Прошу прокомментировать документ

http://www.microchip.ua/simcom/SimCom/Appl.../App%20300D.rar

Что там за емкости такие на симке?
И все же видно что такая солидная фирма как Olimex соединила МК с сим300 напрямую, а как же подпитка при выключенном модуле?? Или Sim300D оно не пугает?

Спасибо.

Основной документ, на который нужно обращать внимание HD HARDWARE SPECIFICATION. Все остальное рекомендации. Написано в HD что уровень вх. сигналов должен быть не более 3,3В, сделайте это и не нужно никаких диодов и резисторов. А в схеме с диодами и резисторами сигналы с МК могут быть хоть 10, 20 В. Это мудрят продавцы чтобы потом в спорной ситуации ткнуть носом в схему сопряжения и умыть руки. Наша фирма выпускает за 1000 изделий в месяц и никаких диодов и резисторов да и защитных диодов на симку не ставим, так как нет прямого доступа к ее контактам (симдержатель с лотком). Все в норме.

Комментирую:

Только может стоит еще раз посмотреть на схему более внимательно, может стать стыдно за элементарное...
В свое время в ХИРЭ за такой вопрос преподы сразу двойку могли влепить.

Если посмотреть на емкости на симдержателе, то около каждой есть буковки NA - что они обозначают можете ознакомиться здесь:

http://ru.wikipedia.org/wiki/N/A - НЕ ПРИМЕНЯЮТСЯ!

Емкости тупо скопированы в схему с одного из самых старых документов (была там такая схема) гуляющих по инету.
А туда они попали из документа для SIM100S - его использовали как заготовку при написании документации под SIM300 и изначально забыли исправить схему. Кто работал с SIM100, тот встречал эту схемку.
К примеру польские дистрибьюторы до сих пор дают пользователям документ версии 1.06 и он же лежал на польском форуме electroda.pl
пока мы не поделились с ними обновлениями.

Кроме того из новых схем на симкарту забыли поставить защиту от статики. Ее тоже не было в документе на SIM100S.

Поехали далее.....

На буфере USB мы видим сигнал от микроконтроллера PWREN который разрешит выходы последовательного интерфейса когда модуль уже будет запитан.

И последнее. Если контроллер питается таким же напряжением как и модуль, а вы ГАРАНТИРОВАНО (даже при програмных сбоях) ОБЕСПЕЧИТЕ НА ВЫХОДАХ ТРЕТЬЕ СОСТОЯНИЕ ДО ВКЛЮЧЕНИЯ МОДУЛЯ - так соединяйте напрямую - вот только не все контроллеры это умеют, а некоторые разработчики еще и 5 вольтовые контроллеры применяют.
Что такое общий случай согласования уровней объяснять ? Так что пара диодов шотки и резисторов будет прекрасной защитой и от дурака, и от ошибки в программе... и тд и тп.....

Заранее извиняюсь если мой тон покажется грубым - поверьте, обидеть не хочу никого, просто устал объяснять элементарное. А 50% спрашивающих даже не вчитывались в документацию и не пробовали искать в инете подобное. На польских и китайских форумах можно найти много интересного, но многие ли туда заходили ? То лень регистрироваться, то английский не хотят читать....

Как там древние написали - «Ищите и обрящете; Толцыте и отверзется; Просите и дастся вам»

Как говориться нырять в море можно всем, некоторые даже этим профессионально занимаются. Но прежде чем нырять, надо научиться хотя-бы плавать.
Так-же и с этой схемой - лично я использую напрямую соединенные Sim300 и МК, но при этом начинающим все-же рекомендовал бы как минимум схему с диодами.

Виноват, а зачем поляки пишут по английски?
С языком проблем нет, долго жил в Канаде.

Про симку, об NA и DNP в курсе, не вижу ничего плохого чтоб спросить зачем это вообще делалось и откуда взялось, теперь все ясно.

Использую мк мега128л на 3в ровно, вопрос задал в связи с тем, что делаю очень компактное устройство (спичечный коробок) и такая роскошь как избавиться от схемы согласования будет очень большим подспорьем при разводке.

Всем большое спасибо.

>>>>Виноват, а зачем поляки пишут по английски?

Форум международный и двуязычный - вот оттуда и английский....

>>>>Использую мк мега128л на 3в ровно, вопрос задал в связи с тем, что делаю очень компактное устройство (спичечный коробок) и такая роскошь как избавиться от схемы согласования будет очень большим подспорьем при разводке.

