Читал аппноты от IR. Считал но почему то емкость получается порядка 10 мкФ. а на схемах в инете смотрю кондюк этот всего сотни нФ.

Если, к примеру полумост, то бустерный кондер (сотни нан) заряжается каждый период, и в свою очередь заряжает емкость максимум в 10 нан. зачем там микрофарады?

А для какой частоты вы считаете?

Частота 100 кГц

к примеру берем транзистор с зарядом затвора 67 нКл, в апноте сказано что для работы самой схемы сдвига уровней необходимо 5 нКл конденсатор берем обычныфй к примеру (т.е. пренебрегаем током утечки), потом берем величину тока драйвера (IR2153 = 0.3 А).
тогда:

Заряд который должен иметь бутстрепный кондюк равен:

2*ЗАРЯД ЗАТВОРА ТРАНЗИСТОРА+(ТОК ДРАЙВЕРА/частоту)+ЗАРЯД НЕОБХОДИМЫЙ СХЕМЕ СДВИГА =

2*67нКл+(0.3/100кГц)+5нКл =

= 3.139 мкКл

Тогда необходимый конденсатор должен иметь емкость больше чем:

2*3.139мкКл/(НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ-ПАДЕНИЕ НА ДИОДЕ+ПАДЕНИЕ НА НИЖНЕМ ТРАНЗИСТОРЕ) =

= 2*139.мкКл/(13-0.8-0.8) = 550 нКл

Но в формулу в апноте еще входи напряжение Vmin = Minimum voltage between VB and VS
Что значит это Vmin и чему оно равно я так и не выяснил.

Ну конечно получились не десятки мкФ, но кстати и не 10 нФ, плюс я не учитывал напряжение Vmin, которое может увеличить емкость.

Самый лучший вариант - отказ от бутстрепной емкости. При современной стоимости DC-DC преобразователей или обмотки в многообмоточном трансформаторе внутреннего БП в особенности.

это как. я к примеру делаю БП дежурного режима на основе IR21531.

БП дежурного режима лучше делать на этом:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Особенно в условиях экономического кризиса. Дабы не расходовать хозяйские деньги.

это конечно хорошо, что лучше что хуже, НО мне хоца на IR21531 и я хочу понять как выбрать элементы.
Сейчас вопрос заключается в параметре:
Vmin = Minimum voltage between VB and VS

Каких величин может быть этот Vmin

Дак, а чего тут непонятного? В паузе бутстрепный конденсатор заряжается, в импульсе разряжается на емкость затвора. Когда конденсатор разряжется (теряет заряд), напряжение на нем уменьшается. Vmin - это до какого напряжения ему дозволено разрядиться - он ведь должен мосфет удерживать в открытом состоянии всю длительность импульса.
А есть драйверы, IR2155 например, у которых есть защита от пониженного Vbs (порог примерно 8 В).

Ваш результат в переводе на емкость означает, что даже керамика с диэлектриком Y5V на 50В емкостью 0,1мкФ подойдет.
Если не хотите самостоятельно проштудировать даташит на полевики, то считайте, что грубо Vmin=10В.

правильно ли я понимаю что нужно кумекать над графиком зависисмости напряжения GATE-SOURCE и тока DRAIN.

Да, правильно.

интересно мне, а вот до чего можно докумекаться гладя на эти графики.
то что Vmin =20V лучше чем Vmin =10V ??????
или наоборот?

При 20 вольтах, просто затвор пробьет и все. При недостаточном кол-ве вольтов транзистор не полностью откроется и тоже сгорит.

оказыватеся параметр Vmin указывается в даташите на драйвер и обзывается он там как Vbsmin.
К примеру для IR21531 он равен 4-5 вольта.
вот еще чего непонятно:
в доке IR присутвует еще рекомендация, которая гласит что полученную в расчетах емкость необходимо увеличить 15-ти кратно, для исключения того, что малая емкость зардиться быстро и напряжение на конденсаторе превысит рабоее его напряжение и тогда будет "бух".
Что скажеет по поводу этого? применяете рекомендацию?

Где именно (документ, страница) вы это прочитали? По напряжению обычно берется двукратный запас. Особенно если это тантал.

документ:
DT98-2a - Bootstrap Component Selection For Control IC’s - Jonathan Adams
цитата:
IMPORTANT NOTE: The Cbs Capacitor value obtained from the above equation EQ(2) is the absolute minimum required, however due to the nature of the bootstrap circuit operation, a low value capacitor can lead to overcharging, which could in turn damage the IC. Therefore to minimize the risk of overcharging and further reduce ripple on the Vbs voltage the Cbs value obtained from the above equation should be should be multiplied by a factor of 15 (rule of thumb).

Ну и где там про максимальную величину напряжения на конденсаторе-то? Смысл предупреждения в том, что формула, приведенная в документе, дает минимальное значение бутстрепной емкости. В реальности, естественно, требуется заложиться на разброс ее значений, зависящих от различных факторов. И, кроме того, слишком большие пульсации на бутстрепном конденсаторе (если как по-вашему Vmin=5В, а питание 15В, то пульсации до 10В!!!) не пойдут на пользу ни конденсатору (для электролитов и тантала макс. амплитуда пульсаций напряжения на конденсаторе обычно нормируется не более 10% от его номинального напряжения), ни самой м/с. Поэтому рекомендуют из практических соображений увеличивать емкость в 15 раз от расчетной, полученной по упомянутой формуле. Ну и про зависимость емкости конденсаторов от постоянной составляющей напряжения на них, вы, надеюсь, тоже знаете.