Привет всем
не поможите разобраться с программой Ise Tcad 7
до этого работал в Pisces2b, но в нем слишко мало возможностей и Очень много ограничений.

помогите пожалуйста
обьясните по шагам как построить простейшую топологию (например транзистор) как получить его вольт-амперные характеристики, как подвергнуть различного рода влиянию (освещению магнитного поля и т.д.)
Tcad установил (эмуляция под windows)

Изучите пример $ISEROOT\tcad\7.0\Example_Library\Tools\GENESISe\nmos,process. Там показаны основные этапы проектирования.
В общих чертах основные шаги следующие:
1. создание топологии в Prolyt (или экспорт из gds и cif) и указание сечения топологии, в котором проводиться моделирование
2. описание техпроцесса в Ligament
3. создание командного файла - задания на моделирование для DIOS. Этот файл представляет собой описание техпроцесса с указанием координат областей закрываемых фотошаблоном. Возможны 2 пути: 1) автоматически сгенерировать этот файл - описание процесса берется из Ligament, координаты маскирования - из Prolyt. Это удобно при работе в оболочке GENESISe. 2) Написать командный файл ручками, тогда первые два этапа не нужны (я обычно так и делаю).
4. собственно моделирование в DIOS. На выходе получите 3 файла (не забудьте указать в командном файле команду save(File='имя файла', type=Mdraw) - с названиями типа имя_файла_dio.grd (сетка), .имя_файла_dio.dat (описание структуры), имя_файла_mdr.cmd (командный файл для Mdraw).
5. создание в Mdraw сетки для моделирования в DESSIS. Загружаете Mdraw c файлом имя_файла_mdr.cmd и создаете сетку и контакты (если не создали их в DIOS). Получаете два файла имя_файла_mdr.grd (сетка), .имя_файла_mdr.dat (описание структуры)
6. создание файла - задания на моделирования для DESSIS. Именно здесь задается воздействия напряжений для получения ВАХ, выбираются физические модели, задаются внешние воздействия. В качестве входных берете файлы, созданные в Mdraw.
7. моделирование в DESSIS. На выходе получаете ВАХи и всякие распределения по структуре (плотности тока, электрическое поле и т.д.).
Вот примерно так.
А вообще в дистрибутиве имеются подробные мануалы и куча примеров. Изучайте.

Возникла такая проблема, не запускается GENESISe , говорит illegal instruction. Что єто может быть?

А какая версия tcad, под Линукс или Винду, если Линукс - то какой. Может какая-то библиотека кривая или конфликт с версией Линукса. Официально tcad поддерживает только RedHat, проверено что работает на Fedora и ASPLinux.

Версия -10, Линукс Gentoo 2006, ядро 2.6.9. Такой прикол devise запускается нормально, но говорит что у него проблемы с mesh, а все остальное не запускается( illegal instruction).

Я бы попробовал другой дистрибутив. Также можно попробовать заменить библиотеки, используемые tcad. Мне, например, потребовалось установить библиотеку libstdc++ версии 3.2.2 взамен более новой (дистрибутив Fedora 5).

psygash спасибо за совет
сейчас сижу изучаю пример, но чувствую вопросов будет еще очень много

вот первый: чем отличаюся tcad 7 и 10? есть какие то принципиальные отличия? чем отличаются версии под linux и windows?

В версии 10 вели новый 2D/3D симулятор техпроцесса FLOOPS, при этом и DIOS остался. Переработан интерфейс GENESISe. В DESSIS добавлены некоторые модели и исправлены баги. Появился визуальный рисователь 3D структур DEVISE (рисует и в 2D). Убрали визуализатор PICASSO, а Tecplot поднялся до версии 10. ISEXtract стал поддерживать экстракцию для моделей МОП-транзисторов BSIM4 и BSIMSOI-PD. Вроде бы десятка полностью поддерживает проекты версии 7, по крайней мере я пока не встретил чтобы это было не так.
Кроме того десятка поддерживает платформу AMD64.
Насчет различий между TCAD под Линукс и Windows. Под Линукс вроде бы работает быстрее и поддерживает параллельные вычисления на многопроцессорных машинах, под Windows параллельные вычисления не поддерживаются. В остальном особых различий нет.

