Что больше не пущает поставить в ATmega большой EEPROM вместо FLASH
1) высокая стоимость изготовления 2) большая площадь кристалла 3) сложность технологии 4) еще что-то

Вопрос конечно интересный... для разработчиков ATmega . Лично я считаю, (ИМХО!) что данные величины обьемов памяти получаются в результате статистических расчетов. Тут наверное рассматриваются соотношения ресурсов исходя из задач на которые ориентирован МК. Например, если известно, что 90% прикладных задач требуют 70-120кБайт памяти программ, 2-4 кБ ОЗУ, и столько же EEPROM для констант, то какой смысл делать EEPROM больше ? Если будет достаточно большое количество задач, где надобно EEPROM побольше, то не волнуйтесь - сделают! (пока место на кристале не закончится)!

Сначала программная память (когда-то) писалась однократно ПЕРЕЖИГАНИЕМ проводящих перемычек в кристалле (размеры!).
Потом насобачились стирать ультрафиолетом (Стоимость кварцевого окна в корпусе!!).
Потом насобачились стирать (но все сразу) электрически - EEPROM.
Потом придумали FLASH - очевидно и размер меньше и стоимость, раз пожертвовали многократностью перезаписи. Но EEPROM оказался НУЖЕН для МНОГОКРАТНЫХ перезаписей. Пришлось его ТЕРПЕТЬ.
ATMEL где-то близко сидела к разработчикам Флаша, поэтому и "всплыла" со своими контроллерами, а PIC неумолимо канает Сами понимаете - "неродные" FLASH-разработчикам платят дороже за удовольствие применять.
Сейчас вовсю "всплывает" FRAM - скорость программирования (записи/чтения) 70нс (А не "сек"), размер ячейки еще меньше, чем у ФЛАШа, число перезаписей - неограничено
Так что кто-то сделает с ATMELом то, что она с PICом.

Насчет FRAM - что-то не видно ее больших объемов. Сотни килобит, но не более. К тому же у FRAM есть один технологический недостаток перед EEPROM и FLASH - необходимость регенерации ячеек памяти при чтении. Хотя число циклов чтения без регенерации довольно велико...

PS: Для некоторых своих изделий RAMTRON приводит максимальное число циклов чтения/записи, для других говорит, что предела нет. Это тоже заставляет задуматься.

Это зависит от напряжения питания, в 5В приборах число циклов ограничено, в 3.3В - нет.

Согласен, на основе имеющихся данных можно сделать вывод, что этот параметр зависит от напряжения. Однако я, если честно, не могу понять причин связи между числом циклов перезаписи и напряжением питания. Ведь, если я правильно понимаю, то изменение напряжения питания не влияет на основной принцип работы данных схем памяти?

RomanRom

По сути вопроса - время цикла обращения к EEPROM 2-9мс в зависимости от модели авр. У самых скоросных tiny2313 , tiny13 и др. тактовая частота 20 Мгц период 50нс-вот такое время доступа должно быть к памяти программ.Почувствовали разницу?
Конечно EEPROM выигрывает на порядок по количеству циклов перезаписи . Конечно это связано с технологией.Не в тему: есть флеш-накопители в форм факторе винта с теми же разъемами с временем доступа неск микросекунд ну и стоимость соотв.

а что такое ИМХО никак не пойму?

ИМХО - Имею Мнение Хрен Отговоришь

Ну вы тоже! У меня это - некий сленг от общепринятого сетевого IMXO "In My Humble Opinion" (по моему скромному мнению)- поскольку я не претендую на истину в последней инстанции

И EEPROM, и FLASH - это электрически стираемая программируемя ПЗУ, что явно следует из первой аббревиатуры. Слово FLASH ввел в свое время Intel, один из тех, кто стоял у истоков этого. Это было чем-то вроде торговой марки, но термин был бодро подхвачен и получил популярность.

По сути принципиальное отличие EEPROM от FLASH состоит в том, что EEPROM имеет возможность стирания отдельных ячеек, а FLASH - только блоком. Из-за этого ячейка у FLASH более компактная и дешевая. Ресурс и время обращения - это уже частные моменты, они сильно разнятся от производителя к производителю. Например, интеловская флешь 28Fxxx имела ресурс 1е6, а у Атмела в AVR'ах всего 1000 циклов. И у того же Атмела в датафлешах, afair, 50000 до необходимой регенерации, а после нее еще столько же и т.д. А у ТИ в MSP430 типовое количество циклов 1е4.

А время записи ячейки у AVR составляет единицы миллисекунд, а у MSP430 (специально замерял) порядка 125 мкс.

Естественно, что в МК EEPROM стремятся сделать с как можно бОльшим количеством циклов. Для флеши в МК этого просто не нужно.