Bez problem mozhno sdelat DDR2 IO na 0.18 processe. Daze v novih processah (<90nm) DDR2 IO obychno delayut iz 0.18 transistorov (vtoroy okdsid, ili second/thick gate oxide). Izvinite yesli ya ploho po Russki.
DDR2 rabotaet na 1.8V, sto kak raz podhodit 0.18 transistoram. Nada budet sdelat:
1. Single ended address, command pady na 266MHz operaciu
2. Single ended data padi, na 533MHz operaciu (izza DDR rezhima)
3. Differential DQS (strobe) i clock pady
4. DLL (delay locked loop) shtobi sdvigat vhodyashie stoby (DQS linii na 1/4 clock cycle-a)
V obshem, ochen mnogo raboti. V TSMC uze yest takie pady, kak i u mnogih drugih IP kompaniy.
K tomu ze, trudno testirovat/otlazhivat DDR2 interface. Yesli yest denygi, pokupay gotoviy.
Цитата(ssVss-work @ Jul 24 2008, 17:55)

можете в принципе сделать отдельно схему на питание 1,8В и подключить ее через аналоговый пад, но так конечно же будет кривее, чем если бы был готовый пад.
скорее всего у фабрики уже есть готовые библиотеки спец падов для DDR, но за доп плату. так что как всегда - либо делать самим, либо платить