Мужики приведите пожалуйста лог нормально работающего GENESISe -@ldiag

А что у Вас?

Что-то в предыдущем посте исчез присоединенный файл GENESISe -@ldiag (последствия взлома?). Поэтому привожу еще раз.

У меня такой файл При запуске GENESISe выдает illegal instruction

У Вас в логе нет указаний на библиотеки, которые есть у меня:
libXau.so.6 => /usr/lib/libXau.so.6 (0x00bbb000)
libXdmcp.so.6 => /usr/lib/libXdmcp.so.6 (0x00bc0000)
Может в этом проблема.

прочитал документацию и после попытался сделать простенькую структуру транзистора, но что то не получилось...
начал с начала специально что бы не делать ошибок в будущем. надеюсь на вашу помощь

структура транзисторная такая (коллектоная , эмиттерная и базовые области, стрелочки это внешнее воздействие(освещение), зелененькие это контакты - металлические к которым прикладываются напряжения)

что сделал опишу пошагам:
----------------------------------------------------------
___ise project___
создал папку NEW_FOLDER_TR
в ней новый проект PROJECT_TR
активировал его
___ise status window____
нажал edit
___ise tool flow editor___
добавил между start и end - ligament
у ligament в свойствах edit - input - layout
появилось новое окошко
задаю размеры layout и сетку (xmin=0 xmax=100 ymin=0 ymax=100 grid=0.5)
в режиме layout рисую области (вид сверху)
рисую подложку- INIT - красная - это будет подложка n типа
рисую базовую область - BAZA - синяя - это будет область базы p типа
рисую эмиттерную область - EMM - зеленая - это будет область эмиттера n+ типа
save layout - создался файл prl.par
у ligament в свойствах edit - input - command
появилось process flow editor
но тут нет ни макросов ни библиотек
------------------------------------------------------------

какой мне шаг дальще сделать если можно то поподробнее. пока только один шаг тоесть следующий.
как я понимаю надо создать технологический процесс: какие именно процессы нужно вставлять

файлы проекта приложил

В лигаменте в меню input-commands с правой стороны иконки основных команд-этапов техпроцесса, их надо мышкой переносить в process flow editor и там указывать параметры команд. В редакторе топологии (prolyt) желательно добавить слой металлизации. Потом переключиться из режима топологии в режим tcad и обозначить сечение, в котором будет проводиться моделирование. В process flow editor в environment указать на это сечение (string region), а также указать симулятор техпроцесса (dios). Для связи топологии с техпроцессом в process flow editor команда mask, где указываются названия топологических слоев. В приложеном архиве содержится Ваш проект с набросанным техпроцессом. Параметры процессов имплантации и диффузии подберите сами (я их взял от балды).
После работы diosа получится файл геометрии .bnd, командный файл для mdraw и файлы с сеткой .grd и значениями концентрации примеси в узлах сетки .dat.
После лигамента должен запускаться mdraw (перетащите его в проект и создать командный файл) в котором обозначаются контакты и формируется сетка. На выходе получаете 2 файла .grd и .dat, которые являются входными для программы приборного моделирования dessis.
Затем запускается dessis (также надо добавить в проект и создать командный файл), где указываются внешние воздействия и используемые физические модели. Названия контактов такие же как в mdraw (вплоть до регистра).
Результаты можно смотреть в inspect, tecplot, picasso.

p.s. для того, чтобы лучше во всем этом разобраться по началу лучше не пользоваться genesise, а использовать отдельные модули, запускаемые из командной строки (личное мнение).

psygash огромное вам спасибо за помощь

такой вопрос: в лигаменте можно задать сечение моделирования
2D понятно плоскость
а что означает 1D и 3D? 3D - это область так?
можно ли ее использовать и какие она дает преимущества?

вот например для сечения 2D какой длины его нарисуешь так оно и будет?
а если сложная какаянибудь структура (микросхема) то тут надо применять уже 3D так?

еще в лигаменте есть контакты что это? ведь мы задали уже области металлизации или это что то другое?

еще там можно сохранить топологию в cif надо ли это делать?
что такое DIP и зачем ее сохранять?