Отнеситесь внимательно к программе и можете выбросить согласование. По сути правильный алгоритм работы с третьим состоянием ничем не хуже.
Просто многие кто использует DTMF не могут достать 3 вольтовые приемники, вот и ставят проц 5 вольт и приемник 5 вольт, а с модулем уже согласовывают.

Мы работаем с этой МС. К сожалению такой функции не обнаружили. Используем для аналогичной цели RESET. А нога PWREN у FTDI является выходом и не как не входом. Вроде так.
Выходы FT232RL (TX,RTS,DTR) нагружены на выходы МК через 200 Ом и ни как не отключаются (я не вижу). Вывод PWREN не может отключать эти ноги. Можно по состоянию этой ноги понять что подключен USB интерфейс и переключить выходы МК в 3-е состояние чтобы не мешать.

Выходит на входы включенного модуля можно подавать больше чем 3.3В? Главное,чтоб не больше питания модуля?

И еще вопрос:
Кто что использует в качестве ключа по питанию модулей SIM300?

Не вижу информации по которой можно судить что можно подавать больше чем 3.3в
В общих словах подавать больше нельзя... да и само 3.3 это уже верхний предел.

В качестве ключа использую IRLML5203.



+1, нога работает на выход

Больше нельзя однозначно. CADiLO имел в виду Если контроллер питается таким же напряжением как VEXT.

По поводу FTDI согласен, извиняюсь, недосмотрел в даташите.....

Тогда вопрос - общаются через FT232RL с контроллером и отключают модуль или все же лезут к модулю напрямую....
При перепрошивке это нормальная ситуация, а вот для штатной работы.... Модули с памятью SPANSION в этой схеме работоспособны, а вот для модулей с памятью SST это может быть чревато - ну не любят они ситуации с напряжениями на выводах до подачи питания.

Впрочем схема разрабатывалась до появления этой беды, так что.......

В этой схеме общаться меж собой могут поочередно FTDI - Модуль либо МК - Модуль. Модуль всегда в работе. Через FTDI в МК и наоборот непредусмотрено.

Тогда могу сказать что в этой схеме модуль с памятью SST с вероятностью 90% будет терять настройки или прошивку.
Модуль со SPANSION будет работать, но шанс подтереть прошивку тоже остается хотя и маленький.

В схеме присутствует постоянно включенная Li-ion батарея. Поэтому вопрос с подачей 3В на входы GSM модуля, при отсутствии питания модуля, мне кажется не стоит.

В этой схеме есть два варианта включения. С батарейкой и без. В зависимости от перемычек.
Где же написан этот ужасный запрет строго не подавать 3В на входы если модуль выключен.
И что вообще может случится с выключенным модулем. Он же ВЫКЛЮЧЕН. Слететь прошивка? Странно.
И где написано что нельзя снимать питание с модуля? Питание при больших емкостях снимается не мгновенно. Модуль должен, почувствовав провал, успеть корректно завершить свои дела.
Вобщем мне кажется это все страшилки. На практике никакого криминала нет. Не то что бы единичные случаи были. Вообще не наблюдалось.
Покажите пожалуйста где написано про эти ограничения. Хочется вдумчиво почитать.

Объясняю, хоть это уже неоднократно говорил в форуме.

1.>>>> И где написано что нельзя снимать питание с модуля? Питание при больших емкостях снимается не мгновенно.

часть флешки в модуле используется в качестве NVRAM и постоянно перезаписыватся. Старая SPANSION имела побайтовую запись, новая SST блочную. Поэтому модуль с новой памятью может не успеть завершить перезапись блока флешки и накидать мусора при произвольно падающем питании... Вот и потеря прошивки, в лучшем случае потеря установок.

При использовании аккумулятора и снижении питания модуль выключится корректно, а вот резкое снятие питания для модулей с памятью SST - нежелательно. Это неофициально подтвердили и китайцы.

2.>>>>Где же написан этот ужасный запрет строго не подавать 3В на входы если модуль выключен.

ХОРОВЕЦ и ХИЛЛ - "Исскуство схемотехники" издание первое
КЛИПКО "Особенности питания и согласования CMOS элементов"
материалы с семинаров ADI - пробегали на Сахаре. (caxapa.ru)

Проведите следуюший опыт - соберите генератор со счетчиком на 561серии (CMOS) , повесьте на него дешифратор - тоже CMOS, но не подавайте питание на дешифратор. Включите... СХЕМА РАБОТАЕТ!!! Но поднесите руку и посмотрите как не будут выходные данные дешифратора соответствовать данным со счетчика....

