Здравствуйте,
Подскажите, как правильно измерить граничную частоту биполярного транзистора (должно быть около 8 ГГц, статическое значение бета около 100)?
Полная версия этой страницы: Измерение граничной частоты транзистора
Форум разработчиков электроники ELECTRONIX.ru > Аналоговая и цифровая техника, прикладная электроника > Rf & Microwave Design
Цитата(Alex_IC @ Jan 28 2009, 20:32) 
Здравствуйте,
Подскажите, как правильно измерить граничную частоту биполярного транзистора (должно быть около 8 ГГц, статическое значение бета около 100)?
Подскажите, как правильно измерить граничную частоту биполярного транзистора (должно быть около 8 ГГц, статическое значение бета около 100)?
померив коэфициент усиления тока - мощности на 1ГГц...
Представляется такая последовательность.
Измерить модуль S21 транзистора до частоты на которой спад составляет -3 дБ (fв). Если считать, что fв равна верхней частоте по уровню -3 дБ для АЧХ усиления по току базы, то граничная частота транзистора Ft (на которой усиление по току базы 1) будет равна произведению fв на статическое усиление по току базы (Bdc). Правильно ли такое допущение или нет, вопрос к участникам форума
Цель измерения Ft заключается в определении параметра TF в модели Гуммеля-Пунна, может есть непосредственный способ измерения TF...
Измерять параметры транзистора могу лишь в корпусе на плате. Т.к. fв в данном случае получается около 80 МГц, то может хватит учета лишь паразитных емкостей? Т.е. калибровкой на ХХ.
надеюсь на полезные ответы.
Измерить модуль S21 транзистора до частоты на которой спад составляет -3 дБ (fв). Если считать, что fв равна верхней частоте по уровню -3 дБ для АЧХ усиления по току базы, то граничная частота транзистора Ft (на которой усиление по току базы 1) будет равна произведению fв на статическое усиление по току базы (Bdc). Правильно ли такое допущение или нет, вопрос к участникам форума
Цель измерения Ft заключается в определении параметра TF в модели Гуммеля-Пунна, может есть непосредственный способ измерения TF...
Измерять параметры транзистора могу лишь в корпусе на плате. Т.к. fв в данном случае получается около 80 МГц, то может хватит учета лишь паразитных емкостей? Т.е. калибровкой на ХХ.
надеюсь на полезные ответы.
Цитата(Alex_IC @ Jan 28 2009, 22:55)
Представляется такая последовательность.
Измерить модуль S21 транзистора до частоты на которой спад составляет -3 дБ (fв). Если считать, что fв равна верхней частоте по уровню -3 дБ для АЧХ усиления по току базы, то граничная частота транзистора Ft (на которой усиление по току базы 1) будет равна произведению fв на статическое усиление по току базы (Bdc). Правильно ли такое допущение или нет, вопрос к участникам форума
Цель измерения Ft заключается в определении параметра TF в модели Гуммеля-Пунна, может есть непосредственный способ измерения TF...
Измерять параметры транзистора могу лишь в корпусе на плате. Т.к. fв в данном случае получается около 80 МГц, то может хватит учета лишь паразитных емкостей? Т.е. калибровкой на ХХ.
надеюсь на полезные ответы.
Измерить модуль S21 транзистора до частоты на которой спад составляет -3 дБ (fв). Если считать, что fв равна верхней частоте по уровню -3 дБ для АЧХ усиления по току базы, то граничная частота транзистора Ft (на которой усиление по току базы 1) будет равна произведению fв на статическое усиление по току базы (Bdc). Правильно ли такое допущение или нет, вопрос к участникам форума
Цель измерения Ft заключается в определении параметра TF в модели Гуммеля-Пунна, может есть непосредственный способ измерения TF...
Измерять параметры транзистора могу лишь в корпусе на плате. Т.к. fв в данном случае получается около 80 МГц, то может хватит учета лишь паразитных емкостей? Т.е. калибровкой на ХХ.
надеюсь на полезные ответы.
думаю модуль S21 помноженное на f измерения (достаточно высокая)...
Так Гост есть соответствующий...Номера сейчас не помню- в любом ТУ на ВЧ транзисторы, или в советском справочнике есть на него ссылка. Там все подробно написано. Как и чем.
Цитата(proxi @ Feb 4 2009, 00:36)
думаю модуль S21 помноженное на f измерения (достаточно высокая)...
S-параметры мерятся в 50-Ом тракте, это не то.
Ft полагается мерить на частоте, где модуль коэффициента передачи тока в несколько раз меньше своего "низкочастотного" значения, при том, что нагрузка в цепи коллектора близка к КЗ, а в базу вкачивается ток (сигнал подается через резистор, много больший H21э*re). Заметим, что Tf - не единственный параметр, определяющий быстродействие транзистора, бОльшую роль часто играет Rб и Ск, причем надо правильно выбрать коэффициент его распределения на пассивную и активную части.
Создание адекватной Spice ьщдели - задача не очень тривиальная.
Я лично получал согласие порядка 10% вплоть до Ft для модели, сделанной на основе данных о топологии и профилях легирования, еще до измерений реальных транзисторов.
Цитата(SIA @ Feb 4 2009, 03:18)
S-параметры мерятся в 50-Ом тракте, это не то.
Ft полагается мерить на частоте, где модуль коэффициента передачи тока в несколько раз меньше своего "низкочастотного" значения, при том, что нагрузка в цепи коллектора близка к КЗ, а в базу вкачивается ток (сигнал подается через резистор, много больший H21э*re). Заметим, что Tf - не единственный параметр, определяющий быстродействие транзистора, бОльшую роль часто играет Rб и Ск, причем надо правильно выбрать коэффициент его распределения на пассивную и активную части.
Создание адекватной Spice ьщдели - задача не очень тривиальная.
Я лично получал согласие порядка 10% вплоть до Ft для модели, сделанной на основе данных о топологии и профилях легирования, еще до измерений реальных транзисторов.
Ft полагается мерить на частоте, где модуль коэффициента передачи тока в несколько раз меньше своего "низкочастотного" значения, при том, что нагрузка в цепи коллектора близка к КЗ, а в базу вкачивается ток (сигнал подается через резистор, много больший H21э*re). Заметим, что Tf - не единственный параметр, определяющий быстродействие транзистора, бОльшую роль часто играет Rб и Ск, причем надо правильно выбрать коэффициент его распределения на пассивную и активную части.
Создание адекватной Spice ьщдели - задача не очень тривиальная.
Я лично получал согласие порядка 10% вплоть до Ft для модели, сделанной на основе данных о топологии и профилях легирования, еще до измерений реальных транзисторов.
Ну а если преобразовать измеренные S-параметры в H-параметры и извлечь из них Ft (на spice-моделях результат сходится)? Транзисторы с граничной частотой 8 ГГц, наверняка "зазвенят" при КЗ на выходе и ХХ на входе... Емкости и Rб планирую извлечь из вольт-фарадных характеристик, а затем уточнить по S-параметрам.
to Designer56
ГОСТ 18604.9-82 Транзисторы биполярные. Методы определения граничной и предельной частот коэффициента передачи тока
Спасибо, почитаю.
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста, пройдите по ссылке.