Дамы и Господа! SiBM пал... примите мои искренние соболезнования)
Первоначально мучился с алгоритмом представленном в статье Low-Power High-Throughput BCH Error Correction VLSI Design
for Multi-Level Cell NAND Flash Memories. Не работает. Попытался найти другой источник этого алгоритма, наткнулся на патент. Там все тоже самое, но с одной опечаткой. После длительного поиска нашелся 3-ий источник. Какая то заморская статья на не понятном мне языке. Хорошо, что сам алгоритм оказался в нормальном виде. Вот в нем нашлись отличия и то со своими опечатками. Покрутился с ним и все-таки получил верный результат. Из опечаток (ошибок) 2-го варианта обнаружилось, что при инициализации Тетта_большая(2t)(0)=1, так же как и Тетта_малая(2t)(0)=1. Это видно из приложенных к алгоритмам русункам. 1 - нулевой элемент поля Галуа. Ну и 2-ая опечатка (ошибка) в шаге 2, в первой ее части. При исключении отдельных i Тетта_большая® потеряли 2*r. Должна быть аналогичная запись с исключением i как и во второй части 2-го шага, причем исключение i во второй части никак не влияет на результат. К сообщению прикрепляю файлы и картинки с алгоритмами. Всем спасибо за внимание)