Вопрос, не могут ли проблеммы с ilegall instruction быть вызваны тем, что у меня процессор AMD Duron 750? Кто нибудь запускал программу не на Intel Pentium III или AMD 64 бит?

AMD 64
Installation Instructions:


2) Install Cygwin for WinNT (in cygwin folder, run setup.exe)
3) Install ISE TCAD 10.0 (setup.exe in root folder)
4) Copy license.dat file to C:\ISE\licenses directory
5) Edit license.dat to your hostname
6) Check / Create Environment Variables
a. ISEROOT (ex. ISEROOT=C:\ISE)
b. ISERELEASE (ex. ISERELEASE=10.0)
c. TMP (ex. TMP=C:\TMP)
d. TEMP (ex. TEMP=C:\TEMP)
e. ISEDB (ex. ISEDB=C:\DATAFILES\MYISEDATA)
f. DISPLAY (ex DISPLAY=HOSTNAME:0.0)
7) WinNT License Daemon
a. Open lmtools.exe from the \ISE\bin directory
b. Click “Configuration using Services” box
c. Choose “Configure Services” tab
d. Type a name for the “Service Name” (ex. ISETCAD)
e. Fill in the “Path to the lmgrd.exe file” with C:\ISE\tcad\10.0\ix86\WinNT\etc\lmgrd.exe or the path you installed the software.
f. Fill in the “Path to the license file” with C:\ISE\licenses\license.dat or the path you installed the software
g. Fill in the “Path to the debug log file” with C:\ISE\licenses\license.log or the path you installed the software
h. Click on the “Start Server at Power Up” and “Use Services” box
i. Click “Save Service” button
j. Choose “Start/Stop/Reread” tab
k. Click “Start Server” button
l. Close lmtools.exe


MDRAW -проблемы на http://www.synopsys.com/products/tcad/tcad.html


Install TCAD Software:

1. Create a directory for TCAD software.
%mkdir <install_dir>

2. Change to the installation directory.
%cd <install_dir>

3. Decompress and extract the TCAD software.
%tar -zxvf tcad_2005.10_linux.tar.gz

4. Create links for TCAD.
%make /usr/cad
%ln -s <install_dir>/2005.10 /usr/cad/tcad

помогите у меня mdraw (а может еще что то) не запускается
выдает вот ето
_______________________________________________
starting mdraw ...Warning : The current transport does not permit the attempted TCPIP connection.
TRANS(SocketINETGetAddr): tnamebysocket() failed
TRANS(SocketINETConnect): TRANS(SocketINETGetAddr) () failed
TRANS(Open): transport open failed for tcp/HOSTNAME:0
C:\ISE\tcad\7.0\ix86\WinNT\bin\mdraw.exe: Cannot open display; check DISPLAY env variable...exiting...
_______________________________________________

что делать может дистрибутив левый какой то?
может это изиза эмуляции? есть у кого другой дистрибутив?
или подскажите где скачать можно

пожалуйста

Что можно сделать
, если есть проблемы
Xmanager
- Install Xmanager 1.3 (included on CD:\x_manger) with sn# is 010603-110001-001104
- Set the below info for ENVIRONMENT VARIABLES In User Variables

- Reboot PC.
- Start Xconfig from Xmanager 1.3.9, select "Do not Use XDM(Passive)" in XDM tab, apply and exit.
- Start Xmanager.

Перенести mdraw в библиотеки и запустить из корневого каталога

на диске Xmanager 1.3 нет
в яндексе нашел только Xmanager 2.0
что делать?

Куда перенести ?

http://www.downloadtower.com/Downloads/Net...nager.1-3-9.exe

Подойдет?

спасибо за ссылку
качаю уже ...

вы сказали
"Перенести mdraw в библиотеки и запустить из корневого каталога"

у меня проект в genesise он запускается из него (я его сам не запускаю).
или я неправильно вас понял?

Все правильно
Надо указать путь к библиотекам mdraw
Используйте Xmanager

действительно помогло
огромное спасибо

все еще создаю структуру транзистора в tсad
разобрался как рисовать в layout и создавать тех процесс в ligament
он запускает и считает его в dios
рисует красивые картинки топологии
как я понял он создает выходнцые файлы и пишет их на диск
после запускается mdraw

что дальше делать? как я понял там командный файл вручную создавать надо?

