Ну я так и сделал на Maple (таком же лицензионном). Просто у AWR оптимизация приятная. А в моем случае было 4-е степени свободы.

Всем привет
Ищу spice модель atf-34143 для Microwave Office,
На сайте avago есть только такая ATF-34143 FET chip Statz model parameters for small signal operation, к сожалению она не позволяет определять Р1дб, IM3, IP3 для МШУ на основе этого транзистора, может кто то подскажет где можно найти более точную модель чем есть ан сайте у аваго
С уважением

Так вроде в даташите у них на указанный транзистор есть парметры нелинейной statz модели. Берем их и забиваем в офис. Про small signal operation ничего в даташите не нашел.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

в шите действительно нет про small signal operation, это указано в отдельном файле spice модели взятой с сайта аваго.
Модель что в шите , что в отдельном файле - идентичная.

и еще вопрос - что бы учитывать корпус транзистора достаточно использовать только starz модель или необходимо начерить электрическую схему указаную в шите, выставить номиналы и уже в нее вставить starz модель?

С уважением

В моделях неоднородностей на копланарах подводный камень (дырка разработчиков MWO) - не учитывается земля!!! Этот вопрос я уже освещал на форуме.

Ну уж не обижайте бедных разработчиков Таких моделей просто не существует.

Существует ли в MWO способ измерить комплексное сопротивление, например, последовательной RC
цепи и увидеть это в комплексном виде. Если есть, то как?

Z-параметры устроят? Диаграмма полных сопротивленияй (Smith Chart) или график в полярных координатах (Polar).

Не получается. Не с Диаграммой Смитта, не с графиками Z в других координатах.
Для примера берем последов. RC, одна нога R на GND. Куда в этой «системе» подключить порты?
Оставить ли их 50 омными? И как потом увидеть результат?
С Черными ящиками и конкретными усилителями более или менее ясно.
Но с вышеописанным Manuals ответа не дали.
Есть там пример с куском линии передачи. У линии есть свое Zхар.
Имет смысл подключение 50-омных портов и наблюдение результатов изменения ее длинны на диаграммах.
В целях дальнейшего разбирательства с MWO хотелось бы понять как он работает с простой RC.
Что и как в этом случае поключать и как наблюдать результаты (комплексое сопротивление).

Параллельная RC:

To EUrry.
Весьма благдарен.
Не представляете сколько времени мне сохранили.

В MWO 7.52, build 3682 Rew 3(52748) обнаружил ошибку в базовом элементе MRRCOUP (кольцевой НО).
Очевидно, она есть и в других версиях.
Ошибка заключается в противофазности сигналов на симметричных (относительно входа) выходах.
Ошибка весьма коварна при использовании схем с несколькими такими элементами - при определённом их соединении она не видна.
В конечном итоге пришлось сделать свой подобный элемент, чего и всем рекомендую.

Привет всем!
Кто нибудь уже пробовал последнюю версию 2009? Какие впечатления? Нет ли явных глюков?
Как с поддержкой кириллицы?

Сырая
CST не считает
Есть новый Wizard : iFilter
Если стояла 8-ка, MWO-449 не установится, только ANO-229, в котором якобы нет AXIEM-а, хотя у меня всё нормально подгрузилось и посчиталось - связка iFilter-MWO-EM Axiem

Здравствуйте. Я использую MWO версия 7.05 build 3173 к сожалению скоро заканчивается лекарство
помогите плиз с кряком или лучше кейгеном Извините если не так оформил сообщение

Вообще подобные проблемы принято обсуждать здесь.
Скорее всего не найдете продления, т. к. уже несколько обновленных версий после этого вышло и вряд ли старыми кто-то занимается.

AWR Design Environment (9.00.4830) сырая версия, которая появилась в сети.
AWR Design Environment (9.00.4837) версия, которая представлена на сайте AWR.
В связи с отсутствием доступа к ftp-ресурсу electronix, хотелось бы узнать какая версия представлена на ftp и в чём разница между ...30-ой и 37-ой ?

Всем доброго времени суток,

Хотелось бы узнать у более опытных людей про возможность ЭМ моделирования в AWR. Например, возможно ли, имея схему и топологию усилителя, выполнить ЭМ анализ топологии усилка. То есть можно ли быстро перенести топологию усилителя из Layout в EMSight, причем так чтобы все слои сохранились и можно было бы сразу промоделировать усилитель, заменив транзистор файлом S-параметров?

