Так вот, даная схемма Нажмите для просмотра прикрепленного файла используется как такой-себе детектор метала. Подстройкой резистора R1 схемма настраиается на срыв генерации при подносе метала к катушке.
так как в схемах с общим коллектором линейность лежит в ширших пределах, тем немение и они подвержены температурному дрейфу
Известно что в общем для схем содержащих бипобярный транзистор dU_be/dT=1.7mV/K И для уменьшения этой зависимости используется отрицательную обратную связь. В данном случае такой связю служит R1. Но этим же резистором идет и подстройка, тоесть получить постоянное его значение сопротивления нет возможности. Схема работает в условиях с градиентм температур в 30 градусов. И как результат точная настройка не представляется возможной, поскольку с изменением температура все плывет.
В свяхзи с этим у меня вопрос: каким образом можно модифицировать данную схему дабы температурная зависимость не очень сказывалась?

Поскольку рабочая частота сравнительно низкая, можно транзистор заменить на ОУ, например КР544УД...
Обратную связь регулируем в делителе ООС. Верхний конец контура через кондёр - на неинвертирующий вход ОУ, а выход ОУ на точку C1-C2 (можно через резистор до 1 ком). Поскольку К ус ОУ будет восновном зависить от делителя в ООС, получаем лучшую температурную стабильность. Нарисовать не могу, с ноутбука неудобно.

Последовательно с R3 включить один-два-... диода (номиналы не указаны, точнее не скажу), R3 пересчитать соответственно.