Случайно наткнулся на описания микросхем псевдо-статической памяти. (Samsung)
Микросхема динамической памяти имеет интерфейс микросхемы статической памяти.
Вопросы регенерации берёт на себя.

Работал кто с подобными вещами ?
Какие могут быть подводные камни ?
С первого взгляда - удачное решение - простой интерфейс, минимизация ресурсов ПЛИС для работы с внешней памятью (не нужно использовать контроллер DRAM).

Удобно, только выбирать надо исходя из специфики приложения.
Основной недостаток - узкая направленность на мобильный сегмент:низкое питание и нет 32х.
Весьма удобная штука на самом деле, в piplined и burst режимах может потягаться с обычной sdr памятью)

Смотря с чем сравнивать.
Корпус у м/с UtRAM - BGA vs SOP/TSSOP|SOJ у High Speed (HS) или Low Power (LP) Async SRAM,
быстродействие 70ns vs 8-10ns у HS и 55-70ns у LP SRAM,
потребление 35-40mA vs 60-90mA у HS и 25-35mA у LP SRAM, а в стендбае 220-440uA vs 2-5uA у LP SRAM,
отсутствие 5В кристаллов (только 1,8В и 3,0В версии),
куча кристаллов UtRAM, помеченных EOL, это для вас камни надводные надо полагать?
В общем скачайте даташиты да и сравните сами.
http://www.samsung.com/global/business/sem...s/Products.html

Вообще это IMHO называется RLDRAM. Подводных камней - никаких, один только надводный: цена.