Всем здрасти. Понадобилось подобрать примерные параметры для модели BSIM3, нужно повторить выходную характеристику МОП транзистора. В этом деле совсем новичок. Имеется лишь выходная характеристика и пороговое напряжение. L=0.24um, W=10um. Изменял K1 и DVT0, в итоге что-то чуть похожее получил, но характеристика напоминает линейную зависимость, нужно чтобы насыщение наступало при меньших напряжениях, и область насыщения была более пологая. Какие параметры за это отвечают? Толщину оксида и концентрацию не трогал. Заранее спасибо.

Все, справился. Тему можно закрывать

K1, DVT0, eta0, u0, vsat ?