Дешифратор питается через входные защитные диоды.

То же происходит и в модуле - входное VBAT приходит в модуль и подается на выходной каскад УМ и стабилизатор который включается через поверкей. Внутренее питание чипсета 1.72 вольта
подайте на вход чипсета 3.3 вольта и схема заработает запитавшись через входные диоды, токи там мизерные...
Вот только как..... Будет жить своей жизнью...

У меня была схема на PIC16F877 когда при выключеном пике на одном из входов было около 0.1 вольта. Схема работала как хотела и более того НЕ РЕАГИРОВАЛА НА СБРОС!!! Когда развязал ключиком с ОК и подтянул вход к питанию пика, а не внешней цепи - все глюки пропали.

Надеюсь смог объяснить коротко - не люблю клавиши топтать...
Кому интересно поспорить, готов выслушать аргументы и так-же аргументировано опровергнуть или признать ошибки по телефону.
www.microchip.ua - там есть наши телефоны.
Эдик.

В случае без батареи 4В от источника питания идет на вывод VBAT. И из этого источника получают 3В для контролера. Одновременная подача питания.
Если посмотреть документ sim300d_z_hd_v2.03.pdf то на стр 15 для выводов RXD, DTR и др.
читаем VIHmax=VDD_EXT+0.3. Т.е если нет питания модуля VDD_EXT=0 и на входах модуля
нельзя превышать 0.3В.

млин, за такое надо больно бить. nvram и прошивка должны быть разнесены так, чтобы обновление nvram не затрагивало прошивку. вообще возможность снести прошивку просто отключением питания - нонсенс.

Тут и я согласен, но имеем дело с объективной реальностью, данной в гнусных ощущениях. Вопрос в общем-то денежный - физическое разделение адресных пространств влечет дополнительные затраты. Подобные приколы бывают и с микроконтроллерами фон-неймановской архитектуры (MSP430 etc.) - в момент записи в FLASH резко снижается питание, блок, сохраненный в ОЗУ, перезаписывается по адресу, отличающемуся всего на один бит - и привет, JTAG вам в помощь, если его не пережгли... обычно пережигают.

бывают, но редко. опять же предпринимают меры, чтобы снизить вероятность такого развития событий и/или тяжесть последствий.

тут же вели речь про то, что в одном erase block с nvram лежат ещё какие-то данные (кусок прошивки). хотя не исключено конечно, что уважаемый CADiLO неверно интерпретировал статистику сбоев и намёки китайцев.

>>>>тут же вели речь про то, что в одном erase block с nvram лежат ещё какие-то данные (кусок прошивки).

Попробую объяснить как это понимаю я:
Микропрограмма флешки выполняет запись блока, а тут питание пошло снижаться и адреса начали "гулять"
Где-то недотянутая еденица в адресе прочиталась как ноль и вместо области таблиц, запись произошла в основную прошивку....

Извините. И все таки. Где написаны эти предупреждения китайцев. Дайте ссылку. Хочется почитать , на англ. языке. Или их нет?

Это было ими признано во время "посиделок" на Симкоме.
Естественно публиковать они это нигде не собираются.
Трудный народ в общении - пока не натыкаешь носом, не признаются.....

Вот так примерно разговариваем с ними
- при выключении модуля слетает прошивка
- вот есть диаграмма, следуйте ей - там все правильно.
- так вот сняли питание и ......
- а зачем? на диаграмме показано повер кей нажать
- так вот внешнее, пропадает...
- обеспечьте чтобы не пропадало и выключайте по диаграмме...
- дык прошивка сыпется.
- при соблюдении нарисованого все работает
- а как же питание?????
- ставьте аккумулятор....
....... после обеда......
- Стив, проблема есть или нет ?
- Есть, но если делать как нарисовано - нету.

Кстати, у меня еще ни разу не наблюдалось слет прошивки. Возможный "секрет" такой работы - имею в общей сложности около 7000мкФ электролита по питанию (4700мкФ до и 2222мкФ после стабилизатора). Сообщения о аварийном питании так и не вижу, но возможно модуль успевает аварийно все завершить...

