Полная версия этой страницы: посоветуйте микросхему SRAM памяти
Уважаемые форумчане , посоветуйте, пожалуйсто, конкретную микросхему SRAM памяти, обладающую следующими характеристиками: ёмкость в несколько килобайт памяти, низкое потребление, последовательный интерфейс, частота шины не менее 4 МГц. P.S.: Она будет использоваться в качестве кольцевого буфера. Также, хочу обратить внимание, что она будет применяться в устройстве,работающем автономно на протяжение долгого времени,т.е. фактор малого потребления данной микросхемы очень важен.
Цитата(proga @ Oct 22 2007, 19:53) 
Уважаемые форумчане , посоветуйте, пожалуйсто, конкретную микросхему SRAM памяти, обладающую следующими характеристиками: ёмкость в несколько килобайт памяти, низкое потребление, последовательный интерфейс, частота шины не менее 4 МГц. P.S.: Она будет использоваться в качестве кольцевого буфера. Также, хочу обратить внимание, что она будет применяться в устройстве,работающем автономно на протяжение долгого времени,т.е. фактор малого потребления данной микросхемы очень важен.
Посмотрите здесь www.ramtron.com
Цитата(proga @ Oct 22 2007, 19:53)
... ёмкость в несколько килобайт памяти, низкое потребление, ...
Посмотрите контроллеры с достаточной внутренней памятью. PIC18F, например
А "несколько" это сколько? В штуках, слонах там или попугаях? И почему нельзя применить низкопотребляющий МК с требуемым количеством унутреннего СРАМа, как, например, предложил r_dot?
Цитата(proga @ Oct 22 2007, 18:53)
Уважаемые форумчане , посоветуйте, пожалуйсто, конкретную микросхему SRAM памяти, обладающую следующими характеристиками: ёмкость в несколько килобайт памяти, низкое потребление, последовательный интерфейс, частота шины не менее 4 МГц. P.S.: Она будет использоваться в качестве кольцевого буфера. Также, хочу обратить внимание, что она будет применяться в устройстве,работающем автономно на протяжение долгого времени,т.е. фактор малого потребления данной микросхемы очень важен.
Из последовательной SRAM в несколько килобайт рекомендую: N256S0830HDA
Очень экономична, последовательный интерфейс, удобный корпус - SOIC-8 и TSSOP-8.
Ramtron ей не конкурент.
Цитата(Different @ Oct 28 2007, 19:49)
Из последовательной SRAM в несколько килобайт рекомендую: N256S0830HDA
Очень экономична, последовательный интерфейс, удобный корпус - SOIC-8 и TSSOP-8.
Ramtron ей не конкурент.
Очень экономична, последовательный интерфейс, удобный корпус - SOIC-8 и TSSOP-8.
Ramtron ей не конкурент.
Никак не пойму, где экономия.
Для N256S0830HDA:
Код
ток потребления в режиме чтения/записи:
10mA (20MHz)
6mA (10MHz)
3mA (1MHz)
10mA (20MHz)
6mA (10MHz)
3mA (1MHz)
Для FM25L256B:
Код
Power Supply Current
@ SCK = 1.0 MHz 0.5 mA
@ SCK = 20.0 MHz 10.0 mA
@ SCK = 1.0 MHz 0.5 mA
@ SCK = 20.0 MHz 10.0 mA
Согласен с предыдущими авторами, проще выбрать микроконтроллер с нужным объемом памяти.
Цитата(rloc @ Oct 29 2007, 00:17)
Никак не пойму, где экономия.
Для N256S0830HDA:
...
Согласен с предыдущими авторами, проще выбрать микроконтроллер с нужным объемом памяти.
Может я невнимательно просмотрел даташит на N256S0830HDA и что-то пропустил?Для N256S0830HDA:
Код
ток потребления в режиме чтения/записи:
10mA (20MHz)
6mA (10MHz)
3mA (1MHz)
10mA (20MHz)
6mA (10MHz)
3mA (1MHz)
...
Согласен с предыдущими авторами, проще выбрать микроконтроллер с нужным объемом памяти.
Цитата
N256S0818HDA/N256S0830HDA:
Read/Write Operating Current
ICC1 F = 1MHz, [IOUT = 0] 500 μA
ICC2 F = 10MHz, [IOUT = 0] 4 mA
ICC3 F = 20/25MHz, [IOUT = 0] 8/10 mA)
То есть соизмеримо с потреблением PIC18F, работающим на такой же тактовой частоте.Read/Write Operating Current
ICC1 F = 1MHz, [IOUT = 0] 500 μA
ICC2 F = 10MHz, [IOUT = 0] 4 mA
ICC3 F = 20/25MHz, [IOUT = 0] 8/10 mA)
Только PIC-у эту частоту придётся ещё и поделить на 4
, плюс корпус ...Вот если бы имелись PIC10F или PIC12F с 32KB SRAM и встроенным SPI, тогда было бы за что побороться...
