Эквивалентны ли для операций записи в памяти NAND те единички, которые остались после программирования страниц данными, и единички, которые появляются после стирания блоков?

Если конкретнее, то есть задача.
Микросхема Samsung K9K2G08U0M. Объём памяти - 256 Мбайт, размер блока - 128 кбайт, размер страницы - 2 кб.
Во всём блоке записаны какие-то данные. Необходимо удалить данные, например, из 10 страницы данного блока. По привычной схеме нужно было бы найти свободный блок и переписать туда из заданного блока всю информацию кроме той, которая подлежит удалению. А затем вернуть информацию на место.
Вместо этого можно было бы просто записать нули в стираемую страницу. Вопрос в том, гарантируется ли корректное уничтожение данных в этом случае.

Там есть такой параметр для Samsung NAND - "Number of Partial Program Cycles - 4 cycles"
(макс. колличество частичных записей на страницу), если не больше то гарантирутся.

Это другое. Этот параметр относится к тому случаю, когда я пишу в одну страницу, но в разные адреса: например, порциями по 512 байт, когда длина страницы 2 кб. Там даже явно указано, что адреса в этом случае должны задаваться последовательно с возрастанием.

IMHO тоже самое, ведь переписывается полностью все равно вся страница (даже при изменении одного бита), и уровень "накачки" лог.1 , где бы она не была, относительно уровня при стирании постепенно садится. И производитель гарантирует 4-е таких цикла.

Да, возможно...