Просто знаю что в ADS такая возможность есть и люди ей активно пользуются.

Заранее благодарен за помощь.

Добрый день господа!

Не подскажите где можно взять библиотеки активных и пассивных компонентов для версии 6.51 ? Вроде в закромах не нашел.

Спасибо.

Вы имеете в виду VENDOR_LOCAL? Так вроде у них нет привязки к версии MWO.

Сначало надо сформировать на топологии порты куда будешь подключать транзистор с его S параметрами , промоделировать её, а затем в схематике на вкладке елементы нужно выбрать свою топологию и подключить к транзюку и снова промоделировать всю схему. Удачи



Попробуйте разбить общую топологию на две части входную со всеми согласующими элементами , а также
такую же выходную и подключить между ними двухполюсник (файл S-параметров) и промоделировать
все вместе в схематике. При этом сначала будет моделироваться топология в EMsigt.

1 вариант: копируете кусок Layout в Emsight (CtrlC-CtrlV) и моделируете пассивную часть в ЭМ. Далее комбинируете активные эл-ты и пассив-ЭМ в Schematic
2 вариант: указываете группу эл-ов, которые будут моделироваться в ЭМ и добавляете на схему STACKUP

Спасибо всем кто ответил!
Первый вариант как я понял - это разделение усилителя на входную, выходную и межкаскадные цепи. При этом перевод из топологии в Emsight производится простым копированием (CtrlC-CtrlV). Далее ставим порты, между ними s-параметры транзисторов и моделируем. Но как быть, если есть, например, паралелльная обратная связь? Или те же самые цепи питания? Причем мне непонятна сама процедура копирования, что будет со слоями, как копировать копланарные линии? Если у меня будет планарный диэлектрический конденсатор, то будет ли считаться все это в EMSight, ведь это же не 3D ЭМ анализ, только 2.5D. С этим тоже не все ясно.
Второй вариант мне не совсем ясен. Можете пояснить для особо умных? Эта группа элементов моделируется вместе или по отдельности?

Вообще, я наверное неправильно сформулировал вопрос. Надо было так - есть ли в AWR возможность автоматического перевода топологии в программу ЭМ анализа, с последующим анализом (вся заморочка со слоями и возможностью моделирования 3D структур, например, конденсаторов)? Возможно у кого-нибудь есть опыт работы с новым планарным симулятором AWR AXIEM (точно не помню).

Заранее благодарен за любую помощь.

Неплохо бы Вам почитать мануалы, и тогда многое отпадет само собой.
Вы хотите что-то делать, не зная возможностей программы.
Посмотрите примеры, там этих усилков немеряно.

Если автоматически не получается нарисуйте в Емсайте ручками все свои конденсаторы (наверное их не так много !)
сделайте многослойную структуру и считайте 2,5D или 3D -можно выбрать любой симулятор.

Такой вопрос у меня почему то не активны кнопки "анимат плэй"
как это исправить подскажите

Усилитель давно посчитан, оптимизирован, нарисован, проверен и отправлен в разработку. Пока что хотелось просто удостовериться, что все верно обсчитано, потому что некоторые модели были самодельные. Причем хотелось бы промоделировать весь усилитель целиком, чтобы учесть все что только можно. Хотелось быстро проверить, думал, что у кого то есть опыт, поэтому и спросил. Примеры проверю, спасибо за ответ.



В том то и проблема, что ручками долго и неохота. Не по инженерному это как-то Вероятно все-таки есть автоматический перевод из топологии в программу ЭМ анализа. В ADS точно знаю что есть, люди там считают. К сожалению, свой проект вставить в ADS не могу - модели привязаны к AWR. Спасибо за ответ.


Можете объяснить, если не трудно? Не совсем понял: элементы отдельно моделируются или все вместе?

Интересно как выглядит Ваш усилитель в компланарном исполнении в редакторе Layout в обьемном виде,
если можно покажите

извините хотя бы вид сверху

Да секретного то, наверное, ничего нет. Вот он:

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Только чем это вам поможет?

Давайте лучше весь проект для AWR, на картинке не видно где
активные элементы. Кстати вопрос у вас получается перенести свой
Layout в ЕМ симулятор?

