Всем здрасте!!!
К ATmega128 надо подключить SRAM, раньше такого не делал, хочу избежать подводных камней, подскажите.
Использую ATmega128 на 16MHz
Буду использовать 64K-bit SRAM: 6264 (К537РУ17) в магазине сказали так, но на микрухе написано чё попало – белибирда.
Скорее всего: fast access time 85/100ns (max) возможно 70ns, но не уверен, т.к производителя не знаю.
(64K-bit хотя целиком столько мне не надо)
Использовать буду Normal Mode, т.е. 4096Internal SRAM, никаких заморочек с ATmega103 Compatibility mode мне не надо.
В силу того, что ATmega128 работает на 16MHz, а SRAM 85/100ns (70ns?) возникает вопрос, получится ли адекватная работа SRAM, даже если использовать wait-state.
Подскажите, какой wait-state использовать?
На какую защелку лучше обратить внимание? Какую серию смотреть?
НА ЧТО ЕЩЁ ОБРАТИТЬ ВНИМАНИЕ????
Заранее СПС.
Table 4. Wait States(1)
SRWn1 SRWn0 Wait States
0 0 No wait-states
0 1 Wait one cycle during read/write strobe
1 0 Wait two cycles during read/write strobe
1 1 Wait two cycles during read/write and wait one cycle before driving out new address
Полная версия этой страницы: External SRAM + ATmega***
Форум разработчиков электроники ELECTRONIX.ru > Сайт и форум > В помощь начинающему > MCS51, AVR, PIC, STM8, 8bit
Цитата(pitter_3 @ Feb 19 2010, 07:36) 
НА ЧТО ЕЩЁ ОБРАТИТЬ ВНИМАНИЕ????
Если используется WinAVR, обратить внимание на makefile и разрешить работу внешней память в какой-то ранней секции, например, init1.
А кто-нибудь подскажет по поводу wait-state?
В целом я вообще могу перефразировать вопрос:
Кто-нибудь работал с внешним SRAM + Atmega?
В целом я вообще могу перефразировать вопрос:
Кто-нибудь работал с внешним SRAM + Atmega?
Цитата(pitter_3 @ Feb 20 2010, 08:29)
Кто-нибудь работал с внешним SRAM + Atmega?
Что вас смущает? Микросхему памяти сейчас не назову (дома схем нет). Память используется под хранение определенных данных, а не как основная, инициализирую поэтому из main(). У нас на интрефейсе внешней памяти еще ПЛИС сидит - разнесены по адресам. Ессно, все адреса выше внутренней SRAM МК для удобства.CODE
// External SRAM page configuration:
// 1100h - 7FFFh / 8000h - FFFFh (FPGA / External SRAM)
// Lower page wait state(s): None
// Upper page wait state(s): 1r/w
void XMEM_initialize(void)
{
XMCRA = _BV(SRL2);
MCUCR |= (_BV(SRE) | _BV(SRW10));
}
#define XMEM_write(address, value) (*((uint8_t * const) (address))) = ((uint8_t) (value))
#define XMEM_read(address) (*((uint8_t * const) (address)))
// 1100h - 7FFFh / 8000h - FFFFh (FPGA / External SRAM)
// Lower page wait state(s): None
// Upper page wait state(s): 1r/w
void XMEM_initialize(void)
{
XMCRA = _BV(SRL2);
MCUCR |= (_BV(SRE) | _BV(SRW10));
}
#define XMEM_write(address, value) (*((uint8_t * const) (address))) = ((uint8_t) (value))
#define XMEM_read(address) (*((uint8_t * const) (address)))
Работает, ATMega128, 16MHz.
Вот так делал я. См приложенные файлы. Правда там у меня 62256 но это не суть важно.
Регистр-защелку младших адресов ставить нужно с записью по высокому уровню. Серия может быть любая типа AC/ACT/HC/HCT.
В МК настроить работу внешней памяти с одним циклом ожидания. См. приложенные файлы.
