Добрый день всем

Ищу программу которая может посчитать (или хотябы оценить) потери на переключение транзисторов
и диодов например в мостовом ДС.ДС преобразователе.

De}{teR

Да вроде как любая более-менее серьезная программа схемотехнического анализа это может.

Потери - интеграл от произведения тока на напряжения за период, умноженный на частоту.

любая более-менее серьезная программа схемотехнического анализа это какая ????

Моделировал в Orcad свой ДС.ДС на 2 кВт
Пробывал в ПРОТЕУСЕ - результаты похожи

По модели выходит что на Мосфете потери меньше
А по жизни (макет) - на ИЖБТ

Может чтото есть ещо ?

Думаю, что дело здесь не в программах анализа, а в используемых моделях. Поскольку большинство программ используют SPICE-модели, то результаты расчетов будут весьма близки. Если они не точны - проблема в модели. А вот где взять точную и адекватную модель - не подскажу.

Кстати, а на сколько отличаются результаты расчета от эксперимента?

Гдето листал статейку ,науду выложу в этом топике, в ней приводились зависимости для МОСФЕТ и ИЖБТ. Приблизительно до 500Вт эффективны МОСФЕТы, а далее верх берут ИЖБТ.

В статье описан выбор транзюков для резонансных преобразователей и оценка потерь.
С другой стороны зачем Вам САПР, все сведется к 2 формулам...Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Отличаются так

В реале на ИЖБТ потери на 2 кВт при полной скважности на всем преобразователе
составили около 180 - 200 Вт (200 вольт выход)

В реале на мосфетах - около 500 вт потерялось

В можеле на ИЖБТ терял около 100 Вт
А на мосфетах около 80

Модели взял из протеуса
В оркаде разбиратся лень стало
Постарался поближе к реальным задать все параметры




Сапр - для того чтоб моделировать схемы управления и смотреть
как от этого зависить потери будут

В статьях рассматриваеться резонансный преобразователь
У него теоретически нет потерь переключения =)
Но есть другие потери =) Они тоже немаленькие

Статья из журнала "Источники питания" - вообще чистая реклама фирмы Элкон
Ни схемы ни алгоритма толком нету

Ну и ладно

Спасибо всем за внимание и ответы

DeXteR, кинь схемку в почту. Скорее всего, с моделями что-то не так. Ошибка в несколько раз - явный перебор. Обычно процентов 30-40.

Я извеняюсь
Коллега придумавший мою схему управления затвором
запретил мне ей кидатся

Говорит что хотит получить авторское свидиетельство сначала

Хорошее дело.
DeXteR, надеюсь в схеме для моделирования индуктивность рассеяния трансформатора имеет реальную величину? А то без этого потери в ключах будут получаться заметно меньше, чем в действительности.

15u - 15 Микрогенри

Это реальная величина?

Вроде, да. Хотя, для двухкиловатного преобразователя, может быть и маловата. А какова индуктивность намагничивания? Грубо индуктивность рассеяния можно считать в коэф. магнтной проницаемости раз меньше. Т.е. 0,03 - 0,1 % от индукции намагничивания.

Всем спасибо за внимание и общение

Умные люди
Постигшие ДАО переключения IGBT
говорят

Что управляя зарядом (напряжением) затвора
можно не вводить транзистор в глубокое насышение
(оставлять его чууууточку недооткрытым)

При етом возрастут потери проводимости НО
Закрыть его будет значительно легче
и значительно упадут потери переключения !!!

Насколька реально такое рассуждение

Если ктото чтото знает об этом
или встречал схемы и литературу по этому поводу
пожалуйса дайте ссылку

Ещо видел в литературе вот какую строку
Постараюсь достовно

"Явление токового хвоста связано с конечным временем рассасывания
неосновных носителей в базе ИЖБТ
Так как база недоступна схематехнически бороться с Хвостом нельзя"

Это нетак

Запирая затвор отрицательным напряжением
удаеться сократить "Хвост" раза в полтора
Это видно как на моделе так и на макете

Спасибо

De}{teR

По собственному опыту моделирования поведения IGBT симулятору верить нельзя!
Моделировал в Microcap 7. Модели для IGBT от IR.
Фронты и тока и напряжения в разы отличаются от наблюдаемых в реальности.
Соответственно динамические потери будут сильно занижены.

Насчет полевиков не скажу. Не занимался подобными исследованиями.

Я же вам давал методику расчета общих потерь в IGBT, или лень в рукопашную посчитать ?

SmartRed

Тут после атаки все перемешатось
Эта тема была содана задолго до того как я прочитал вашу методику
Счас она почемуто всплыла

За методику - большое спасибо

De}{teR

Господа, помогите разобраться.
Моделирую инвертирующий преобразователь, при использовании идеального ключа всё работает как надо, а при использовании IGBT получается ахинея какая то. Токи на транзисторе огромные. Смена модели транзюка результата не дала, третий день бьюсь аж злости не хватает.
Скрин схемы прилогается. Собственно задача аналогичная - анализ потерь мощности на ключе.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Предложение, возможно, не совсем релевантное,
но попробуйте добавить ESR в C1, L1 и в источник.

Управление затвором относительно чего идет?

Вы управляете затвором с фронтами в 1нс, при такой крутизне фронтов и 10 омном резисторе не удивительно что на реальной модели емкости IGBT создают неслабые потери. Это ж какой ток должен быть чтоб зарядить от 0 до 20 вольт за 1 нс. Дайте реальные фронты, при ширине импульса 570us фронты в реальном устройстве наверное 5..10us. Думаю токи резко снизятся.