Здравствуйте!
Кто занимался оценкой потерь на переключения в мощных полевиках с изолированным затвором ?
Если нагрузка индуктивно-активная. Есть ли более простые способы расчета дабы не углублятья в сложные расчеты.?

Более простые рассчёты дают более приблизительные результаты. Соответственно, более точные - сложнее. Вам-то какие надо, кто может знать?
Покопайтесь на сайте International Rectifier, будет полезно. В двух словах, потери на переключения состоят из динамических (собственно на переключение) и статических (связанных с сопротивлением канала). Динамические зависят от частоты переключений и длительностей открытия/закрытия канала. В свою очередь, последнее зависит от ёмкости затвора и от драйвера. Со статическими проще.

Прикидочно для однотактной (индуктивная нагрузка) схемы оцениваю так:
Psw=[V*Imax*D*Ton*F]/6
- V - напряжение питания
- Imax - максимальный ток стока
- D - коэф. заполнения
- Ton - время включения
- F - частота управления

Вы наверно про эту аппликуху намекали?
Эта формула имеет весьма слабое отношение к величине динамических потерь MOSFET.

Разобрался малость по этой теме. Но появились другие вопросы...
Имею некую М/С драйвер для управления транзистора, на затвор транзистора поступают прямоуг. импульсы с частотой 110 кГц, в описании указано: время нараст. имп. trise = 45 нс, и спада tfall = 45 нс.
(опять же при емкостной нагр. 500 пкФ). Т.е. при емкости затвора 500 пкФ. Заряд затвора можно узнать из описания на транзистор, например 35нК. Зная заряд затвора, сопротивление (выходное) М/С драйвера, и напряжение на затворе определяю tвкл.
Далее, схема однотактная с индукт. нагрузкой, по известной формуле (Семенов Б.Ю Силовая электроника.. стр. 90) считаю мощность потерь на переключение. только получается очень она низкая, что расходится с экспериментом.
Соответственно возникают вопросы:
-как определить скважность импульсов поступающих на затвор ?
-Выходное сопротивление драйвера уравления определил как отношение Макс. импульса выходного напряжения к максимальному выходному/входному току, правильно или нет ?
-не совсем понятно как определяется полный заряд затвора mosfet-транзистора (там есть пологая часть, при постоянном напряжении на затворе - заряд изменяется значительно) какую величину взять при расчетах ?

Да, но не только. Вот ещё, например...Нажмите для просмотра прикрепленного файла хоть, вроде и о другом...

1. Это у Вас должно быть задано. Т.е. Dmax для наихудшей оценки тепловыделения.
2. Имхо, правильно
3. Полный заряд смотрите в даташите Total Gate Charge

Stanislav, а какое выражение вы используете чтобы вычислить Ton ?

Я это время включения пересчитал, и получилось оно больно малое ~ 382 нс.

Может подскажете какой нибудь MOSFET с зарядом затвора не более 25 нК, для напряжения 400-500 В ?

Почитайте вот здесь: http://www.bludger.narod.ru/smps/FETsCntr.pdf
Это перевод топика из юнитродовских семинаров, там подробно описаны процессы переключения полевиков, и как эти самые полевики драйвить

Спасибо за советы и ссылки !
Приступаю к доскональному изучению процессов.

Как будут положительные результаты расчетов - напишу здесь

После изучения сопутствующей литературы, очередной редакции печатной платы, многократных испытаний пришел к более удовлетворительному результату работы схемы путем снижения рабочей частоты переключения - на 50-60% меньше от первоначально задуманной (110 кГц).
Не так сильно нагревается полевой транзистор, НО, теперь уже нагревается микросхема драйвера, что приводит к опасениям, а вдруг не выдержит.
Еще обнаружил очень большой недочет, можно сказать ошибку в разводке платы, чувствительная к помехам цепь затвора пролегает очень близко к цепи стока ПТ, от которого даже на расстоянии 1-5 см в щупе осциллографа наводятся значительные импульсы. Думаю проблема здесь.

Внутри полевика емкость затвор-сток(20-50 пФ) обычно гораздо больше, чем между дорожками(5-10 пФ). Проблема обычно в земляной дорожке(цепи истока). Силовая и драйверная дорожки должны идти на исток отдельно и соединяться прямо на нем. А то, что у тебя драйвер греется, весьма странно. У меня они никогда не греются. Можешь
1) измерить ток потребления драйвера в рабочем режиме.
2) попробовать погонять аппарат без высоковольтного питания, посмотреть тоже потребляемый ток. Он должен упасть на заряд сток-затвор. Ток должен быть Qg*f, - заряд затвора на частоту. 25 нКл*100 кГц=2,5 мА. Ну и плюс самопотребление драйвера. Оно остается, когда отключишь затвор. В общем, этм током микруху никак не нагреешь.
3)Поставить диод Шоттки с затвора на питание драйвера. Мож., при закрывании полевика через стоковую емкость идет импульс тока, который этот драйвер и греет.
Напряжение питания драйвера - не более 12 В.

Дорожки от драйвера к полевику должны быть короткими, если больше 3-5 см - тянуть скрученным проводом. Монтаж нужен нормальный, блокировка питания драйвера - непосредственно около него. Что касается выбора полевика - выбирается он по сопротивлению канала. Обычно хотят, чтобы при рабочем токе напр. сток-исток было 3-5 В, при питании 200-300 В. А чем мощнее полевик, сопротивление ниже, заряд затвора больше. IRF полевики на букву А имеют заряд меньше. Драйвер уже потом подбирают. Я, напр., часто самодельные использую.

Нажмите для просмотра прикрепленного файлаНажмите для просмотра прикрепленного файла

Не получается приатачить, поглядите slup117, от Техаса Инструмента, там тоже есть расчет потерь

4) Диод шоттки между выходом драйвера и "землей"!

У использованного мною полевика проходная обратная емкость 120 пФ ! Входная вообще - 1300 пФ.
Заменив этот полевик на другой, с проходной емкостью на порядок меньше, и входной тоже, почувствовал огромную разницу: микросхема греется уже слабо, а сам транзистор едва теплый (несмотря на то что у него сопротивление при включении Rds.on от 3,2 до 4 Ом. (к сравнению: предыдущий имел всего 0,85 ом)



Спасибо, попробую замерить. В даташите указана как раз эта формула I(in) = 1,0(мА)+Qg*fsw



Дорожки сделал максимально короткими (3 - 10 мм). Блокировка тоже вроде нормальная.



Сначала подбирал полевики по мощности и малому сопротивлению открытого канала, не уделяя внимания на заряд, теперь понял что частотные свойства очень важны.
Как правильно измерить входную и проходую емкости тр-ра? Вдруг пиратские транзисторы попались.

Прилагаю скриншоты осцилла, где сняты фронт, спад, и внешний вид управляющих импульсов
затвора.
На фронте импульса заметен некий всплеск напряжения ( примерно на половине высоты), раньше он был в виде "ступеньки", а с другим тран-м приобрел такую форму..

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

это не всплеск, это тот самый миллер