Имейте ввиду, что из 8КБАЙТ памяти Вашей МК будет использоваться только старшие 4. Это связанно с тем, что младшие 4 КБ находятся в адресном пространстве внутренней SRAM МК. Вообще есть пути решения этой проблемы.
Рекомендую почитать перевод даташита на М128 на http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/doc/micros/avr/arh128/2_1.htm
Регистр-защелку младших адресов ставить нужно с записью по высокому уровню. Серия может быть любая типа AC/ACT/HC/HCT.
В МК настроить работу внешней памяти с одним циклом ожидания. См. приложенные файлы.
Имейте ввиду, что из 8КБАЙТ памяти Вашей МК будет использоваться только старшие 4. Это связанно с тем, что младшие 4 КБ находятся в адресном пространстве внутренней SRAM МК. Вообще есть пути решения этой проблемы.
Рекомендую почитать перевод даташита на М128 на http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/doc/micros/avr/arh128/2_1.htm
Всем спасибо.
6264 - 64Kbyte - 8k word x 8bit. Но Вашу мысль я понял. Спасибо.
Кстати, если я использую только одну микруху SRAM, то ведь можно же не использовать разбиение на Lower page & Upper page?
Цитата(prottoss @ Feb 21 2010, 02:12)
Имейте ввиду, что из 8КБАЙТ памяти Вашей МК будет использоваться только старшие 4. Это связанно с тем, что младшие 4 КБ находятся в адресном пространстве внутренней SRAM МК. Вообще есть пути решения этой проблемы.
6264 - 64Kbyte - 8k word x 8bit. Но Вашу мысль я понял. Спасибо.
Кстати, если я использую только одну микруху SRAM, то ведь можно же не использовать разбиение на Lower page & Upper page?
Цитата(pitter_3 @ Feb 21 2010, 21:47)
Кстати, если я использую только одну микруху SRAM, то ведь можно же не использовать разбиение на Lower page & Upper page?
Я не понял Вашего вопроса. Что такое Lower page & Upper page?
Цитата(pitter_3 @ Feb 21 2010, 17:47)
Кстати, если я использую только одну микруху SRAM, то ведь можно же не использовать разбиение на Lower page & Upper page?
Да.--
Цитата(prottoss @ Feb 21 2010, 18:03)
Что такое Lower page & Upper page?
m128_S0709.pdf, стр. 32:
Цитата
It is possible to configure different wait-states for different External Memory addresses. The
external memory address space can be divided in two sectors that have separate wait-state bits.
external memory address space can be divided in two sectors that have separate wait-state bits.
Цитата(SysRq @ Feb 22 2010, 00:15)
Ааа, да, точно. Забыл про это.
Цитата(pitter_3 @ Feb 21 2010, 22:47)
Всем спасибо.
6264 - 64Kbyte - 8k word x 8bit. Но Вашу мысль я понял. Спасибо.
Кстати, если я использую только одну микруху SRAM, то ведь можно же не использовать разбиение на Lower page & Upper page?
6264 - 64Kbyte - 8k word x 8bit. Но Вашу мысль я понял. Спасибо.
Кстати, если я использую только одну микруху SRAM, то ведь можно же не использовать разбиение на Lower page & Upper page?
Никуда не пропадут Ваши 4кбайт из 8кбайт внешней 6264 из-за маскирования внутренней RAM, достаточно выделить ещё один вывод РС5 под линию адреса А13, но никуда его не подключать. Это - единственный минус, недоступность использования одного вывода I/O для своих нужд. Взамен получаем непрерывное адресное пространство памяти:
0x0000 - 0x001F регистры R0-R31
0x0020 - 0x005F I/O
0x0060 - 0x00FF ext I/O
0x0100 - 0x10FF internal SRAM 4kbyte
0x1100 - 0x30FF external SRAM 8kbyte
Аналогично можно целиком использовать весь объём внешней памяти вплоть до 32кбайт (62256) не теряя при этом первые 4к из-за маскирования адресов. Подробнее - в datasheet, описание регистра XMCRB, "Using all Locations of External Memory Smaller than 64 KB".
