Вопрос новичка, сразу прошу не пинать, тему создавать не хотел так как вопрос подобный.
Есть транзистор КТ827А, задача коммутировать ток 5-6А, 24В, микроконтроллером.
Расчет такой: т.к коэф усиления составляет 750, необходимый ток 5-6А, следовательно ток базы должен быть не менее 8мА? Т.е получается что данный транзистор будет успешно коммутировать такие токи без "посредников" если учитывать что максимальный ток порта 20мА .
Верный ли расчет?

В принципе все правильно. Но для упрощения согласования с МК лучше все-таки использовать полевик. С составными транзисторами можно наколоться на мелких нюансах.

В общем все заработало, 3А тянет от меги88 со свистом.

Надеюсь, про такой "посредник" , как ограничиваюший базовый ток резистор, не забыли?

Нет

В общем пока данная схема работает хочу собрать на более современной элементной базе, чтоб габариты были поменьше ну и параметры получше.
Просматриваю линейку IGBT транзисторов от IR и прочих производителей.
Хочу чтоб напрямую с микроконтроллера коммутировать 10А, ну естественно как заметил ув. муравей с единственным "посредником" в качестве резистора.
Посоветуйте у кого есть успешный опыт, у меня от этих цифр голова кругом идет уже, чтоб цена была небольшая и параметры были подходящие для связки МК->IGBT-> индуктивная нагрузка 7-10А.

IGBT-то зачем? 24В с помощью MOSFET нужно коммутировать!

Модератор. Тему разделил потому как она слабо коррелирует с исходной.

Вообще- то, одним "посредником" не обойтись, если желательно надежную схему иметь. Базу БТ, особенно составного, тем более что 24 В, обязательно нужно связать с эмиттером резистором. Иначе очень возможны неконтролируемые утечки. С оборванной базой. Если, конечно, логика выхода сама автоматически этого не делает. То есть, обычный делитель из 2-х резисторов. И вообще желательно развязать ключь оптикой от процессора, во избежании помех.

Подскажите в какую сторону рыть? Полевые транзисторы ни разу не использовал.
IRF1310N, N-канал 100В 42А, такой подойдет к примеру?

Рыть в сторону допустимых токов, напряжений, и главное - управления транзистором логическими уровнями.

Т.е предлагаете взять все параметры ток порта=10мА, напр коммутации 4.5-5В. Ток нагрузки 7-10А, напр.нагрузки 24В. и сесть за справочники?
Все это проделал на нашей эл. базе, т.к немого знаком с биполярными транзисторами. Посмотрел импортные, не совсем понял в параметрах.
Посоветовали обратить внимание к серии IRF. Теорию изучать начал но времени совсем маловато. Например, IRF740SPBF, N-канал 400В 10А.
Вроде все понятно, но. Gate sourse voltage +-20В, как это понять? Для полного открытия перехода И-С нужно подать на затвор 20В?
Как управляются подобные транзисторы? Возможно ттл управлять?

Нет, впрямую не подойдет. Потому, что он N-канальный. Поскольку вам нужно управлять "верхним" ключем, коммутируя "плюс", то нужно смотреть на P-канальные MOSFET. Управление MOSFET отличается от управления биполярным транзистором тем, что биполярный требует ток базы постоянно пока включен. А MOSFET требует значительный ток только в моменты коммутации. Схема включения P-канального MOSFET практически как у биполярного PNP. Только нужно ограничить напряжение между затвором и истоком в пределах ±20В обычно. В типовых применениях ставят стабилитрон на 15-18В. Ну и слишком низкое напряжение MOSFET не сможет коммутировать, если управление от него же происходит. Потому что для того, чтобы полностью открыть канал MOSFET на затвор относительно истока нужно подать напряжение не менее 7-8В (положительное для N-канальных и отрицательное для P-канальных). Конечно существуют полевики с управлением Logic Level, но у них и максимальное напряжение стока сравнительно невелико.
Резюмируя.
Преимущества MOSFET как ключей перед биполярными транзисторами.
+ малое падение напряжение на полностью открытом канале
+ очень низкий ток управления для поддержания MOSFET в открытом состоянии
+ униполярность открытого канала, т.е. ток через открытый канал MOSFET может течь в любом направлении
Недостатки.
- сравнительно большой ток в моменты коммутации. Затвор MOSFET по сути конденсатор, который нужно быстро перезарядить. I=C*dU/dt
- ограничение на диапазон управляющих напряжений затвора как "снизу", так и "сверху"
- наличие "паразитного" диода (body-diode), связанного с технологией изготовления MOSFET. Т.е. при обратной полярности напряжения, приложенного к MOSFET, этот диод будет проводить вне зависимости от того открыт MOSFET или закрыт..
Конечно есть еще множество других нюансов, но вы их наверняка узнаете сами, если почитаете что-нибудь из литературы.

Спасибо за исчерпывающий ответ.
Наверное буду рыть в сторону обычных биполярных импортных транзисторов. По крайней мере ток управления составным биполярником не такой большой, у процессора макс. 20мА. Да и в расчетах они проще(для меня по крайней мере).

Ничего-то Вы не и поняли.
Биполярник на ток более ампера нерационально. Много тепла выделяет, особенно составной (Дарлингтон).

rezident слишком толково и подробно все объяснил, вот товарищ и запутался...
mega + цифровой транзистор в SOT-23 (PDTC114, MMUN2212 или туча аналогов, или обычный типа BC848, но с резистором в базе), коллекторную нагрузку на + 24 В, параллельно нагрузке - затвор p-HEXFET'а типа IRML5305 или любого другого подходящего по току. Масса в 20 раз меньше, чем у КТ827, рассеивает тепла раз в 100 меньше, цена тоже меньше (должна быть)

Да, если коммутировать нагрузку можно снизу (со стороны земли), что в общем-то подразумевается при КТ827, то n-HEXFET подходящих параметров ВООБЩЕ без посредников! Все транзисторы ищите на International Rectifier, у нас в стране много их продукции

Обьясните, пожалуйста, я немного не понял.
Хочу использовать что-нибудь вместо диода для защиты от переполюсовки.
тут http://www.irf.com/technical-info/designtp/dt94-8.pdf предлагается использовать HEXFET.
Для своего приложения выбирал, например irlr8729. Но в даташите написано :
Vsd Diode Forward Voltage max 1.0V
Т.е. при неправильной полярности Hexfet сгорит?

Какая связь между обратной полярностью и прямым напряжением на диоде?
Опять же, обратная полярность чего и по отношению к чему?

Применительно к вашей статье, при переполюсовке (неправильной полярности ) внутренний диод будет включен встречно и ток через него не потечёт. И прямое напряжение на диоде тут никаким боком не играет.

вообще лучше на 2х биполярных сделать и ключ pnp поставить сверху у питания. тогда земли можно полностью развязать и контроллер защищать от скачков не придётся

Применительно к статье и схеме из нее, падение на body-диоде практически никак на ее функционирование не влияет. Т.к. в прямом включении (батарея подключена правильно) он (диод) будет зашунтирован открытым каналом полевика. А в обратном включении (батарея подключена неправильно) диод будет смещен в обратном направлении и канал полевика закрыт. Сгореть эта схема может в двух случаях. Напряжение батареи подключенной неправильно превышает предельное напряжение затвор-исток (V_GSmax), либо, если V_GS ограничено, то напряжение лавинного пробоя body-диода V_DSmax. Второй случай, когда тепловыделение на открытом полевике превысит максимально допустимые значения (большой ток через открытый канал), например, вследствие замыкания вторичных цепей прибора.

Спасибо, понял, будем пробовать!