Есть такая вот задача. Собрать усилительный каскад на 2Т979А. Обычно моделирую согласующие цепи в MWO по s-параметрам. Но, к сожалению, в данном случае s-параметры взять неоткуда. Зато в справочнике есть эквивалентная схема транзистора. Если исправить некоторые недочёты типа закороченного сопротивления коллектора и (кажется) небольшой опечатки в выражении для источника тока, то схема вроде бы похожа на правду
Но можно ли как-нибудь попроще преобразовать её в двухполюсник, чтобы получить его s-параметры? Или, может быть, есть какой-то другой подход?
Вопрос, может быть, чайниковский, но...

Ну скажем это не СВЧ,можно загнать схему в подходящий софт и получить к примеру Y параметры или S,
по желанию.Хотя не уверен ,что получиться адекватный результат, там генератор тока присутсвует, частотно
зависимый,муторно быдет.Хотя ,на то он генератор тока ,что можно не учитывать

В принципе, мне нужна только одна частота, так что муторность чуть уменьшается)
А какой софт может это сделать?

По малосигнальным S-параметрам моделировать согласующие цепи корректно только для линейных усилителей в классе А. А 2Т979 - мощный транзистор для класса B, если не ошибаюсь. Для нелинейных усилителей S-параметры годятся лишь для приблизительной оценки устойчивости транзистора. Так что для более-менее точного моделирования надо иметь транзистор, fixture (тестовая плата с цепями согласования, куда устанавливается транзистор) и соотв. измериловка. Методика измерений разработана Motorola лет двадцать назад, почитайте их application notes.
В конечном итоге получите набор входных и выходных сопротивлений транзистора (Zin и Zout) на разных частотах (в вашем случае еще проще - на одной частоте). По сопротивлениям можно более менее точно посчитать согласующие цепи - и узкополосные и широкополосные. Удачи!
P.S. Мне только одно непонятно, зачем связываться с ВЧ биполярными отечественными транзисторами. Уж горя с ними я нахлебался (особенно с общей базой - 2Т937Б, 2Т989Е) - возбуждаются, и гистерезисы ЧХ имеют и обвязка с управлением солидная. Лучше возьмите импортный полевик - технологий LDMOS или GaAs. Гораздо более стабильные, без гистерезисов, управляемые простейшим резистивным делителем в цепи затвора. LDMOS правда имеют особенность - ток покоя ползет вверх с прогревом транзистора.
А ВЧ биполярные транззисторы ставить лучше в начальных маломощных каскадах. Во всем цивилизованном мире оконечные каскады делают на полевиках. А на нашей оборонке - все по старинке, биполярники, возбуды, выход оконечных каскадов передатчиков из строя, срыв заказов, всеобщая истерика и т.д.

Согласен, этот транзистор, да еще и с общей базой, не очень хороший выбор, мягко говоря. Если бы он был без внутренних цепей согласования, то тогда можно было бы легко оценить входное сопротивление по сопротивлению базы, а коллекторную емкость считать выходной емкости транзистора. Но здесь и на входе и на выходе имеется двыхкаскадное согласование. Емкость С3 выглядит большой, но поскольку транзистор рассчитан на работу в полосе 0.7-1.4 ГГц при напряжении 28 В в непрерывном режиме и 35-40 В в импульсном режиме на явно на большую мощность, то наверное так и должно быть. В принципе зарубежные LDMOS транзисторы сейчас могут обеспечить большие мощности до 2 ГГц. Но если другого выхода нет, то тогда хотя бы надо знать на какую номинальную мощность он рассчитан (отсюда эквивалентное выходное сопротивление, реактивность тогда скомпенсирована), а вход считать настроенным на примерно 1 Ом или что-то вроде этого и тоже считать скомпенсированной внутреннюю реактивность. Тогда в качестве входной и выходной реактивностей надо учитывать только индуктивности выводов L3 и L7.

Да, ситуация знакомая...

Здесь пока просто нужно посмотреть, возможно ли из него вытянуть 60 ватт на 900 МГц или нет. По справочным данным можно до 70... Изделие будет штучное, никаких больших серий, а транзисторы без дела пропадают. Новые, и из относительно приличной партии, как показала практика. Обвязки никакой, кроме резистора в эмиттере на корпус, не нужно. Готовый предварительный каскад уже есть.



Это понятно. Мы в основном их и применяем, только на другие диапазоны. Этот вариант тоже рассматривается, просто под рукой таких транзисторов сейчас нет. А 2Т979А есть)



Спасибо за обстоятельный ответ! Короче говоря, на входе оставляю L3 последовательно с активным сопротивлением 1 Ом, а на выходе - L7 последовательно с активным сопротивлением, равным эквивалентному выходному?

В принципе, у меня есть и такая мысль: набрать всю эту схему в MWO, выкинуть генератор тока и просто тупо настраивать по минимуму КСВ на входе и выходе. Но опять же возникает вопрос, насколько корректным получится результат. И с сопротивлением эмиттера не всё ясно.

Вообще-то мне непонятно, как вы собираетсь что-либо симулировать в MWO, поскольку надо иметь либо S-параметры, либо нелинейная модель транзистора, которая подразумевает, по крайней мере, описание источника тока, то есть задание вольт-амперной характеристики как функции напряжения на входе и выходе, также бы желательно и описание изменения коллекторной и эмиттерной емкостей. Ведь при изменении смещения будут меняться параметры транзистора, что будет соответственно отражаться в изменении входного и выходного импедансов. Кроме того, входной импеданс будет зависеть от выходной нагрузки через емкость коллектор-эмиттер, а в номинальном режиме транзистор будет работать в нелинейном режиме. То есть в малосигнальном режиме вы можете разве что установить потенциальные области неустойчивости транзистора.

Поэтому, ничего другого как взять, вырезать плату и экспериментально настраивать схему с учетом оценочных величин входного и выходного импедансов не остается. Собственно говоря, это была типичная практика проектирования прошлых лет, и ничего, 900 МГц не столь уж высокая частота, хотя и здесь надо быть аккуратным. Только надо постараться выбрать элементы цепей смещения таким образом, чтобы по возможности минимизировать возможность паразитного возбуждения. И отдельно рассчитать входную и выходную согласующие цепи, вот это как раз и нужно в MWO с возможностью подстройки. При согласовании на входе надо вогнать всю внутреннюю согласующую цепь L1, L2, C1, C2 и на ее конце расположить последовательно С3, Lб и (rб + дельта r). При выходном согласовании нужно также поместить всю внутреннюю согласующую цепь (начиная с С3 и L5), на входе которой будет параллельное соединение выходного сопротивления Rвых = (Eпит)^2/(2Pвых) (в классе В) и суммарной емкости (Ск1 + Ск2 + Скэ). Ну а затем уже подстраивать экспериментально.