День добрый.
Исследую транзистор NEC NE3210 (супер малошумящий)
схема включения следующая:

на входе и выходе 50 ом, и питающие цепи. пытался измерить S-параметры.
Питание подается сразу с источников питания (-0.9в, 2в. умных keitley). Нет никаких цепей ООС, ПОС, резисторов и тп.

Обнаружил что со временем, при const Uпит, ток стока растет. Если напряжение на затворе делаю =0 (замыкаю пинцетом или крутилкой быстро скручиваю и обратно закручиваю) восстанавливаю р.т. - Ток стока приходит в норму, а через некоторое время опять начинает расти. Снимал ВАХ - в норме (но чуть раньше начинает открываться на входной вах) ВАХ снимал в автоматическом режиме время измерения 3-5 сек.

Господа Вы когданибудь сталкивались с таким? Такое ощущение что обратный ток сток-затвор накапливает заряд гдето и открывает транзистор, но при изменении напряжения этот заряд рассасывается.

А какой ток течет через транзистор и не нагревается ли транзистор со временем?

Схемку измерения в картинках приведите пжлст.
Чем меряете С-параметры?
Если означает подключенные резисторы - то они тама не нужны.

Прикрепил 2 файла с печатью и вахами (кстати завал ВАХ это начинает работать ограничение по току источника, это нормально)
слова - "на входе и выходе 50 Ом" следует читать так -"ко входу и выходу подключены цепи с 50 Омным сопротивлением, цепей согласования нет"


1. Устанавливаю ток транзистора 10 мА (напряж 2В и около -0,9 ), ток растет до уровня 45...47мА и далее. На ВАХ напряжение открытия немного раньше, но при быстром включении = -0,9; 2.
2. Транзистор вроде не греется, гудежа тоже не видел как при подключеной к входу нагрузкой как и с подключеной линией в диапазоне 10МГц...26ГГц

Линия PNA-L N5230. смотрю как при включеном генераторе так и при выключеном.
Анализатор Е4440.

Нажмите для просмотра прикрепленного файла .

крайне тонкое это дело замерять S параметры, скорее всего он генерит так можно снять ложные
параметры, такое наблюдается иногда...

Сегодня принесли новый транзистор. И о чудо заработало.
Выводы которые мы сделали: возможно обрыв в цепи затвора и тогда на затворе получился разделительный конденсатор. При включении скачек напряжения проходит, но потом обратный ток затвора начинает поднимать потенциал до напряжения 2В - вот транзистор и открывается. Гудежа так и не нашли.

Тоже заказали данный транзистор. Скоро будем исследовать. Не поделитесь схемой макета, на котором исселедовали?

Что-то подобное я видел на тразисторе EPA160a-100p, когда мерял Idss. Затвор залепил индием на землю, максимально близко к корпусу,
а он о чудо! загенерил,мощемер даже мощность показал.
Пришлось перемерять, отключив все цепи, свободные полоски.

ЗЫ. Если Вы думаете, что на своей плате изолировали по СВЧ Л\4 полосками транзистор,то это заблуждение.
Я склоняюсь к тому, что у Вас транзистор скорее всего генерирует на той частоте, где Л\4 не работают.

Транзистор очень хороший и возбуждаться может вплоть до очень высоких частот.
Если не принять мер по устранению самовозбуждения, то коректрно померить режимы по постоянному току будет невозможно.
И воообще зачем мерить S параметры транзистора если они обмеряны производителем и доступны в интернете. Кроме того на такой плате S- параметры транзистора не измерите.

Вы кто??

Дополню вопрос - Вы почему???

Согласен, что есть недостатки: Например оч. неправильно расчитан коакс-полоск переход, такие большие лепешки на входе и выходе не очень. Но это мы уже в процессе работы отлаживаем.

Уже несколько транзисторов смотрели а признаков гудежа невидели ни у одного. Первый транзистор был дохлый (Мы замечали что достаточно посмотреть ОТК на прибор и в нем выгорает до 3-х микросхем, видимо уже посмотрели).

- Почему измерить S-параметры неполучится? Какие ошибки вы видите?, и как Вы рекомендуете исправить эти замечания. а то каждый может кричать все что попало. А про ЕРА160 это вы зря сравниваете транзисторы, вы же никогда ни сравниваете огурец и облако. ЕРА160 у Вас загудел т.к. сопротивление затвора на низких частотах отрицательное и усиление оч. большое. Там без цепей согласования никак. Кстати при калибровке цепи согласования из расчета s-параметров исключатся. А еще я видел в описании когда откалибровать уже не возможно но ты знаеш параметры согласующих цепей то ты их тоже можеш удалить подключив файл s2p в сам прибор.

- А про необходимость измерения s-параметров. В жизни бывают всякие задачи. например: на NEC есть пераметры а на советские нет, и что тогда?

На графике устойчивости видно, что транзистор условно устойчив K<1. Это означает что при определенном КСВ по входу\выходу транзистор может загенерировать.

