Как измерить S-параметры устройства (усилителя или диода) пусть даже на 1 частоте.
1. Если я измеряю S11 то на 2 порте Z=50? как это сделать? ведь до выхода стоит цепь согласования, которая приводит к 50Омам.
2. Как измерить S12 ?
Как буржуины это делают? Подскажите может литературу.

Мое предположение: собирают устройство (напр: LNA), настраивают его, измеряют что нужно. Далее выковыривают микросхему и измеряют параметры цепи согласования. Но как потом нормируют и приводят это измерение к 50 Омам? Если так и делают

Из измерительных устройств есть всё (даже векторный анализатор)

Все измеряется на специальных установках и, естественно, без цепей согласования.

Сходи по ссылке

http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=35119

Но какая именно стоит задача? Отгадать паметры микросхемы, стоящей в усилителе? Не проще ли посмотреть даташит на нее? С вероятностью 99% данные совпадут (речь об импорте).

Это всё что вам нужно.
Если реч идет о микросхеме, ставите ее на плату с 50Ом ными ЛП и коннекторами, потом измерив общие параметры сдвигаете фазовую проскость куда вам нужно (deembedding). Можно обойтись и без платы, тогда нужны спец пробники, которыми можно мерять прямо на ногах у ИМС.
Если девайс с согласующими устройствами, меряете все по отдельности (как вы это описывали), потом опять пересчитываете общие параметры минус влияние согл. цепей.

Вот так мы "буржуины" и делаем

стоит задача: при поставке ПКИ, эти ли ПКИ нам поставляют? (недавно были случаи: 1 партия была перемаркирована китайцами, 2. пратия была бракованая (иногда даже корпус отклеивался у микросхем, а также смесителей).
измерить параметры ПКИ.

Vitaliy Z.:
как мне помнится, для грамотного измерения параметров микросхемы нужно задавать параметры источника и нагрузки рабочие, согласованные (если входное сопротивление микросхемы 0.5+0.1J то соединяя её с 50Омами получим "скачек" сопротивлений и никакого согласования ... и что тогда измерим?).
а делать отдельную плату - накладно. хотелось бы обойтись попроще.

Yuri Potapoff:
жаль, что я живу не в москве, но может выпрошусь в командировку.
Спасибо за ссылку. Изучу.
Но эта станция хороша для завода изготовителя который из партии в МЛН.шт. отбирает по отклонениям бракованные. Он делает соответствие м/у годными и бракованными, не измеряя реальные парамтры (P1db, GA, S11, S12 и тд).

К обычному VNA докупается S-parameter testset. Он все корректно измерит и пересчитает.


Придется. Примерно вот такую:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

EVS:
S-parameter testset ф.АналогДевайс делаются только для корпусов SMD и выводных ПАССИВНЫХ элементов!!!! На них можно только кондеры да фильтры проверять (частоты более 300МГц). По поводу корректности я ненашел данные у них об измерении параметров активных компонентов. Подскажите. Может я не туда смотрю.

Ваш пример с 50 Омным SDPT, неочень показателен. Как например измерить параметры транзистора MRFG35010 frescale на частоте 3500 МГц?

Не туда. Смотрите не в сторону АналогДевайс, а в направлении Agilent.

Простите опечатался:
исправить при прочтении аналогдевайс на Агилент.
Агилент более 300МГц измеряет только пассив! Приведите пример измерения активных эл...ов. Хотябы ссылочку. Пока невижу грамотного решения без использования разборных плат согласования (in, out) чтобы после настройки с микросхемой, измерить параметры без микросхемы подключив конт.приспособы.
У этого способа есть большой недостаток - стоимость, и малое количество иттераций изза разрушения и загрязнения плат (армированый фторопласт FR, Rogers).

Активные пробники которые цепляются на ногу (без разборки узла) - это не серьезно (сигнал наводится оч. хорошо на них, при включении получается несогласование - сигнал падает, на частотах более 1 ГГц их обычно неиспользуют, на хорошо согласованых цепях сигнал в пробник непойдет)

Контактные устройства как в http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=35119 помоему неизмерят реальные параметры СВЧ, НЧ измеряют (частот этак до 300).

Несогласованные цепи нельзя применять. В анализаторах входы 50 Ом.

Не обижайте Agilent.
Из описания HP 8517:
The HP 8517B test set configured with an HP 8510B/C network analyzer and an HP 8360 series source, creates a system capable of making S-parameter measurements from 45 MHz to 50 GHz.
The system is particularly suited for making two-port device measurements. You can measure all four S-parameters without physically reversing the DUT (device under test).
The system is also designed for making measurements on non-reciprocal devices or components like transistors, amplifiers or isolators where S measurements are required.
For active-device measurements, two bias tees apply external DC bias to both test port center conductors.

Это не совсем так. Параметры "источника и нагрузки" просто должны быть известны с достаточной точностью. Для удобства сопротивления нагрузки и источника выбрали 50 Ом, потому как принят стандарт 50Омной техники. Могло быть и 100Ом. Не имеет значения!
Может понятнее будет так:
В данном случае микросхеме образно говоря все равно, подключите вы источник с сопротивлением 50Ом или 0.5-0.1J Ом. Ее сопротивление (которое вам и нужно измерить) все равно будет 0.5+0.1J.
Аналогично и с коэффициентом передачи.



Плату можно не делать. Если вы знаете параметры согласующих устройств (а измерить их можно примерно так как вы описывали ранее), параметры микросхемы можно просто рассчитать(последовательное соединение 4х полюсников).

Щас вы друг друга запутаете, а я в этом деле даже не поучаствую
Мое мнение:
Есть девайс у которого надоть померять S-параметры отсюда и начнем:
1. В мире приняли стандартизованное сопротивление источников и нагрузок равным 50 Ом, поэтому источник и нагрузка должны быть 50 Ом-ными.
2. К девайсу - никаких согласований, ведь если согласуем его - то как раз в этом случае ничего интересного и не увидим.
3. Девайсу нужен только режим по постоянному току (например, при котором нормируются С-параметры в тех. док.)

S12 можно определить при обработке измерения с подачей входного возмущения со стороны выхода четырехполюсника (как, впрочем и S22).

На достаточно простом уровне случай измерения S-параметров рассмотрен в книжице William F. Egan "Practical RF system design"

ЗЫ. Если конечно хочется позаниматься реинжинирингом, то, действительно, сначала можно собрать какой-нибудь устройств на нужном элементе, сначала померять S-параметры этого устройства ну т.д. как было описано выше в постах. Думаю ненужный труд это, а непонятного будет еще больше.

Спасибо за ответы. Попробую переварить информацию.