Собираюсь для мостовой схемы применить сдвоенные MOSFETы в корпусе SO-8, посколько они получаются дешевле.

При изучении характеристик возник вопрос, на который я пока не нашел ответа на сайтах производителей:
если схематически MOSFETы показаны изолированными друг от друга, то там два кристалла в корпусе или две структуры на одном кристалле?

Никаких параметров, которые бы определяли напряжение изоляции между полевиками или допустимое напряжение на разных полевиках, нет ни в одном даташите.

В парочке даташитов от IR (IRF7313) увидел фразу:

В других даташитах и у других производителей об этом вообще ни слова

мостовая хема для IRF7313 будет иметь питание до 30 вольт, иначе транзисторам капут .
это позволяет на 30 вольт разнести и потенциалы стоков, включив транзисторы в верхнее и нижнее плечо. Проблемы нет пмсм, даже если на одном кристалле , что скорее всего.

Да, по крайней мере, можно считать, что структуры изолированы на предельное напряжение сток-исток.

Я сам тоже думаю, что там один кристалл с двумя структурами, но могли бы в даташите хоть как-то это описать. А то везде описания, как на один полевик

Ладно, когда пожгу такой сдвоенный, обязательно разломаю и погляжу, что внутри