еще есть вопрос:
в техпроцессе есть команда insert у нее заданы параметры dios-а : repl(cont(ngra=1000, maxtrl=3))
вопрос откуда эти параметры взялись?

проект вложил (убрал файлы больше 50 килобайт надеюсь работать будет)

В mdraw надо по нормальному обозвать контакты (т.к. после dios они имеют имена типа 28.area) для того, чтобы потом на них ссылаться в dessis при подаче воздействий. Это делается в boundary editor. Кроме этого в mdraw надо сформировать сетку для приборного моделирования (та, что получилась после технологического моделирования не подходит, т.к. имеет большую избыточность). Это делается в doping editor, кнопочка build mesh. Если сгенерированная сетка получилась слишком грубая, то можно создать области (их может быть много) - refinement, в которых указать минимальное и максимальное значение для размера сетки. Mdraw можно запускать либо в командном режиме (нужен командный файл), либо в интерактивном режиме (командный файл не нужен). Второе более удобно, т.к. все манипуляции с контактами и сеткой производятся в графическом режиме. После создания сетки получатся 2 файла с расширениями .grd и .dat, которые будут использоваться для приборного моделирования.
Команда repl(cont()) или replace(control()) используется для установки различных параметров моделирования для dios. В частности ngra=1000 означает, что данные будут отображаться каждые 1000 шагов программы, а maxtrl=3 ограничивает увеличение количества треугольников в сетке на определенном уровне (чем больше значение - тем лучше точность сетки), по умолчанию maxtrl=5. Я поставил этот параметр, чтобы увеличить скорость расчета. Если машина мощная, можете смело увеличивать значение maxtrl. Вообще у команды replace(control()) может быть много параметров, все они описаны в мануале dios. Из полезных параметров MAXV=число - максимальное количество узлов сетки, NewDiff=1 или 0 - если 1 - сетка строится и концентрация примесей вычисляется во всех слоях, если 0 - только в подложке, SiDiff=on или off, если off - диффузия вычисляется для всех слоев (включая окисел и поликремний), если on - только в кремнии.

такой вопрос: в лигаменте можно задать сечение моделирования
2D понятно плоскость
а что означает 1D и 3D? 3D - это область так?
можно ли ее использовать и какие она дает преимущества?

сделал контакты в Mdraw и сохранил проект
проект приложил

1D - одномерное моделирование, только по глубине. Полезно когда требуется подогнать режимы диффузии и имплантации для получения требуемого профиля распределения примесей.
3D - соответственно трехмерное моделирование. Из лигамента эту возможность я никогда не использовал. В большинстве случаев, если Вы не работаете с субмикронными процессами или не моделируете датчики, достаточно двухмерного моделирования. 3D не даст существенного выиграша по точности, зато значительно увеличит время расчета.
Что-то я файлов проекта не вижу.

Маловероятно. По крайней мере на Athlon XP 1500 все работает.

прошу прощения файл не прикрепился размер большой получился у него
в mdraw сохранил контакты под осмысленным именем E1,B1,K1
вид на рисунке1
сохранил коммандный файл
сохранил mesh (он не закрыл окошко сохранения пришлось нажать кнопку dismiss)
после этого закрыл mdraw (запросил сохранить boundary - сохранил)

посмотрел лог, dessise запускается перед mdraw хотя он стоит после

как мне сформировать командный файл для dessise?
почему dessise запускается перед mdraw?

Командный файл для dessis должен быть примерно такой:

