Цитата(Alt.F4 @ Nov 9 2010, 18:44)

rezident, действительно не работает.
Цитата(Alt.F4 @ Nov 9 2010, 18:44)

Подтягивать базу нельзя.
Наоборот. Нужно. Но только соотношения резисторов выбирать правильно следует. В режиме насыщения транзистора на его базе около 0,7В. 0,7В/10кОм=
70мкА утечка через резистор Б-Э. В то же время входной ток (12В-0,7В)/330кОм=
34мкА. Т.е. получается, что весь ток "утечет" через резистор Б-Э и для базы транзистора (чтобы ввести его в насыщение) тока просто не хватит. Следовательно номинал 330кОм нужно уменьшить. Насколько? Опять же закон Ома рулит. Через коллекторный резистор нужно создать такой ток, при котором на коллекторе будет напряжение ниже порогового лог.0 - (3В-3В*0,2)/10кОм=
0,24мА. Следовательно базовый ток может быть в h21э раз меньше. Для ключевого режима h21э принято считать=10, хотя реальный h21эможет быть и выше. Базовый ток должен быть 0,24мА*10=
2,4мА. С учетом тока утечки резистора Б-Э нужно брать не менее 2,5мА. Итого базовый резистор вместо 330кОм превращается в (12В-0,7В)/2,5мА=4,53кОм или с учетом возможного минимального входного напряжения 10,5В -
3,9кОм.
Конденсатор из базы транзистора выбрасываем за ненадобностью и бесполезностью. Если нужно уменьшить полосу пропускания, то никто не запрещает вставить эту вашу любимую цепь 330кОм-0,1мкФ, но уже
после транзистора.
Update. Для тех кто будет читать и применять подобный расчет. В моем расчете содержится
ошибка - при расчете базового тока от величины коллекторного на h21э нужно
делить, а не умножать. Впрочем, даже несмотря на эту ошибку, расчет даст вполне рабочий вариант номинала базового резистора. Тем более, что запас (по току) карман не тянет