Сейчас использую K6X8016C3B - 512Kx16 SRAM (8M, 55ns). (Принимаю 16-разрядный видео-поток, объемом 1,5Мегаслова-кадр. Соответственно, банка памяти = 3 штуки микрух.)
Нужна более быстродействующая, желательно 10 ns, с объемом не ниже 512Kx16 в одном ПЛАНАРНОМ корпусе, питание 3,3 или 5В. (Сопрягаю с Xilinx XC9500)
Посмотрел у Самсунга в разделе "Low Power SRAM", так там вся память 55 нан!
(В принципе, ограничений по потреблению нет.)

В разделе "High Speed SRAM", если правильно понял, макс. альтернатива той памяти, которую использую сейчас - это Async Fast SRAM 4M, но 256Kx16 - маловато будет. ))

Кто работал с "SB&SPB" - Synchronous Burst SRAM, чем отличается управление от асинхронной, какие особенности?

Синхронная - означает, что запись/считывание тактируются синхросигналом, а не фронатми CS/WE.
Burst - данные считываются пачками по 4 и больше слова. Иногда можно при этом (с потерей скорости) произвольно адресовать отдельное слово, иногда нельзя.

Вот здесь уже обсуждалось http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=19619

Посмотрите у Alliance (правда они продались кому-то, но по ссылкам найдете). Я применял 8x512k 10ns, но у них были и 16 битные.

Предлагаю обратить внимание на фирму Cypress (www.cypress.com).
Она всегда была одним из лидеров по производству скоростной памяти.
Вашим требованиям удовлетворяет, например, микросхема CY7C1051DV33:
- объем 8 Мбит (512К х 16)
- время доступа 10 нс;
- корпус FBGA-48 или TSOP-44

Обратите внимание, что имеются микросхемы и с большим объемом
(CY7C1061BV33 - 1Мх16, CY7C1071AV33 - 2Mх16).

Желаю удачи.

Спасибо ))