Такое возможно, если BOD в процессоре срабатывает позже, ниже уровнем, чем при котором позволяет записывать память (2.7 - 3.3V)

PS: Глазею на даташит SST34HF3284 и вижу Operating Range Extended -20°C to +85°C
А как же SIM300Z Restricted operation* temperature -30 to 80 ??

>>>>Такое возможно, если BOD в процессоре срабатывает позже, ниже уровнем

Отставить мокать капитана! (с) Христофор Бонифатьевич

Я не сказал что адреса будут гулять на процессоре.

Если посмотреть на комады флешки, и ее структуру, то мы закидываем в ее микропрограмный автомат от трех до шести байт (команда, адрес, данные) и разрешаем запись. Далее она внутри варится и проц тут не при чем..... Она внутри себя может адрес или данные неправильно опознать. Попробуйте прописать любую флешку при пониженом питании - получите "плавающие" данные.


>>>>А как же SIM300Z Restricted operation* temperature -30 to 80 ??

Дык таки Restricted - ограниченная работоспособность. В китайском смысле с переводом на русский - "надеемся что будет работать"
Я им задавал этот вопрос - вежливый ответ - наши модули проходят тестирование.... Впрочем симкарта с большей вероятностью при -30 не будет работать.

Извиняюсь, не так прочитал.
Но тем не менее... У м/с памяти есть волшебный вход RST#. По уму процессор или внешний supervisor должен этим воспользоваться при понижении питания

Мы тоже надеемся что они будут работать. Благодаря нашим надеждам они и работают

Оно и будет работать. Сам модуль во время работы заметно греется.
У него будут проблемы только при включении когда модуль основательно промерз.

У нас модули с SST стали терять прошивку (около 15% всего кол-ва - катастрофа). Питание только внешнее, может пропадать и появляться по несколько раз в сутки. Специально занялся вопросом - какую емкость необходимо по питанию, чтобы успеть корректно выключить модуль в наиболее тяжелом случае по токопотреблению - при трансфере GPRS. Оказалось, что не менее 50.000 мкФ. В реале пришлось бы ставить еще больше, на некоторых объектах модули могут быть включены / выключены при минусовых температурах, при которых электролиты теряют емкость от номинала в разы. Сейчас вынуждено переходим на аккумуляторное (LiION) аварийное питание. Кстати, по наблюдениям, чаще всего проблемы с прошивкой были, когда на улице ниже -15С. Проблем со Spansion подобного рода ни разу не было...

не смотрели в сторону ионистров?

Главный минус ионисторов в данном случае - большое внутреннее сопротивление (обычно при Vном> 5 В, Rвнутр> 50 Ом, что делает невозможным их применение при токах больше нескольких мА.

Решение данной проблеммы элементарное. Если мы все сразу попросим SIMCOM вернуться к нашей любимой памяти Spansion через диллеров конечно.

Пока ставил SIM508 на spansion, следующие устройства уже на SST, возникает некое волнение.. Использую встроенную схему заряда с Li-on батареей, это должно спасти от проблем со сбоем ПО?

Большое сомнение в том, что SIMCOM прислушается к этому. Переход на SST, видимо, шаг стратегический. Недаром, что перевели всю линейку SIMов, не оставив никакой альтернативы на Spansion. Да и какую часть "выедают" от общего объема производства на постсоветском пространстве, чтобы наши пожелания имели вес? А вот интересно, сколько, на самом деле, мы потребляем?..

>>>>А вот интересно, сколько, на самом деле, мы потребляем?..

Мы поставили за 2007 год 35000 модулей. Всего без разделения по видам.
Это примерно 1.2% производства Симкома. В 2008 планируем выйти минимум на 50000.
Как в России у дистрибьютеров дела - не знаю, но вряд ли меньше поставки....
Альтернатива на Спансион остается, но пока только 300С и нельзя заказать с какой памятью покупаем. Все вроде как идет к полному
переходу на SST.
Чтобы пожелания имели вес разовая партия модулей должна быть не менее 20К и годовая не менее 100К.

Речь не о корректном завершении работы, а о корректном сохранении страницы данных уже отправленной во флешку после достижения границы в 2 с лишним вольта. Насколько я помню, это времена в пределах единиц-десятков мс.
ЗЫ. Кстати, 50мФ это по 3,6В? Если да, то советую пересчитать какая емкость нужна для напряжения 12В и последующего импульсника (КПД 70-80%)...