Если не секрет, а где вы кристаллы изготавливаете ? Мы в этом деле новички, слухов много ходит про фабрики, советуют больше европейские фабрики поискать ? Можете что-то путнее посоветовать ? Заранее спасибо !

Куда пропал, спиноза

Извиняюсь за то, что долго не отвечал - последнюю неделю на работе завал был, времени не было совершенно.

Я немного покопался в AWR и понял, что автоматического перевода в ЭМ анализ там нет. Можно конечно просто скопировать всю топологию в AXIEM, расставить порты, все настроить, дорисовать что надо и смоделировать. Надо только настроить EM_Mapping в файле *.lpf. Других возможностей я не нашел. Кстати, в AWR очень неудобно сделан редактор программы ЭМ анализа - вроде пишут что 3D анализ, а редактор как был 2.5D так и остался. Диэлектрики расположены слоями, что очень неудобно при переводе, приходится рисовать дополнительные перемычки. Кстати, может кто-нибудь знает как, допустим, нарисовать в AWR квадрат и присвоить ему материал диэлектрик?




Проект дать не получится, это же коммерческая тайна, тем более там библиотеки еще надо дополнительно давать. Layout я перенес в AXIEM, но пока не моделировал - мучаюсь с EM_Mapping'ом. Опять повторюсь, что очень уж неудобно сделан редактор, многое приходится переделывать ручками.



Я думаю, что это выходит за рамки обсуждаемой темы, но если интерес все еще остался, то пишите в личку.

Вопрос у меня такой -в примерах AWR есть только один проект на компланарных линиях это CPW Autofill который моделируется(считается) в схематике по моему больше часа что очень странно. Обычные несимметричные линии передачи считаются за какие то секунды это вопрос к Спинозе, обьясните плиз как Вы считали. А перенести весь проект в 2.5симулятор не сложно нужно в установках Layout назначить положительные и отрицательные слои, установить галку "юнион лэйот шэйпс" и убрать галку "сабсекетс ас инстансис" что бы слои правильно транслировались в емсайт 2,5 а также пошаманить с файлом LPF например взять готовый из какого-нибудь проекта. Кстати емсайт 2.5 считает многослойные структуры с перемычками между слоями. Для подключения S-параметров используйте внутрение порты

Чтобы правильно транслировать лэйот нужно также в настройках Емлэйэр маппинг, в колонке дроуинг лэйс для своих
слоев назначить соответствующий номер слоя в колонке Ем лэйер (например 3 ). По умолчанию там стоит по моему 0.
Потом делаете экспорт с расширением gds. Когда откроете импорт файл в 2.5D или в 3D весь layout должен быть правильно оттранслирован в каком то одном слое например 3. После этого добавляете нужные диэлектрические слои
в ЕМ структуре и просто переназначаете воздушные перемычки в VIA , а полоски над ними на второй слой получается обьемная структура, ставите внутренние порты и всё

Спасибо за ответ.
Модели копланарных линий электромагнитные, то есть AWR моделирует множество различных вариантов копланарной структуры на заданной подложке, а затем интерполирует получившиеся данные. То есть по сути это ЭМ анализ, проблема в том, что для модели есть не для всех копланарных неоднородностей (например, для крестообразного соединения нет модели), а для копланарных элементов (кондеров, резисторов) их вообще нет. Поэтому они самодельные. Поэтому и хотел все смоделировать в ЭМ, чтобы проверить.
Про EM Mapping понял, теперь разбираюсь, жаль конечно что это не автоматический перевод и нет привязки ЭМ структуры к схематику. Было бы очень полезно и то и другое.

Увы, софт не пиратский, а честно купленный. Проект действительно выложить не могу, так как к нему, как я уже говорил, привязаны самодельные библиотеки.

Подтверждаю, софт не пиратский. Так что не увы, а к счастью.

Вопрос Юрию Потапову обьясните плиз что означает в описании файла с S- параметрами приставка deembedded
заранее спасибо. Являетесь ли Вы соавтором книги по САПР MWO 2002.

То и обозначает, о чем написано в указанной Вами книге.

