Здравствуйте!
Источник питания с микросхемой FSFR2100 по типовой схеме включения.
При управлении пином CON, при выключении, верхний транзистор полумоста остается открытым и при последующем включении идет сквозной ток, выключается по защите.. Частота срабатывания очень редка.
Как с этим побороться, может кто то знает?

Тоесть когда девайс выключаете по пину CON Верхний транзистор зависает в открытом состоянии а нижний закрыт. когда запускаете включается нижний и сквозняк?

Да, именно так.
Выяснил также что это зависит от года выпуска микросхемы. Так ведут себя микросхемы этого года. При замене на старую прошлогоднюю работает без проблем.
Хотя фабрика по маркировке та же и FAIRCHILD говорит что не было проблем с ними.
Пока что решение это выключение мс только когда частота установлена вниз , то есть работа ниже резонанса и при закрытии нижнего транзистора напряжение точки идет вниз. То есть, оказалось что знак dV/dt играет роль в этом механизме.

Я бы проверил оригинальность микросхем, кто вам их вручил? Параллельно бустрепному конденсатору я бы поставил цепь его разряжающую, после включения верхний транзистор будет гарантированно выключен.

Используем данную микросхему.
С описанной Вами проблемой не сталкивались.
После продолжительных танцев с бубном удалось-таки её завести.
В серийных изделием используем. Проблем не обнаружилось.
Правда трансформатор пришлось литцендратом мотать, иначе обмотка греется.

А в чем были проблемы? Какая была выходная мощность?
И первичку и вторичку литцем?

Проблем было две:
1) трансформатор с зазором и с требуемой индуктивностью рассевания + резонансный контур.
2) линеаризация обратной связи.

Мотали и первичку и вторичку литцем. Рабочая частота в районе 70 кГц.
Выходная мощность номинальная 120 Вт, в пике до 200 Вт.

Требовалось выходное напряжение 250В.

А какая была плотность тока в обмотках? И сколько было слоев в обмотках?

Исходили из 4 A/(mm^2)
Первичка и вторичка в 4 слоя. Отдельные секции.

2 секции и литцендрат - рекомендации производителя.

Очень важно правильно выбрать тип резонансного конденсатора.

По расчетам получили 47нФ.
Перепробовали кучу пленочников - все греются очень сильно.

Остановились на B32652A6473J который холодный как покойник.
На этот тип попали по какому-то аппноту для аналогичного преобразователя от PI.

4 слоя - это жестко по нагреву, тут без литца не обойтись. Я хочу сделать так: первичная обмотка в один слой между половинками вторички, а резонансную индуктивность поставить отдельно. И плотность тока выставить 10-12а/мм2