..Как-то не доводилось раньше параллелить IGBT.
Сейчас рассматривается вариант построения силового модуля на 60 транзисторах, типа IRGPS60B120K. Поэтому есть наивные вопросы по структуре самодельного драйвера.

Как управлять затворами:

1. Объединить все затворы (через резисторы) на один общий выход.
Но, такой выход должен быть способен выдать 60..300 А за доли микросекунды.

2. Объединять группами.

3. Каждому затвору – персональный драйвер.
Но, не возникнет ли временнОго рассогласования в драйверах, ведь, собственно, время включения/выключения транзистора достаточно мало. А если оно возникнет, понятно, транзисторы «вылетят». Этот вопрос актуален и для пункта 2.

4. Может быть, на каждый затвор – мощный выходной каскад, а уже эти каскады получают управляющий сигнал от одного общего источника?

Как, вообще, принято делать такие штуки?

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Затворы подключают к одному (мощному) источнику через персональные резисторы

[quote name='Wise' date='Apr 3 2008, 03:02' post='390309']
Но, не возникнет ли временнОго рассогласования в драйверах, ведь, собственно, время включения/выключения транзистора достаточно мало. А если оно возникнет, понятно, транзисторы «вылетят». Этот вопрос актуален и для пункта 2.

Однако и транзисторы идеально не согласованы друг с другом по всем характеристикам, включая и временные. Так что проблема шире драйверов. Или в этой части все учтено?

http://semicron.ru/applica_help/ru/3_6_3_3-3_7_1_3.pdf

60 штук в параллель - впечатляет.
По DS они заточены под "easy paralleling", но, думается, что для топологии этого вавилонского чуда Вам надо выбрать радиальное размещение транзисторов. ИМХО.

Тут проще от обратного - как не принято делать такие штуки. Так вот набирать ключ из 60 транзисторов оч. сильно не принято. И явно не потому, что никому до вас это не приходило в голову. Что-то с самой задачей у вас не то, если она требует таких абсурдных решений.
А принято разбивать дэвайс на параллельные секции/блоки, в каждом из них свой силовой трансформатор или дроссель, не знаю что там у вас, возможно в каждом из них свой, по крайней мере самый "нижний" контур регулирования. И в каждом из них ключи из 3-4 транзисторов, желательно не более.

Добавить ещё 4 и можно использовать "Y" делители. Только 6 уровней деления будет явным признаком ненормальности решения.

Используйте другой более мощный модуль. Количество корпусов уменьшится - такое решение сразу же сделает вашу конструкцию намного красивее и компактнее. Такие модули есть у IR,Семикрона и Мицубиси.
В итоге может получится нормальная конструкция из нескольких модулей на одном радиаторе с нормальным монтажем посредством шин.
По поводу объединения затворов. Затворы IGBT конечно же объединяеются через индивидуальные резисторы, но в вашем случае я думаю необходимо использовать индивидуальные драйвера для каждого модуля. С выходным импульсным током от 2 до 5 А я думаю вас вполне должно устроить.
При паралельном соединениии IGBT в вашем случае нет необходимости в гальванической развязке управлюящих сигналов, поэтому разница в задержке распространения сигналов через драйвера будет несущественной по сравнению с временем коммутации IGBT.

А куда оно подключается? Если оно работает к примеру на индуктивность, то лучше всего и индуктивностей сделать 60 штук.

Диод должен быть быстрым, по возможности с малым падением напряжения. И держать импульс тока естественно. Также обратите особое внимание на минимальную индуктивность диодной RC цепи

Wise, что-бы разговор был более предметным привели бы параметры схемы и "кандидатов".