А вот вопрос. Удалось разобраться, от какого момента нужно считать эти миллисекунды. Т.е. когда ПО модуля начинает сохранять данные во флешку?
- От момента выключения модуля сигналом PWRKEY
- или от момента снижения напряжения на самом модуле ниже зибзического (какого?) порога Power Fail ?
И до какого напряжения ПО модуля еще работоспособно?

Похоже наоборот - модуль туда постоянно что-то закидывает. Весь вопрос - с какого напряжения проц во флешку перестанет кидать. А следующий вопрос - до какого напряжения флешка уже закинутую страницу сможет корректно сохранить.

>>>>Весь вопрос - с какого напряжения проц во флешку перестанет кидать

На этот вопрос ответ есть в даташите - посмотрите когда модуль отключается по минимальному напряжению на аккумуляторе...

Не факт, что при снижении VBAT ниже 3,4В, все процессы в модуле останавливаются (попытка дописать FLASH). То, что модуль перестает работать со своим интерфейсом, еще ни о чем не говорит...

Кстати, прочитав сообщение в соседней теме подумал, а как будет влиять присустствие напряжения на входах модуля при пропадании VBAT?
Может его присутствие останавливает потерю прошивки? Или наоборот, помогает потерять?
У меня уже несколько сотен устройств с SST памятью, постоянно играюсь отключением питания, но все живые. Или наличие 2200 мкФ по питанию играют положительную роль?

Ничего подобного, есть разные ионисторы...
Вот читаем мат часть http://www.compitech.ru/html.cgi/arhiv/02_02/stat_8.htm
Тут другое нужно учесть, модуль может потреблять 2Вт и выключение(разрегистрация в сети) может длиться 8сек. При этом напряжение за эти 8сек возможного выключения, должно просеть не менее чем до 3,4В, получается 4,2В-3,4В=0,8В
Возьмем например этот ионистор B49100B1104Q000 http://www.dialelectrolux.ru/components/ca...ultracap/single он 10фарад но 2,3В значит нужно два и последовательно включить получаем сборку на 5фарад 4,6В
Энергию можно подсчитать С*(U^2)/2
5*(0,8*0,8)/2=1,6Дж или 1,6 Вт*с и все ... и если модуль кушает 2Вт то хватит на 1,6/2=0,8сек и после 0,8сек напряжение на ионисторе станет меньше 3,4В.
Теперь обратная задачка, модуль кушает 2Вт и работать должен 8 сек, при этом напряжение должно меняться с 4,2В...3,4В. Модулю нужно энергии 2Вт*8сек=16Дж и напряжение должно измениться на 0,8В, получается 50фарад!!!
так что... ионисторы то есть но я думаю и их не хватит.

Как я понимаю задачу - нужно обеспечить такую кривую спадания напряжения, чтоб в модуле успел сработать brown-out. Все зависит от того, как часто модуль смотрит на напряжение питания, и как долго потом завершает свои действия с Flash.

Что за детские болезни? Совершенно не понятно причем тут байтами запись и блоками запись...
По всей видимости может быть два варианта событий:
1)Модуль выполняет при включении инициализацию переферии, загружает синтезаторы, таблицы инициализации ну все такое... и настройки он читает из SST и при этом он не выполняет их проверку НА РЕАЛИЗУЕМОСТЬ типа y=a/b , а «b» берёт из памяти SST и не проверяет на ноль (ну это к примеру), при этом у него что то глючит и он не может корректно что то сконфигурировать и в результате он просто виснет на этапе конфигурирования переферии. Лечиться все это проверкой на РЕАЛИЗУЕМОСТЬ при этом если значения не подходят, то происходит восстановление заводских значений (во всех док-тах они отмечены как «default»), заводские значения должны храниться вместе с программой (прошивкой) в отдельном программном сегменте памяти SST, но об этом в пункте 2)
2)Слетает действительно программа (прошивка), но тогда вопрос китайцам ОНИ ЧТО ОПИСАНИЕ НЕ ЧИТАЮТ на память SST? У любой памяти есть защита страниц от записи в том числе и в памяти SST, можно защитить сегмент памяти от случайной записи, защита на уровне страниц. Защита страниц от случайной записи ДЕЛАЕТСЯ ИМЕЕНО ДЛЯ ПРЕДОТВРАЩЕНИЯ стирания особо важной информации, которая не должна часто переписываться (прошивка, калибровка и т.д.), конечно переписать её можно, но только не случайным образом ... для этого нужно сперва снять защиту на ДАННУЮ СТРАНИЦУ, а потом писать её....

