Удачного окончания рабочей недели всем!!!
Вот у меня такой вопрос по Microwave Office. Если я моделирую какую-нибудь структуру из металлической полоски на диэлектрике, назначаю порт-источник и нагрузку, как мне узнать величину электр.напряженности в произвольной точке? Microwave Office не дает результата в абсолютных единицах (в/м или дБ), а приводит некое нормализованное значение? Это так? И как получить в этом пакете результат в абсолют. единицах (как это делают, по-моему, HFSS и Microwave Studio)

В MWO/AO Measurement Reference>Electromagnetic (версия MWO 6.5, не смотрел раннюю) находим разные виды измерений, в частности, X-Directed E-field (Volt/Meter): Ex_EM и другие. Там все написано. Кажется, это то, что Вы ищете.

Долго ломал голову над тем, почему параметры снятые с EM-модели не совпадают с теми, что сняты с модели схематической (в схему вставлял все ту же EM-модель) пока не начал менять сопротивления портов в EM-модели. Оказалось, что сопротивления портов в EM на параметры не влияют!!! Вопрос: а зачем тогда вообще вводить величину сопротивления порта? И вообще, может кто растолкует мне, как снять адекватные параметры с EM-модели (S и VSWR). Ведь в схематической модели в параметрах порта нельзя задать реактивное сопротивление, а очень нужно.

Блин, про эти порты писалось уже раз десять.

Прежде чем трясти пальму, подумайте!

Вы создали EM структуру. Про нее никакой информации кроме геометрии нет. Вся информация, том числе и импеданс портов (при измерении снаружи) будут получены в ходе моделирования не зависио от того, что снаружи. Уже сама возможность задания импеданса порта и тип (нагрузка или источник) должна навести на мысль, что-то здесь не так.

Эти параметры предназначены для формирования мультика с поверхностными токамию

Если в окне нажать F1, то появится раздел справки это объясняющий:

--

Select the Excitation Port check box to specify Excitation port and enter relative power and phase values for excitation data, or enter real and imaginary impedance values to specify (termination) Impedance Port.
EM impedances are only used to calculate the image currents, which generate antenna patterns, images, and e-field and current measurements. The impedance port does not affect the S-parameter data. For more information, see "Terminations and Excitations" and "Setting the Port Excitation or Termination" .

--

Что хотите получить? Зависимость параметров структуры от внешней нагрузки. Так приделайте эту нагрузку снаружи: создайте схему и на ней структуру как подсхему и нагрузите гармоническими портами. Это как резистор к микрополоску приделать - только снаружи.

Это действительно проблема, связанная с тем, как осуществляется нормировка S-параметров. Есть классическая работа K.Kurokawa "Power Waves and the Scattering Mattrix", IEEE Microwave Theory and Tech., vol.13, March, No2, 1965, pp.194-202. Из нее следует, что нормированные S-параметры определяются как отношение (V+Z*I)/(2*sqrt(|ReZ|)), где V,I - напряжение и ток на зажимах порта, а Z - комплексный импеданс нагрузки порта. Если именно это определение принято в MWO, то тогда понятно, почему чисто реактивные нагрузки запрещены.