители в модели нитрид-галлиевых транзисторов и даже в доступные модели вентилей (напрмер бикмосы от филпса) включают все экивалентные цепи внутрипакетной проводки. В спайсах можно с грехом пополам просимулировать подводящую линию. Но вот работу полупроводника на СВЧ симулируют только специализированные солверы. Как я понял, лидирует HSpice, который платный. Про микрокап ничего не слышал. Вот в соседней ветке мне Qucs советовали...ноя еще не приступил.

Откуда взялся "корпус диода" и где вы нашли "разную длину точек подключения диодов"? Это же интегральная микросхема! Кристаллы расположены на одной подложке и их выводы развариваются перемычками к выводам микросхемы. Перемычки одинаковой длины и нарезаются с точностью до долей микрона, откуда там "разная длина"???
DC берется от различий в ВАХ переходов!
Не знаете как в Микрокапе смоделировать вывод? Откройте Справочник Радиолюбителя, найдите таблицу с зависимостью индуктивности от длины провода. Можете ещё найти соответствующую формулу для расчета индуктивности провода в зависимости от его длины и диаметра. Добавьте сопротивление потерь по постоянному току. Что вам мешает в Микрокапе смоделировать вышесказанное?



Да там никаких особых различий. Все эти Spice-симуляторы используют один алгоритм полувековой давности. Программы различаются интерфейсом, кругом пользователей, удобством, опциями, ОС и т.д., и т.п.. Spice-симуляторы встраиваются в различный софт, тот же P-CAD, или классика для ИМС - Virtuoso Cadence IC. Микрокап просто весьма доступен и распространен в учебной среде, прост, много учебников, пособий, легок в изучении и универсален.

Это очевидно. Но диоды находятся в общем в корпусе. И если его расположить неправильно, то расстояние от источника сигнала до диодов будет разное. Поэтому ток через диоды будет течь разный. Вот и появляется смещение. Поэтому на 10МГц не будет постоянной составляющей, а на 10ГГц - будет обязательно.

Не собираюсь заниматься бесполезным делом. Он не для этой задачи, не для расчетов на СВЧ. А вы, судя по вашим советам, так и не поняли мою мысль. Уж вроде все разжевал.....

А с чего вы взяли, что корпус расположен "неправильно"? Неужели производитель микросхемы идиот и не знает, как правильно конструктивно запараллелить пару диодов на СВЧ?
Ток через диоды может также различаться из-за разницы проходных емкостей pn-переходов. Поэтому на 10ГГц разница будет куда более заметна, нежели чем на 100МГц.



Да всё понятно, но это же из области несбыточных желаний
Чтобы нарисовать точную 3D-модель некой ИМС для симуляции в HFSS, надо как минимум иметь доступ к конструкторской документации производителя ИМС.
Вы уверены, что производитель пойдет вам на встречу?

Вот так надо включать.

Детектирование на СВЧ будет всегда, т.к и внутри корпуса структура диода ассиметрична. Я с этим на смесителях на HSMS столкнулся. Там два раздельных диодных кристалла внутри SOT23 корпуса.
Можно частично достичь симметрии используя два корпуса диодов по обеим сторонам платы зеркально.

Всё именно так. При сборке балансных смесителей на дискретных элементах, либо в составе гибридных микросборок, диоды также отбираются по близости ВАХ.