Что можно почитать по этой теме?

Вопрос о масштабах:
Нашел что пробой SiO2 начинается на 0.8 - 1.1 V на нм, а туннелирование через 1нм SiO2 - 10^6 А/м2 даже при 1 вольте.

У Вас не тот окисел. Для памяти ведь используют Si₃N₄. Да еще и с квази-слоем "ловушек" для заряда.

Вопрос о масштабах:
Нашел что пробой SiO2 начинается на 0.8 - 1.1 V на нм, а туннелирование через 1нм SiO2 - 10^6 А/м2 даже при 1 вольте.

Вы наверно имеете ввиду ячейку не на туннелировании, а на горячих носителях... Я конечно не технолог и могу ошибаться, но на 90% у нас в тунельном окисле только SiO₂, Si₃N₄ используется в межслойном диэлектрике между двумя затворами.

Да всё правильно, первый (нижний) окисел SiO₂, но потенциал прикладывается к верхнему затвору. Т.е. начало туннелирования надо пересчитывать, исходя из получаемой напряженности поля в первом окисле, но не из потенциала на верхнем затворе.

Возможно, речь шла как раз о толщинах порядка единиц нм.

Да, в данном случае речь именно о слое в 1нм, понятно что с ростом расстояния туннелирование очень быстро и нелинейно падает.

А как Вы собираентесь гарнтировать толщину 1 нм ? Это же считанные атомные слои. Из чистой статистики у Вас толщина будет плавать на десятки процентов, а учитывая, что туннельный ток растет по экспоненте - можно получить самый разный результат в одних и тех же условиях.

Иначе говоря, ток будет течь в самом тонком месте.

Если верить склерозу, межатомное расстояние в кремнии 0.5 нм.

Мой склероз подсказывает, что в таком случае кремний был бы неплохим материалом для аэростатов. Ну не совсем, конечно...

Сейчас таким "опорным расстоянием" является постоянная кристаллической решетки (т.е., в данном случае - расстояние между ближайшими атомами в решетке) чистого кремния, которая равна a = м с точностью 0,03 ppm

Мой склероз лучше:

28*/6*10^23/0.125*10^-27 = 370*10^3g/m^3 = 370 kg/m^3

Ничего не знаю, 5,4307 Ангстрем.

Это постоянная решетки, а не расстояние между ближайшими атомами.

Мой склероз лучше:
http://nature.web.ru/db/msg.html?mid=1180314

При это, некоторые связи разрываются, и от кристаллической решетки остается весьма немного.

Вы путаете шаг решетки и межатомное расстояние. Для кремния межатомное расстояние = 2.35 А.

Tanya раньше успела высказаться.

Поясните свою мысль?

Вот здесь пара хороших картинок.

И что мы видим на этих картинках?

Ну, это кто что.

.... А какая разница в плотности у кристаллического и плавленного кварца?

Это сложные вопросы для меня, ни разу не химика. А зачем нам это?

Так узнать, сколько дефектов примерно - порванных связей по Вашей терминологии.

И при температуре порядка 1000 градусов.

Для выращивания более-менее равномерной пленки окисла толщиной 1 нм нужно, вообще, сверхчистое производство высшего класса. В противном случае неизбежно будут "проплешины" или толщина будет гулять на лапоть туда-сюда.

При 4-5 атомных слоях она будет гулять на лапоть, с каким бубном не пляши. Из-за статистики.

При такой температуре... Не будет там водорода. И решетка будет хорошая.

Кто-то уже умеет. Где-то с год назад новость была (от IBM, вроде), что наладили техпроцесс получения диэлектрических пленок в 1 атомный слой. Кагбэ, революция, говорили. Но, это не от "британских ученых" было, точно.

Вопрос в определении. Для химии сгодится "в среднем 1 атомный слой" - а для электроники "в среднем" не покатит, из-за экспоненты в туннельном эффекте.

По словам разработчиков, толщина слоя диэлектрика не превышает одного нанометра, а значит, оказывается возможным создание транзисторов с применением 22-нм техпроцесса. Однако снижение толщины диэлектрика не только положительно влияет на размеры транзистора - заметно улучшаются электронные характеристики транзисторов, пропускающие через себя больший ток при меньшем приложенном напряжении. Отсюда следует, что возрастает производительность уже готовых интегральных микросхем, а значит, будущие 22-нм полупроводниковые устройства, в том числе и процессоры, станут еще более мощными. К сожалению, разработчики пока не стали раскрывать, какой именно материал используется в качестве связывающего атомы кислорода агента. Видимо, это коммерческая тайна, заполучив которую, конкуренты смогут легко добиться тех же результатов, на которые у GlobalFoundries и IBM ушли месяцы работы и инвестиции в размере миллионов долларов.

Диоксид кремния уже более 40 лет используется для изготовления диэлектриков затвора транзистора благодаря легкости его применения в массовом производстве и возможности постоянного повышения производительности транзисторов за счет уменьшения толщины слоя диэлектрика. Специалистам Intel удалось уменьшить толщину слоя диэлектрика до 1,2 нм (что равнозначно всего пяти атомарным слоям) - такой показатель был достигнут на используемой в настоящее время 65-нанометровой технологии производства. Но дальнейшее уменьшение приводит к усилению тока утечки через диэлектрик, в результате чего растут потери тока и тепловыделение.

Погоревали, и придумали LDD. Так и здесь какой-нибудь двухслойный "пирог" сочинят, и кранты туннелированию.

На таких расстояниях становится все равно, вакуум или вещество. Начинает стучать расстояние в показателе экспоненты, определяющей вероятность туннелирования. Так что придется придумывать, как повышать k при неизменной толщине - тут вариантов нет.

Весьма популярная книжка по технологии была в свое время - С.Зи. С тех пор более качественного учебника по общим вопросам не встречал.

Действительно, очень вкусная книжка (Технология СБИС, 1986, если это она конечно), однако это именно о технологиях, про туннелирование и пробой там ни слова :-)

Действительно, очень вкусная книжка (Технология СБИС, 1986, если это она конечно), однако это именно о технологиях, про туннелирование и пробой там ни слова :-)

если нужна - скину в djvu и технологию и фпп, нужно - пиши