Цитата(rloc @ Oct 29 2007, 00:17)
Никак не пойму, где экономия.
Для FM25L256B:
Для FM25L256B:
Согласен с предыдущими авторами, проще выбрать микроконтроллер с нужным объемом памяти.
Для FM25L256B:
Код
ток потребления в режиме чтения/записи:
10mA (20MHz)
6mA (10MHz)
3mA (1MHz)
10mA (20MHz)
6mA (10MHz)
3mA (1MHz)
Для FM25L256B:
Код
Power Supply Current
@ SCK = 1.0 MHz 0.5 mA
@ SCK = 20.0 MHz 10.0 mA
@ SCK = 1.0 MHz 0.5 mA
@ SCK = 20.0 MHz 10.0 mA
Согласен с предыдущими авторами, проще выбрать микроконтроллер с нужным объемом памяти.
Это сейчас в ревизии FM25L256B потребление снизили до 1мкА, а несколькими месяцами ранее в даташите было 5мкА.
Экономичность осталась в смысле цены - в разы!
FM25L256B только до 20МГц, а N256S0830HDA до 25МГц.
Да хоть и пишут, что FRAM имеет неограниченное число циклов записи/стирания, но на самом деле предел есть. Рано или поздно - все равно сдохнет.
32КБ есть только у очень крутых контроллеров типа PIC32, которые эту память съедят быстрее 8-разрядников.
Цитата(Different @ Nov 15 2007, 09:26)
Это сейчас в ревизии FM25L256B потребление снизили до 1мкА, а несколькими месяцами ранее в даташите было 5мкА.
Экономичность осталась в смысле цены - в разы!
FM25L256B только до 20МГц, а N256S0830HDA до 25МГц.
Да хоть и пишут, что FRAM имеет неограниченное число циклов записи/стирания, но на самом деле предел есть. Рано или поздно - все равно сдохнет.
32КБ есть только у очень крутых контроллеров типа PIC32, которые эту память съедят быстрее 8-разрядников.
Экономичность осталась в смысле цены - в разы!
FM25L256B только до 20МГц, а N256S0830HDA до 25МГц.
Да хоть и пишут, что FRAM имеет неограниченное число циклов записи/стирания, но на самом деле предел есть. Рано или поздно - все равно сдохнет.
32КБ есть только у очень крутых контроллеров типа PIC32, которые эту память съедят быстрее 8-разрядников.
динамическая память тоже медленно изнашивается
фрам только в начале своего пути- посмотрим
Цитата(rv3dll(lex) @ Nov 16 2007, 08:50)
динамическая память тоже медленно изнашивается
фрам только в начале своего пути- посмотрим
фрам только в начале своего пути- посмотрим
Каким образом SRAM изнашивается?
Её ячейки - обычные переключающиеся транзисторы.
Цитата(Different @ Nov 16 2007, 12:01)
Каким образом SRAM изнашивается?
Её ячейки - обычные переключающиеся транзисторы.
Её ячейки - обычные переключающиеся транзисторы.
полупроводники деградируют
особенно там где тонко - базы и изоляторы затворов
конечно кт315 будет работать ещё долго не 1 сотню лет благодаря толстой базе
Цитата(Different @ Nov 16 2007, 14:01)
Каким образом SRAM изнашивается?
Её ячейки - обычные переключающиеся транзисторы.
Её ячейки - обычные переключающиеся транзисторы.
Насколько я понял rv3dll(lex) DRAM, а не SRAM (статическую) имел в виду.
Цитата(rv3dll(lex))
динамическая память тоже медленно изнашивается
Цитата(rezident @ Oct 23 2007, 00:35)
А "несколько" это сколько? В штуках, слонах там или попугаях? И почему нельзя применить низкопотребляющий МК с требуемым количеством унутреннего СРАМа, как, например, предложил r_dot?
Вероятнее всего потому, что здесь так заведено
Ну, а если серъёзно, то в МК как правило довольнотаки немного своего SRAM'a , а бывают случае когда памяти надо довольно-таки большие (больше чем в МК) объёмы памяти.
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста, пройдите по ссылке.