Если порт устанавливается на боковой стенке моделируемой структуры из идеального проводника, в области порта присутствует неоднородность, приводящая к возникновению высших запредельный типов волн, которые искажают реальные характеристики. Для получения правильного решения (исключения неоднородности, de-embedding) выполняется сдвиг референсных плоскостей портов внутрь структуры. Далее из общего решения электродинамической задачи, вычитаются решения для отрезков регулярных линий передачи длиной, равной смещению референсной плоскости. Если S-параметры указаны как de-embedded, то значит они измерены в точках расположения референсных плоскостей, а не реальных портов.

Да, я являюсь соавтором этой книги. Я писал для нее первые главы.

Те диковенные переводы термина de-embedded, которые встречаются в книге - следствие подхода моих соавторов к идее написания книги с использованием средств машинного перевода.

Разгерметизация? Я всегда подозревал, что перевод "нечеловеческий" в этой книге. Местами такое попадается... Чего только стоит среднеквадратическое значение пиковой мощности (с. 311)!!!

Спасибо Юрий за разьяснение

Может кто-нибудь подскажет как сделать ЭМ-модель согласующего устройства на компланарной линиии?
Требуется согласовать заземленную 50-омную копланарную линию на поликоре (er=9.8, H = 500 мкм, W = 450 мкм, G = 580 мкм, T = 5 мкм (золото), толщина металлизации снизу с учетом припоя 100 мкм) с нагрузкой 10 Ом с помощью плавного перехода по ширине в диапазоне частот 1-10 ГГц.
С помощью встроенной неоднородности Coplanar Tapered Line (Closed Form):CPWTAPER это невозможно, т.к. она не учитыват землю: CPWTAPER does not use the following CPW_SUB parameters: Hcover, Cover, Gnd, Hab, ER_Nom, H_Nom, Hcov_Nom, Hab_Nom, and T_Nom, поэтому приходится лезть в ЕМ-моделирование.
P.S. Опыта работы с ЕМ нет. Может кто подскажет где почитать про создание ЕМ-моделей на копланарных линиях?

Почитать можно книгу "Проектирование СВЧ устройств с помощью MWoffice" Куричина , Потапова и др. авторов
там все подробно написано и про несимметричные и компланарные линии передачи.

А где найти эту книгу?

Эту? Да везде! Только выше был неверно указан один из авторов. Вот, например, здесь посмотрите. Это, наверное, pdf, судя по размеру (у меня примерно такой вариант). Здесь вроде поменьше по размеру, но не знаю поможет ли регистрация скачиванию. Но вообще в сети эта книга распространена - если не найдете в одном месте, то найдете в других.
Ну а уж насколько хорошо Вы по ней разберетесь с проблемой - не знаю. Единственное её преимущество то, что она на русском языке - для первого знакомства пойдет, а так лучше сразу в хелпе смотреть, если с английским хотя бы немного знакомы. Т. к. эта книга суть перевод части стандартного хелпа, причем, местами не очень качественный, что даже подтвердил один из соавторов несколькими постами выше.
Но в хелпе, как недавно обнаружилось, так же есть досадные ошибки. Так что следуйте русской пословице: доверяй, да проверяй!

Не надо везде. Здесь первоисточник:

http://www.eurointech.ru/products/AWR/MWO2002_Book.pdf

20 мег

Вот чего-то не пойму... Полгода назад вы спрашивали абсолютно то же самое. И что? - "Так я жду ответа на поставленный мной вопрос?" © ИванВасМенПрофф.
И в чем он, этот вопрос? Рассчитать сам переход? Это элементарно - по любому справочнику считается нужный профиль волн.сопр. по длине перехода по нужному закону, потом с нужным шагом пересчитывается в топологию для выбранного типа линии опять же по любому справочнику или калькулятору. Потом рисуете это хоть в акаде и dxf экспортируете в любой ЕМ симулятор. Все.
EMSight для копланара - не лучший выбор, считать будет до-о-о-лго, но хотя бы начнет. AXIEM не видел не знаю, может, и вещь. А так... непонятно, что должно быть написано в той книге, которую вы просите подсказать... ну прочитайте Свонсона и Хофера "Microwave Circuit Modeling Using Electromagnetic Field Simulation" - более чем полезно и найти в инете не проблема.

EUrry, Yuri Potapoff, EVS спасибо за советы. Буду разбираться.

Курушин, Потапов Ю.