Добрый день. Может есть специалисты по созданию spice-моделей элементной базы. Проблема такова: по отдельности снимаем характеристики основного npn транзистора и паразитного pnp на подложку. Экстрагируем с использованием IC-CAP параметры модели ( используется e Berkeley-Spice Gummel-Poon для симмулятора spectre) и создаем subckt, включающую в себя два транзистора - основной и паразитный. Но в таком варианте, при моделировании паразитного pnp транзистора, он не работает, т.к. переход база-эмиттер pnp зашунтирован переходом база-коллектор npn. Может кто подскажет, как описать интегральный npn транзистор с учетом паразитного pnp.

Задача какая? Научная/образовательная или коммерческая?
Если коммерческая могу подкинуть контакты людей не с Москвы, кто занимался на этим на трехмикронных нормах.

Задача коммерческая. Модели мы делаем давно, но уровень gmmel-poon. Думал, возможно ли качественно описать транзистор с паразитом используя данный уровень модели. Решение есть, использовать модель vbic. Но для этого необходимо время для обучения экстракции параметров в данную модель. Видимо, придется нашим специалистам, занимающимся экстракцией параметров модели изучать vbic модель.