Подскажите пожалуйста, что то можно сделать с "хвостом тока" при выключении ключа. На картинке видно ( TEK0000), что ток резко падает на "0", а затем начинает возрастать ( желтая кривая-ток через транзистор (задний фронт), синяя - напряжение на стоке . Как то можно это побороть? Думаю именно из за этого греется ключ. Uin=200V DC, Uout=1100V DC, F=170kHz, w1=54+52 витка, w2=126+125+125+112 витков.

На второй картинке ( TEK0001)- желтая - это задний фронт пилы тока, синяя - задний фронт напряжения на затворе.

Схемку силовой части броси ли бы, а то какие то странные картинки у Вас.

Да. ток не спадает. такого быть не должно. Значит, нет нормального пути для его прохождения.
Либо индуктивность рассеивания велика и нужно подобрать демпфер в коллекторе ключа, либо что-то на вторичной стороне очень ленивое, не успевает перехватить поток энергии.

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

L10-1 594uHn
Ls 10-1 27uHn

L7-2 3,6mHn ( все остальные вторички имеют такую же индуктивность


Нагрузка - кондер 1,4мкФ, заряд-разряд.


Косой полумост спасет положение?

Ёмкость на ключе и индуктивность рассеяния обмениваются током после выключения ключа.
Используйте диод с мягким восстановлением в клампере SF18, например, вместо MURS160. Уменьшится отрицательный выброс тока, а за ним и положительный, и следующая полуволна меньше... Только от этого ключ не охладится, т.к. это реактивный ток контура через закрытый ключ не замыкается.
Вы не показали ток включения на ту же ёмкость. Там резервы, а Вы упорно не хотите мягкого переключения.

А разве индуктивность рассеяния не делает переключение мягким? Ведь это за ее счет фронт напряжения затягивается.
Каким образом выполнить "мягкое" переключение, через квазирезонанс?

Индуктивность рассеивания не умеет делать ничего, кроме неприятностей.
На индуктивностях может затягиваться фронт тока, но не напряжения.

Фронт напряжения затягивается за счёт ёмкости, а индуктивность рассеяния в резонансных и квазирезонансных схемах используется
для разряда той самой ёмкости на ключе, чтобы включение ключа происходило при нуле напряжения, т.е. без потерь. Для MOSFET на высокой
частоте это очень важно. Очевидно, что ток Ls должен быть разнополярным. В вашей схеме этого не происходит. Если Вам нравится флай, то
применяйте active clamp. Для прямохода fixed off time, есть ещё несимметричный полумост, резонансные мостовые и полумостовые схемы с
различными способами включения транса, а так же phase shift. Всё это способы мягкого пререключения.
Уверен, что оптимальный вариант Вы легко определите, разобравшись с этой кухней.

vlvl@ukr.net.
Вы уже поняли, что это за минусовый импульс на истоковом шунте? Эт разряд затвора . У Вас, видать, могучий драйвер - разрядный ток 2-3 ампера. И все это происходит в пределах 30 нс, когда напряжение на стоке еще не начало расти. То есть на потери в транзисторе оно никак не влияет. Далее, примерно через 120 нс идет небольшой минусовый импульс тока - это видать звон стоковой емкости, когда импульс тока Ls закончился. Касательно нагрева - мож., в пике напряжение доходит до пробоя стока(500 В)? Резистор в клампере великоват.
Если мощность до 100 Вт - то обратноход должен прокатить. Сейчас - видать, до 30 Вт. Только я бы взял транзистор на 600-800 В, чтобы поднять витковое напряжение. И обратное на диодах упадет.

Конечно он

На схеме четыре диода вторички равномерно распределены по одному между секциями обмотки. Это чисто из конструктивных соображений или есть "фишка"?

Есть, конечно. Это типичная для высоковоьтных трансформаторов сплит-конструкция. Улучшает равномерность распределения обратных напряжений на диоды и снижает ёмкость вторички.

diode split for e.h.t. generation

Действительно есть. Только такая конструкция не снижает емкость вторички, а наоборот, использует её межсекционную составляющую для сглаживания пульсаций высокого. Больше емкость - выше стабильность. Насчет выравнивания обратного на диодах - выходит, что с точностью до межсекционных емкостей. Наверное разброс небольшой при небольшом кол-ве секций... Без сплит-конструкции подбор диодов по токам утечки 5-10% на номинальном обратном также дает надежное выравнивание обратного на сборке. Вобщем "фишка" ясна. Благодарю.

Как бы считается, что снижает. Но, наверное, не расположение диодов, а само секционирование. Хотя, кажется, где-то читал об этом подробнее. Жаль, не помню - где. О том, что "фишка" не только в распределении обратного.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Ещё раз посмотрел на картинки. Ребята правы, я мудак. Это ток затворной ёмкости.
Ёмкость секция-сердечник работает как фильтрующий конденсатор, кроме того, энергия перезаряда резко уменьшается, т.к. пропорциональна квадрату напряжения.
И, конечно, равномерность обратного на диодах. Всё так, согласен.

Секционирование снижает однозначно . Наверное буржуйское слово "сплит" секционирование и обозначает. Я имел ввиду, что место расположения диодов приводит к тому, что усиливается "эффект присутствия" сежсекционной емкости при разведении потенциалов начала и конца соседних секций на величину обратного напряжения на диоде (по сравнению с просто последовательным соединением секций, что делают для снижения общей эффективной емкости вторички). Этот эффект и используется с пользой для сглаживания пульсаций высокого (при отсутствии высоковольтного конденсатора на выходе). Плата за это - необходимость обеспечить соответствующую прочность между секциями.

Топикстартеру этот эффект от использования сежсекционной емкости не нужен (емкость внешняя), а делёжка обратного на диодах произойдёт пропорционально межсекционным емкостям. Если секции равноценны по емкостному взаимодействию (распологаются вдоль керна), то нет проблем. Автор с соседнем топике описАл свой транс, где нет секций в чистом виде, есть просто чередование обмоток, намотанных на полной ширине каркаса. Возможно под эту же задачу. Если так, то с выравниванием обратного на диодах могут быть проблемы.

зы
Спасибо за ссылки.

Оно хоть и поздно, отвечу, если не делать этого секционирования, то силовой ключ сильно разогревается ( даже на ХХ просто выпаивается со схемы, олово плавится). Посему, без секционирования никак, правда я не пробовал "Z" намотку.
В повышающих трансах паразитная емкость транса возрастает в (Ктр)^2 раз.