Infineon расширила семейство 800 В MOSFET CoolMOS™ P7 транзисторами в корпусах TO-220 FP Narrow Lead и SOT-223.
Особенности 800 В MOSFET CoolMOS™ P7: лучшее соотношение RDS(ON)*EOSS среди конкурентов; значительное улучшение динамических параметров QG, CISS, COSS по сравнению с предыдущим поколением; пороговое напряжение затвора 3 В ±0,5 В; встроенная ESD защита цепи затвора; широкая номенклатура корпусов и типовых сопротивлений канала.
Целевые применения: LED драйверы; источники питания собственных нужд; зарядные устройства/адаптеры для портативной электроники; цепи высоковольтного запуска (High Voltage Start Up) источников питания.
Подробнее