Подведем итог...
Стирание настроек в памяти конечно возможно, но при этом все вполне поправимо, так работают абсолютно все, нужно просто проверять сперва эти настройки на реализуемость. Стирание программы (прошивки) это просто корявость использования памяти! И винить пользователей (интеграторов), что вроде как ничего страшного ставьте Li-ion и все будет в порядке ... да это просто издевательство! Ну вопервых и температурный диапазон изделия уже не тот станет много там чего... да и где гарантии что на всем этапе эксплуатации модуля не возникнет проблемная ситуация с зависанием?....
Одним словом китайцам нужно решить эти проблемы иначе применять их модули будут все меньше и меньше...

Читаем релизнотес для прошивок в таблице исправлений.

Для SIM300D пункт 21

Для SIM300 пункт 15

Ну и остальные исправления тоже......

А где прошивку взять Для SIM300, очень интересует пункт 15

Надеемся эта проблема устранена?



Что за детские болезни? Совершенно не понятно причем тут байтами запись и блоками запись...
По всей видимости может быть два варианта событий:
1)Модуль выполняет при включении инициализацию переферии, загружает синтезаторы, таблицы инициализации ну все такое... и настройки он читает из SST и при этом он не выполняет их проверку НА РЕАЛИЗУЕМОСТЬ типа y=a/b , а «b» берёт из памяти SST и не проверяет на ноль (ну это к примеру), при этом у него что то глючит и он не может корректно что то сконфигурировать и в результате он просто виснет на этапе конфигурирования переферии. Лечиться все это проверкой на РЕАЛИЗУЕМОСТЬ при этом если значения не подходят, то происходит восстановление заводских значений (во всех док-тах они отмечены как «default»), заводские значения должны храниться вместе с программой (прошивкой) в отдельном программном сегменте памяти SST, но об этом в пункте 2)
2)Слетает действительно программа (прошивка), но тогда вопрос китайцам ОНИ ЧТО ОПИСАНИЕ НЕ ЧИТАЮТ на память SST? У любой памяти есть защита страниц от записи в том числе и в памяти SST, можно защитить сегмент памяти от случайной записи, защита на уровне страниц. Защита страниц от случайной записи ДЕЛАЕТСЯ ИМЕЕНО ДЛЯ ПРЕДОТВРАЩЕНИЯ стирания особо важной информации, которая не должна часто переписываться (прошивка, калибровка и т.д.), конечно переписать её можно, но только не случайным образом ... для этого нужно сперва снять защиту на ДАННУЮ СТРАНИЦУ, а потом писать её....

Подведем итог...
Стирание настроек в памяти конечно возможно, но при этом все вполне поправимо, так работают абсолютно все, нужно просто проверять сперва эти настройки на реализуемость. Стирание программы (прошивки) это просто корявость использования памяти! И винить пользователей (интеграторов), что вроде как ничего страшного ставьте Li-ion и все будет в порядке ... да это просто издевательство! Ну вопервых и температурный диапазон изделия уже не тот станет много там чего... да и где гарантии что на всем этапе эксплуатации модуля не возникнет проблемная ситуация с зависанием?....
Одним словом китайцам нужно решить эти проблемы иначе применять их модули будут все меньше и меньше...

Прошивки спрашивайте по месту приобретения модулей.....

У нас для 300D 15-версия есть в наличии, а для 300 19-версию ожидаем.

подскажите, где можно найти утилитку восстановления для sim300d service tools. пока еще не слетала, но почитав форум, решил, что вполне может это случиться. а саму прогу сходу не найти. flash update tool v1.10 нашел, но подозреваю, что служебная инфа тоже может стереться. а модуль на отладку один.

Я отовариваюсь в беспроводке, территориально очень удобно и вообще вроде ничего до тех пор пока не задаешь чисто технические вопросы... там наступает клинч, поэтому у Вас CADiLO можно как-нибудь бы заполучить для 300D 15-версию. Как-нибудь сюда или на alex_sokolov@pisem.net
Очень актуален (RN пункт21) add some protects to flash т.к. у нас зимой очень холодно и литийион просто дохнет.
Заранее большое спасибо.

2 CADiLO
Полагаю, наименование в прайсе - SIM300Z-B14, это безсвинцовый SIM300 с 14-ой версией прошивки?