Цитата(Cont @ Feb 28 2009, 19:44)

например в один момент времени мы считываем/записываем с burst=4, но вот понадобилось изменить значание одного слова, а не сразу 4-х. Как поступать? Изменить burst на 1 или считать 4 слова в буфер, изменить значение одного из них и обатно записать 4 слова в sdram
Именно для этого существуют сигналы маскирования - маскируется запись каждого слова внутри бурста. Если у вас DIMM - на каждый байт свой сигнал маскирования
Цитата(Cont @ Feb 27 2009, 07:10)

клок к памяти идет от плиски. сейчас моя проблема с формированием клоков(точнее подбором нужной фазы). я много вариантов перепробовал, но на частоте выше 80 мегагерц память работает не правильно
Чем гадать на кофейной гуще - быстрее сделать нормальный расчет временной диаграммы передачи на запись в память и на чтение. В общем-то инженер так и должен поступать. Вот и увидите - реально ли работать свыше 80 мегагерц и что для этого надо.
Кстати - насколько я помню, у памяти SDRAM время tHOLD и для адреса и для данных порядка 0.7-1нс и приходится задерживать клок, если он выдается из плиса. В вашем случае я так понимаю надо бы клок выдавать по фазе 90 хотя-бы.
С приемом из памяти обычно проблем со сдвигом нет, но только если у вас "round-trip-time" в цепочке "клок из плиса"-память-"данные в плис" не превысит период синхросигнала минус tSETUP для плиса. Если превышает - тогда уж задерживайте приемный клок в плисе.