Повторюсь еще раз, вы нарисовали на топологии Л\4 развязки , так вот они работают в весьма узкой полосе по отношению к диапазону частот где транзистор усиливает.
Вам для корректных измерений S-параметров плату надо доработать. Впрочем это только мои предположения,подобных измерений я не проводил по причине отсутствия у нас анализатора цепей.

Если цель просто померить S-параметры транзистора как такового (или проверить S-параметры, данные изготовителем), то естественно влияние цепей смещения и питания должно быть минимизировано во всем частотном диапазоне, чтобы иметь представление, в каких рабочих диапазонах транзистор может возбуждаться (правда, надо следить, чтобы возможные возбуждения не влияли на режим по постоянному току). Но если нужна информация только о его входном и выходном импедансах в рабочем диапазоне (в рабочем частотном диапазоне коэффициент устойчивости цепи К должен быть существенно больше единицы, иначе на значения имедансов будет иметь сильное влияние эффект обратной связи и их значения будут некорректными), то возможно и использование четвертьволновых линий (полоса порядка 20% и предполагается, что они сохранятся и в окончательной цепи), но в дальнейшем надо иметь ввиду, что в тех частотных диапазонах, где К < 1, надо принять меры по стабилизации. Хотя в любом случае введение согласующих цепей изменит всю эту картину: просто на основе предыдущей информации эти цепи нужны выбирать такими, чтобы предотвратить неустойчивость в окончательном решении, обеспечивая К > 1 во всем частотном диапазоне (например, низко- или высокочастотные согласующие звенья, которые на основной частоте обеспечивают то же самое согласование импедансов, однако на низких и высоких имеют существенно различные импедансы).

Помогите правильно измерить:
1. Про устойчивость - общие слова. Признаков гудежа при измерениях нами обнаружено небыло во всем доступном диапазоне частот как с пассивной нагрузкой так и с подключеным генератором линии. Расчет устойчивости не проводили, да и поздно уже это делать. Какие признаки неустойчивости мы должны увидеть? Ids-const=ном. во всех условиях, Гармоник нет - 10М...26ГГц, транзисторы не вылетают.
2. Про Л\4 развязки - мне не надо получить при измерениях минимальные шумы при максимальном усилении, как это обычно требуется, мне нужны s-параметры. В данном случае мы хотели использовать индуктивный характер подводящих проводников но на низкой частоте конечно Л\4.
При измерении мы проводим калибровку линии устанавливая "плоскость калибровки" на транзисторе (а не на ECAL модуле), замыкая КП и устанавливая LOAD прям на КП, тем самым мы исключаем из расчета подводящие цепи!!!!!!!! Но конечно перед проведением измерения мы анализируем качество тестовой платы, измеряем КСВ и потери у самой тестовой платы, максимально настраиваем во всем диапазоне, тем самым мы можем гарантировать правильность измерения.
Если на измерение параметров влияет индуктивность цепей питания в диапазоне не Л\4 как приборами измерить пределы правильных измерений?

Я опять чтото неправильно понял?

1. Про устойчивость. Если вы под гармониками понимаете всякие возможные компоненты в указанном вами спектре (это обычно называется spurious), то возможно, что в этом диапазоне у вас ничего и нет, хотя надо также внимательно смотреть на общий шумовой уровень, поскольку при возможности потенциальной неустойчивости (К < 1) в определенном частотном диапазоне (имеется ввиду, что схема может возбудиться при каких-нибудь небольших изменениях ее параметров или условий внешней среды), он там может быть слегка приподнят. Однако, надо иметь ввиду, что возможны и низкочастотные возбуждения ниже 10 МГц. Но это при измерениях отдельного транзистора, поскольку в реальной цепи при включении дополнительных реактивных элементов (согласующих цепей, например), они могут вносить свой негативный вклад в возникновение автоколебаний за счет изменения условий самовозбуждения внешними элементами (не забывайте, что транзистор имеет внутреннюю обратную связь за счет емкости база-коллектор/затвор-сток или общей индуктивности эмиттера/стока). С другой стороны, зачем вам измерение S-параметров транзистора во всем диапазоне частот, вы же их не разрабатываете, а используете для создания конкретных цепей (если, конечно, не собираетесь создавать его нелинейную модель, но это дело серьезное)? Мне представляется, что вам надо просто померять входной и выходной импедансы транзистора, трансформировав измеренные S-параметры в рабочем диапазоне частот в Z- или Y-параметры, а уж затем исследовать устойчивость по параметру К всей схемы и во все частотном диапазоне.

2. Что касается четвертьволновых линий, то они узкополосны и имеют периодические характеристики (ХХ на первой и нечетных гармониках и КЗ на второй и четных гармониках), а на более низких частотах их индуктивное сопротивление существенно уменьшается согласно Zo*tan(teta). Поэтому и получается, что реально S-параметры транзистора вы меряете только в узкой полосе в районе первой гармоники, а в остальных случаях - это уже S-параметры схемы, которая включает как транзистор, так и четвертьволновую линию. Поэтому для измерений S-параметров только транзистора, надо либо откалибровать всю схему без транзистора во всем частотном диапазоне, либо использовать дроссель (или систему дросселей), имеющего существенно большее сопротивление по сравнению с импедансами транзистора, когда его эффект пренебрежимо мал.