Добрый день!
У меня возникла следующая проблема. Необходимо подобрать значение spice-параметров BSIM4 модели на основание результатов моделирования в иной программе расчета характеристик прибора (ATLAS от Silvaco). Для начала выбрал всего 2 характеристики: Id(Vg) и Id(Vd)|Vg=const. Конструктивно-технологические параметры (TOX, NSUB, XJ, LD) взял из программы в которой получаю “экспериментальные” характеристики.
Проблема заключается в том, при настройке модели (зависимость Id(Vd)|Vg=const) область пробоя, следующая за областью насыщения наступает значительно раньше, чем в “экспериментальной” характеристике при том, что Id(Vg) совпадают. Область пробоя начинается ~ с 2,5 V.
Какие параметры трогать? Как сделать, чтобы в моделируемом диапозоне пробой не наступал, не изменяя конструктивно-технологические параметры?
Заранее благодарен.

Моделирую в ngspice

*.cir:
MOS OUTPUT CHARACTERISTICS

VCC 1 0 DC 1V
VG 2 0 DC 0.5V
VB 3 0 0.01V
VD 4 0 0.01V

* D G S B
M1 4 2 1 3 atlas L=1U W=0.4U
*L=1U W=0.4U

.include spicelib.slb

.DC VCC 0 5 .1
.PRINT DC I(VCC)
.END

spicelib.slb:
.model atlas NMOS LEVEL = 14 TOX=9.50934e-09 XJ=1.77573e-07 NSUB=9.12281e+16 LD=8.00318e-08
+VTH0=0.39132 K1=9.33608e-05 K2=7.26945e-06 K3B=249.993

Вообще то параметры пробоя в этой модели ALPHA0, ALPHA1, BETA0, diomod, XJBVS, BVS, но по умолчанию они обычно не включены. Поэтому возможно у Вас моделируется не пробой, а какой-то короткоканальный эффект.
А Вы уверены что здесь вообще нужна эта субмикронная модель, транзистор то у Вас 1мкм.

да, Вы правы. Спасибо!