File {
*input files:
Grid="ваш_файл_mdr.grd"
Doping="ваш_файл_mdr.dat"
*output files:
Plot="ваш_файл_des.dat"
Current="ваш_файл_des.plt"
Output="ваш_файл_des.log"
}
Electrode {
{ Name="E1" Voltage=0.0 }
{ Name="B1" Voltage=0.0 Current=0.0}
{ Name="K1" Voltage=2.0 }
}
Physics {AreaFactor=10
Temperature=300
Mobility( DopingDep HighFieldSat Enormal )
EffectiveIntrinsicDensity( BandGapNarrowing(OldSlotboom ))
Recombination( SRH(DopingDep) Auger Avalanche(Eparallel))
}
Plot {
eDensity hDensity eCurrent hCurrent
eQuasiFermi hQuasiFermi
Potential SpaceCharge ElectricField
Doping DonorConcentration AcceptorConcentration
SRHRecombination AvalancheGeneration Auger
eMobility hMobility eVelocity hVelocity
}
Math { Extrapolate
Derivatives
Avalderivatives
Notdamped=50
RelErrControl
NewDiscretization
Iterations=20
Digits=5
}
Solve {
Poisson
Coupled (Digits=5, Iterations=100, Notdamped=100) {Poisson Electron Hole }
Quasistationary
(InitialStep=1.0e-5 MaxStep=0.01 Minstep=1.0e-6
Goal {name="B1" Current=0.01})
{Coupled{Poisson Electron Hole}}
}
Электрические воздействия на электроды для получения ВАХ задаются командой goal, поставите, что Вам нужно.
Физические воздействия (магнитное поле, механические напряжения, свет, температура) задаются в секции Physics.
Насчет порядка запуска - создайте файл для dessis и наверное все станет нормально.

создал des.cmd
при расчете выдает следующюю ошибку что мол не может выделить место для массива (приложил файлы проекта там все есть, убрал из проекта файлы больше 150 кб)
в mdraw контакты (слева на право : первые два не использовать, потом по порядку K1 B1 E1)

ещевопрос после того как отработает dessise что надо для вывода графиков? и как сформировать коммандный файл для него? (если можно пример)

заранее огромное спасибо за помощь

А какой у Вас объем оперативки? 7-й tcad для винды имеет такой баг, что прибольших количествах узлов в сетке dessis вылетает с ошибкой "can not reallocate enough space for array wrk", при этом по мониторингу свободной оперативки еще достаточно. Единственное решение проблемы - уменьшать количество узлов, либо упрощать физические модели. В Вашем проекте упрощать дальше нельзя, т.к. и так используется обычная дрейфо-диффузионная модель, разве что убрать Avalanche и Enormal (Enormal лучше убрать в любом случае, т.к. влияние вертикального поля актуально для МОП-структур, а не для биполярных, я добавил его по привычке т.к. работаю с МОПами). Поэтому для начала уменьшите размер структуры, у Вас ее можно разрезать наполовину (сечением в prolyt) по коллектору без потери точности, тем более 2 из 5-ти контактов все равно не используются. Другой путь - создать в MDRAW области Refiniments и в них указать минимальный и максимальный размер ячеек сетки.
Кстати, в Linux такой проблемы с памятью нет, а если оперативка забита - начинает свапить. Так что этот баг скорее связан с особенностями менеджера памяти винды.
Для вывода вольт-амперных характеристик используеися Inspect. Просто добавте его в проект после dessis и в параметрах укажите запуск в интерактивном режиме. Можно запускать инспект отдельно и открывать файл с расширением .plt (Inspect не требует запуска иксов).
Для вывода пространственных распределлений параметров (тех, что указаны в секции plot {}) можно использовать либо picasso, либо tecplot_ise. В них надо загрузить 2 файла - файл сетки .grd, полученный после MDRAW и файл данных .dat, полученных после DESSIS. В tecplot это делается так: в меню Tools, пункт ISE TCAD Tools. Откроется окно, в нем в меню File, Load DF-ISE, выбрать сначала .grd файл и Add to list, затем выбрать .dat файл и Add to list, после Open files.

запускал проект дома у себя : конфигурация дюрон 700, 384 Мб оперативы, свободной оперативы было около 150 мб , а ошибка выдавалась что нужно 53 мб
также запускал на рабочем компе: P4 3000, 1024 Мб оперативы, свободно было около 700 Мб

последовал вашему совету, уменьшил область в prolyt и убрал Enormal

dessise перестал выдавать ощибку
но теперь ____________________________________________________________
local% exec "genjob -nice 19 -job 3 @ISEDB@/COPIED_OBJECT_ivan/PROJECT_TR"
Oct 07 11:50:21 job 3 <dessis> started on host '211-4': "dessis pp3_des.cmd"
Oct 07 11:50:43 --- job 3 <dessis> exited abnormally: exit(2)
_____________________________________________________________________