защелку лучше использовать из быстродействующих серий (ACT, AHC) или из "советский" серии 1533. Ставить именно защелку: 373/573 или ИР22. (Приходилось видеть платы от игровых автоматов, на которых умудрились поставить 374 микросхему). При использовании серии НС могут быть ошибки при записи и считывании из памяти. Причем довольно редкие и нерегулярные. (Проверено на своем печальном опыте). Скорее всего, это было из-за бОльшего времени удержания в серии HC, так как ошибки не зависели от тактовой и циклов ожидания (мега держит данные 5нс)
Я в дополнение еще обычно активирую функцию bus keeper.
В меге128 этого минуса нет. Линии A13-А15 при помощи XMCRB просто не подключаются к порту изнутри (при XMM2=XMM0=1; XMM1=0), поэтому нет смысла выводить неподключенную А13. Для подтверждения моих слов посмотрите, как реализовано считывание при размере памяти 64кБайта.
Я в дополнение еще обычно активирую функцию bus keeper.
Цитата
достаточно выделить ещё один вывод РС5 под линию адреса А13, но никуда его не подключать. Это - единственный минус, недоступность использования одного вывода I/O для своих нужд.
В меге128 этого минуса нет. Линии A13-А15 при помощи XMCRB просто не подключаются к порту изнутри (при XMM2=XMM0=1; XMM1=0), поэтому нет смысла выводить неподключенную А13. Для подтверждения моих слов посмотрите, как реализовано считывание при размере памяти 64кБайта.
Цитата(pitter_3 @ Feb 20 2010, 07:29)
А кто-нибудь подскажет по поводу wait-state?
wait-state для 70ns памяти с кварцем на 11.0592 -- 0.
Для 14.7456Mhz и выше - ws=1.
55ns и более быстрая память - при любой тактовой на которой способна работать мега - ws=0.
Посмотрел м\с памяти у нас: U62H256A. Надо будет с 0 wait-state попробовать 
Цитата(prottoss @ Feb 21 2010, 03:12)
Вот так делал я. См приложенные файлы. Правда там у меня 62256 но это не суть важно.
Регистр-защелку младших адресов ставить нужно с записью по высокому уровню. Серия может быть любая типа AC/ACT/HC/HCT.
В МК настроить работу внешней памяти с одним циклом ожидания. См. приложенные файлы.
Имейте ввиду, что из 8КБАЙТ памяти Вашей МК будет использоваться только старшие 4. Это связанно с тем, что младшие 4 КБ находятся в адресном пространстве внутренней SRAM МК. Вообще есть пути решения этой проблемы.
Рекомендую почитать перевод даташита на М128 на http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/doc/micros/avr/arh128/2_1.htm
Регистр-защелку младших адресов ставить нужно с записью по высокому уровню. Серия может быть любая типа AC/ACT/HC/HCT.
В МК настроить работу внешней памяти с одним циклом ожидания. См. приложенные файлы.
Имейте ввиду, что из 8КБАЙТ памяти Вашей МК будет использоваться только старшие 4. Это связанно с тем, что младшие 4 КБ находятся в адресном пространстве внутренней SRAM МК. Вообще есть пути решения этой проблемы.
Рекомендую почитать перевод даташита на М128 на http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/doc/micros/avr/arh128/2_1.htm
Подскажите пожалуйста, почему у Вас адрес ADDR0-ADDR7 подключены к выводам А0-А7 чипа UT62256, а ADDR8-ADDR15 как то непонятно, куда попало. Вы используете весь обьем памяти? (не пинайте. только начал разбираться с внешней памятью, и вообще с памятью...)
