Цитата(RFMAN @ Jan 17 2008, 11:27)
А какие приборы использовались при полном измерении транзистора. Возможно ли создать достаточно точную модель MOSFET, имея в обычной лаборатории - анализатор цепей, анализатор спектра, генератор, fixturе, ваттметр, ну и сам транзистор?
Конечно, в нормальных фирмах это уже все стандартизировано, когда вольт-амперные и малосигнальные S-параметры замеряются на пластине (wafer) для базовой структуры, а затем с помощью программы ICCAP, куда вшивается предполагаемая эквивалентная схема в матричном виде, происходит их трансформация в Z- и Y-параметры для различных смещений и температур и оптимизация по минимуму отклонений от теоретической модели. Если отклонение большое, то модель усложняется. В ваших условиях, а именно в таких условиях и мы когда-то моделировали ВЧ и СВЧ МДП-транзисторы, это тоже можно сделать, измеряя те же вольт-амперные характеристики, а также измеряя импедансы/адмиттансы Z11-Z22 или Y11-Y22 при соответствующих условиях на входах и выходах на различных частотах и смещениях. Мы обычно замеряли Y-параметры с КЗ по входу или выходу. Но здесь надо быть очень аккуратным и частоты должны быть не очень высокими. В общем случае это довольно сложная процедура. У меня по этому поводу есть материал в 3-ей главе. С другой стороны, когда у меня не было модели LDMOS транзистора, то я брал емкости постоянными, что вполне соответствует Cзи ( Cзс довольно мала, Cси можно моделировать обычным резким переходом варактора, но изменения ее не столь велики), и подбирал коэффициенты для выбранной теоретической модели источника тока (у меня была модель Ангелова) на соответствие имеющимся измеренным вольт-амперным характеристикам (выходным и проходным). На 500 МГц (у 20-ваттного транзистора fТ было 4.5 ГГц) результаты были по мощности и КПД очень похожими, разве что коэффициент усиления в симуляциях был на 3 дБ выше, но это в общем обычное дело. Он и так был высок при измерениях. Конечно, в этом случае трудно предсказать тонкие вещи, как нелинейность или параметрическиe возбуждения.