как я понял в des.cmd воздействие на электрод K1 от 0 до 3 вольт будет описывать следующей строчкой (причем здесь же задаются минимальный и максимальный шаги)
_____________
(InitialStep=1.0e-3 MaxStep=1 Minstep=1.0e-4
Goal {name="K1" Voltage=3.0})
_____________

а начальные условия _______________________
Electrode {
{ Name="E1" Voltage=0.0 }
{ Name="B1" Voltage=0.0 Current=-0.001}
{ Name="K1" Voltage=0.0 }
}
__________________________________________

добавил inspect
и на графике увидел что dessise просчитал от -0,1 до 0,1 вольта причем ток был 10000

у меня ошибка в структуре или в командном файле? (я так думаю в структуре потомучто ток не может быть так велик)

А в выходном файле что dessis пишет?

попоробовал сделать резистор и диод все нормально считает
и строит нормальные Вахи
буду теперь белать биполярный транзистор и моп-структуру
дня через 2 напишу что получилось/неполучилось

такой вопрос
можно ли Tcad заставить строить не только вольт-амперные, но и вольт-фарадные и другие типы характеристик.
если можно то как это сделать?

DESSIS позволяет проводить малосигнальный AC анализ (в mixed-mode) и анализ переходных процессов. В режиме АС можно получить CV характеристики (пример находиться в Example_Library/GettingStarted/Dessis/advanced_AC).

чем больше начинаю понимать, тем все больше мне начинает нравится эта программа

уважаемые форумчане
в Tcad уже изначально описаны полупроводниковые свойства различных материалов
но например нет такого полупроводника как ZnS или ZnO
можно ли каким то образом их ввести для создания полупроводниковых приборов на их основе
или эта среда позволяет только создавать п/п приборы на кремнии?

В DESSIS можно вносить новые материалы. Библиотека материалов содержиться здесь: $ISEROOT/tcad/$ISERELEASE/lib/dessis/MaterialDB. Там много файлов с названиями типа материал.par: silicon.par, oxide.par и тд. В каждом файле описаны параметры материала. Можно создать свой файл параметров нужного материала и поместить в эту библиотеку. В командном файле использовать секцию физика типа Physics (material="material") {<physics-body>}. Также можно создать файл типа dessis.par в текущей директории и в нем указать ссылки на файлы параметров:
Region = "Region0" { Insert = "Silicon.par" }
Region = "Region1" { Insert = "Oxide.par" }
Region = "Region3" { Insert = "Oxide.par" }
Region = "Region4" { Insert = "Oxide.par" }
Region = "Region5" { Insert = "Oxide.par" }
RegionInterface = "Region1/Region0" { Insert = "Oxide%Silicon.par" }
RegionInterface = "Region4/Region1" { Insert = "Oxide%Oxide.par" }
RegionInterface = "Region3/Region4" { Insert = "Oxide%Oxide.par" }
RegionInterface = "Region5/Region3" { Insert = "Oxide%Oxide.par" }
RegionInterface = "Region5/Region1" { Insert = "Oxide%Oxide.par" }
Electrode = "gate" { Insert = "Electrode.par" }
Electrode = "source" { Insert = "Electrode.par" }
Electrode = "drain" { Insert = "Electrode.par" }
Electrode = "substrate" { Insert = "Electrode.par" }

В dios помоему добавлять новые материалы нельзя.

скачал tcad10 под линукс
у меня стоит fedore core 5
распаковал оба архива
и установочным скриптом установил его
а вот что делать дальше не знаю
пробовал запустить generic не получается

А что пишет то?
Лицензию правильно установили? Или переменные ISEROOT, PATH, ISEDB может быть неправильно установлены (автоматом не устанавливаются)?