Хороший пример в этом случае это модуль WIZ200 WEB. Там как раз ATMEGA128+HY62256 и WIZ5300) Схемы есть, есть программный код от производителя. Так что глазами пробежаться можно подглядеть.
http://www.efo.ru/doc/Wiznet/Wiznet.pl?2935
У меня больше другой вопрос. Как сделать так, чтоб во внешний СРАМ загружались данные программы. То есть, допустим есть проект, в котором память данных занимает 8 КБ. Соответственно 4 КБ во внутреннем ОЗУ и остальные 4 КБ получается помещаются только во внешний ОЗУ. Но перед запуском прошивки нужно же настроить интерфейс внешнего СРАМА, указав в каких-то регистрах 128МЕГИ, что мы используем внешний срам с такий wait-state и т.д. После этого должна начать запускаться основная программа которая и выгрузит из FLASH'a данные во внешний СРАМ. Так вот, тут над бутлоэдер писать или что-то наподобе него, чтоб он настроил доступ 128МЕГИ к внешнему СРАМУ? Надеюсь понятно сказал, а то я особо объяснять не умею)
http://www.efo.ru/doc/Wiznet/Wiznet.pl?2935
У меня больше другой вопрос. Как сделать так, чтоб во внешний СРАМ загружались данные программы. То есть, допустим есть проект, в котором память данных занимает 8 КБ. Соответственно 4 КБ во внутреннем ОЗУ и остальные 4 КБ получается помещаются только во внешний ОЗУ. Но перед запуском прошивки нужно же настроить интерфейс внешнего СРАМА, указав в каких-то регистрах 128МЕГИ, что мы используем внешний срам с такий wait-state и т.д. После этого должна начать запускаться основная программа которая и выгрузит из FLASH'a данные во внешний СРАМ. Так вот, тут над бутлоэдер писать или что-то наподобе него, чтоб он настроил доступ 128МЕГИ к внешнему СРАМУ? Надеюсь понятно сказал, а то я особо объяснять не умею)
Цитата(lisstret @ Jan 22 2013, 06:51)
Как сделать так, чтоб во внешний СРАМ загружались данные программы.
Никаких бутлоадеров не нужно, просто надо как можно раньше включить интерфейс внешней памяти.Для avr-gcc (WinAVR, AVR-STUDIO 6 с еёйным toolchain и т.д.) нужно поместить короткий код в секцию памяти кода .init3, которая выполнится до копирования инициализированных данных из флеша в ОЗУ и до очистки bss (в .init1 тоже можно, но осторожнее).
У меня это макросами
Код
#define INIT_CODE(_number_,_name_)\
static void init_##_number_##_##_name_ (void) __attribute__ ((section(".init" #_number_), naked, used));\
static void init_##_number_##_##_name_ (void)
#define INIT_CODE_(n,l) INIT_CODE(n,l)
#define INIT(_number_) INIT_CODE_(_number_,__LINE__)
и где-то в программе такое:static void init_##_number_##_##_name_ (void) __attribute__ ((section(".init" #_number_), naked, used));\
static void init_##_number_##_##_name_ (void)
#define INIT_CODE_(n,l) INIT_CODE(n,l)
#define INIT(_number_) INIT_CODE_(_number_,__LINE__)
Код
INIT(3)
{
MCUCR = (1 << SRE);
XMCRA = (4 << SRL0) | (0 << SRW00);
XMCRB = (1 << XMBK);
}
{
MCUCR = (1 << SRE);
XMCRA = (4 << SRL0) | (0 << SRW00);
XMCRB = (1 << XMBK);
}
В других компиляторах надо смотреть в сторону __low_level_init() и подобного, такая функция, по идее, должна вызываться до инициализации памяти. Но она уже будет вызываться, так что стек должен быть во внутренней памяти (что и так желательно для большей скорости работы). В случае с init-секциями код выполняется линейно, без вызовов и стек не нужен.
Спасибо! Видимо, зря я не особо заглядывал в документацию на компилятор. Сейчас посижу поразбираюсь, как распределить данные по адресному пространству внутренного озу и внешнего
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста, пройдите по ссылке.