Есть такая задумка: использовать программу на кристале в качестве бутлоадера, а основную программу хранить во внешней флеши.
Собственно вопрос: если подключить флешь как внешнюю память и использовать аппаратные возможности работы 51-го ядра с внешней памятью, будет ли в неё произведена запись, а точнее не будут ли маленькими для записи временные задержки, и какую конкретно энергонезависимую память для этого лучше использовать

МК51 расчитан на работу с внешним ОЗУ. Чтение - пройдёт, запись - нет

Если к примеру выход WR микроконтроллера подключить к ПЗУ и писать в адреса ОЗУ за пределами кристалла, разве не будет запись?
Меня больше интересует вложится ли во временные интервалы, и есть ли эненгонезависимая память с такими короткими интервалами записи, чтобы запись всё-же произошла

В ОЗУ запись, конечно, будет. А, вот, ПЗУ с такой быстрой записью Вы ненайдёте. Чем Вас внутренняя flash не устроила? Как вариант - поставить статическое ОЗУ с батарейным питанием (аккумулятором) для поддержания информации при отключении устройства от питающего напряжения.

Вариант 2
Внешнее ПЗУ (flash). При записи в него выдерживать тайминги бутлоадером, записанным во внутреннюю flash

Спасибо, но лучше програмно записывать буду, просто хотел себе жизнь облегчить, а может использовать схемные решения? Возможно ли создать цепь задержки и что из этого будет?

Посмотрите время выполнения команды MOVX и сравните со временем записи во flash.

Под цепью задержки я подразумевал коденсатор и триггер, которые будут удерживать разрешение записи нужный интервал времени, или какое-либо другое чисто схемное решение

Чем будете тормозить МК на время выполнения МОVX?

А зачем его тормозить, пусть он себе WR отпускает. Есть же к примеру регистр с защелкой, и на выходе сигнал всё равно остаётся (это к примеру, схемное решение я как раз и прошу подсказать)

Следующая за MOVX команда откуда будет браться? Если всё это во внутреннем flash, то зачем городить этот "огород"? Если во внешнем, то как это будет работать: МК желает взять следующую команду, а ПЗУ занято записью...

Так в первом посте- бутлоадер на кристале, следовательно и следующая - с кристала

Тогда, зачем нужно вся эта "городушка" с задержками? Линии (шины) работы с внешней памятью, как правило, совмещены с параллельными портами. Формируй себе сигналы нужной последовательности и длительности программно - и все дела...

Я конечно извиняюсь, может Вы не поняли сути, но я пытаюсь реализовать бутлоадер в том случае, в котором на кристале память программ перезаписать нет возможности.

Так я в пятом посте и писал - програмно, потом подумал, может ещё есть варианты

Применение внешней памяти для этого, имхо, не лучшее решение. Можно предложить:
1. Поменять МК на другой, имеющий функции самопрограммирования
2. Поставить рядом "мелкий" МК - прошивальщик (бутлоадер) МК, примененного Вами

Кстати, я считаю, что человек должен знать все способы решения проблемы, пусть даже абсурдные, может в другой ситуации как раз то. что сейчас кажется абсурдным может быть идеальным решением.
В любом случае спасибо за советы.

Подобную задачу решали лет 8-10 назад
Ставили ПЗУ с загрузчиком на младшие 8К памяти
На старшие 8К ставили ОЗУ.
С компьютера грузили программу в ОЗУ и затем оттуда ее выполняли. Использовалось данное решение на макете для отладки программ,
поскольку флашки были труднодоступны а возиться с УФ долго, эмулятор же не обеспечивал быстродействия DALASSa.
Насчет энергонезависимой памяти смотрите в сторону FRAM, достаточно шустрые.
Если совсем извращаться, то можно хранить программу в ПЗУ с последовательным доступом, а при загрузке загонять ее во внешнее ОЗУ.
НО это если с FRAM не получиться

По такому принципу можно и сейчас делать проекты, если:
1. Проект очень большой, особенно много текстовой или графической информации. Никакая внутренняя Флеш это "не потянет". Приходится постоянно, для исполнения, подгружать блоки в ОЗУ, которое выполняет роль внешнего ПЗУ.
2. Разработчик хочет максимально закрыть проект от копирования, но остается потребность делать частые обновления. Сам клиент находится далеко и приходится высылать ему НЕХ-файлы. Загрузчик во внутренней Флеш закрывается битамы защиты кристалла, а высылаемый НЕХ-файл тоже зашифрован, и алгоритм дешифрации знает загрузчик. В свое время, это спасло нашу молодую фирму (группу разработчиков и программистов), которая отпочковалась от "монстра". Последний захватил все права на производство изделия и стремился любой ценой завладеть программным обеспечением, хотя договор на разработку был заключен с нами.
Недостаток портов компенсируется расширителями портов. Сейчас это не проблема. А внешнюю флешку можно применить любую - хватило бы способностей ее "охомутать".

Для записи во флеш вовсе не требуется выдеживать большие длительности сигналов записи. Необходимо просто выдеживать соответствующии паузы между пересылками во флешь пакетов данных. А скорость обмена данными кристалов флеш с процессором не уступает SRAM. Несколько лет назад делал блок памяти в котором флешь и статическое озу висело на одной шине и все работало на скорости 20Мгц.
Кроме того существует быстрая энергонезависимая память например FRAM ф. RAMTRON.