Использую SDRAM w982516bh фирмы Winbond. Ей требуется рефреш, но из описания я не понял, как часто надо подавать команду на рефреш. В описании упоминается некое рефреш тайм - это максимаьный период для подачи команды или это интервал времени, в течение которого может или должна находиться в рефреше. Как правильно надо подавать комаду рефреш на микросхему?

Каждые 64 миллисекунды нужно выполнить 8192 цикла рефреша. Эти 8192 цикла можно выполнить либо за один раз "вспышкой" либо равномерно размазать во времени. Ну, например, после каждых 64-х циклов чтеня или записи делать один цикл рефреша.

а возможен следующий алгоритм. Выполняю запись одной строки, затем precharge и после этого загоняю в selfrefresh и делаю паузу на 15 с чем-то мкс (или в таком случае надо делать autorefresh?). затем уже перехожу к записи во вторую строку... такой алгоритм работоспособный? использование сразу всех 8т циклов у меня не пройдет по времени, могу потреять входные данные. Если я буду делать после записи или чтения каждой строки рефреш на 15 мкс?

А что, спецификация Micron не подходит? Там все это хорошо описано. Наверняка они одни и теже кристаллы используют и у Micron это все хорошо описано...?

P.S. Может будет полезно... Перевод спецификации на SDRAM. Другого архиватора нет... Это 7z архив, но его что-то под таким разрешением не добавляло, я переименовал в rar (7-zip)