с помощью команд данных в логах установки установил себе переменные среды
ISEROOT и PATH
потом
iselm install
в логах lic.log пишет что вроде все хорошо
проходит по всем пунктам лицензии
запускаю generic
и тут он заявляет что ошибка в синтаксисе на 304 строке
что то типа не найден аргумент .....base....
не найдена команда cyg.....
смотрите хелп
пытался разобраться в скрипте
он в принцыпе не должен на 304 строку переходить, так как она должна выполняться только в среде windows, а у меня вроде как линукс установлен

после этого он завершается

что делать не знаю
помогите я 2 недели качал дистрибутив и вот он не работает

А зачем Вы скрипт generic запускаете?
Попробуйте команды:
$ GENESISe -@diag
$ GENESISe -@ldiag
Что они покажут.

запустил
$ GENESISe -@diag
$ GENESISe -@ldiag
файлы отчета приложил

что необходимо сделать для того чтобы запустить tcad?

А просто GENESISe (а также mdraw, dessis, dios, inspect и др. по отдельности) не работает?
У Вас не установлена переменная ISEDB и остальные пути странные.
Я приложил свой файл отчета с работающей системы, сравнивайте. Оси у нас одинаковые.

прописал пути все так как у вас в отчете
единственное что у меня побольше путей чем у вас
пути которые у вас имеются и уменя плюс еще какието
вообщем разница небольшая

использовал ваш файл лицензии

пробовал запустить GENERIC из /usr/local/tcad/bin
выдает вот это:
[root@localhost bin]# GENERIC
basename: пропущен операнд
Попробуйте `basename --help' для получения более подробного описания.
/usr/local/tcad/bin/GENERIC: line 304: cygpath: command not found
basename: пропущен операнд
Попробуйте `basename --help' для получения более подробного описания.

is not installed for ISE TCAD release "10.0" for ix86/2.2 under ISEROOT=/usr/local/tcad

------------------------------------------------------------
Installed versions of ix86 in release :
(in directory /usr/local/tcad/tcad/)
------------------------------------------------------------
[root@localhost bin]#

пробовал запустить GENESISe из /usr/local/tcad/bin
выдает:
[root@localhost bin]# GENESISe
Недопустимая инструкция
[root@localhost bin]#

пробовал запустить GENESISe & из /usr/local/tcad/bin
выдает:
[root@localhost bin]# GENESISe &
[1] 4729
[root@localhost bin]#


потом обнаружил что такие файлы есть и в другом месте
перешел туда [root@localhost tcad]# cd /usr/local/tcad/tcad/10.0/ix86/2.2/bin/

пробовал запустить GENESISe из /usr/local/tcad/tcad/10.0/ix86/2.2/bin
выдает:
[root@localhost bin]# GENESISe
Недопустимая инструкция
[root@localhost bin]#

пробовал запустить ./GENESISe из /usr/local/tcad/tcad/10.0/ix86/2.2/bin
выдает:
[root@localhost bin]# ./GENESISe
./GENESISe: error while loading shared libraries: libcprts.so.5: cannot open shared object file: No such file or directory
[root@localhost bin]#

пробовал запустить ./GENESISe & из /usr/local/tcad/tcad/10.0/ix86/2.2/bin
выдает:
[root@localhost bin]# ./GENESISe &
[1] 4788
./GENESISe: error while loading shared libraries: libcprts.so.5: cannot open shared object file: No such file or directory
[root@localhost bin]#

пробовал запустить mdraw из /usr/local/tcad/tcad/10.0/ix86/2.2/bin
выдает:
[root@localhost bin]# mdraw
mdraw: error while loading shared libraries: libMrm.so.3: cannot open shared object file: No such file or directory
[1]+ Exit 127 ./GENESISe
[root@localhost bin]#

пробовал запустить ./mdraw из /usr/local/tcad/tcad/10.0/ix86/2.2/bin
выдает:
[root@localhost bin]# ./mdraw
./mdraw: error while loading shared libraries: libMrm.so.3: cannot open shared object file: No such file or directory
[root@localhost bin]#

как видно результатов НОЛЬ....


что делать? подскажите.............

Попробуйте скопировать файлы из директории /usr/local/tcad/bin/runtime/GLIBC_2.3/lib в директорию /usr/lib.

скопировал как вы сказали
но ничего не заработало

снес нафиг все систему
поставил заново с дефолтными минимальными пакетами

как вы устанавливали и запускали можно попросить вас написать по шагам?

С уважением Sivent