Цитата(dinam @ Dec 2 2010, 05:32)

Глянул на чипы производства Micron, Samsung, Elixir - максимальный период 10-13нс. 13нс у Микрона.
Уважаемый dinam, а где вы такое увидели у Микрона - 13 нс. Смотрю в даташит "512mb_ddr_mobile_sdram_t47m.pdf" (стр 26) и вижу что есть только ограничение на "минимальный период клока". Так при CL = 3 это 5,0 - 7,5 нс (в зависимости от скорости микросхемы) и для CL = 2 это 12 нс. В графе "максимальный период клока" - прочерк. Я так понимаю что ограничения нету, хоть 1 герц.
По DDR2 - никаких вопросов нету, там 125МГц минимальная частота.
Цитата(boulon @ Dec 6 2010, 16:52)

Уважаемый dinam, а где вы такое увидели у Микрона - 13 нс. Смотрю в даташит "512mb_ddr_mobile_sdram_t47m.pdf" (стр 26) и вижу что есть только ограничение на "минимальный период клока". Так при CL = 3 это 5,0 - 7,5 нс (в зависимости от скорости микросхемы) и для CL = 2 это 12 нс. В графе "максимальный период клока" - прочерк. Я так понимаю что ограничения нету, хоть 1 герц.
По DDR2 - никаких вопросов нету, там 125МГц минимальная частота.
отвечаю сам себе :-)
Да, для обычных DDR памяти Микрон есть ограничение мин частоты клока 13 нс, а вот в даташите на LPDRAM (для мобильных устройств) видимо такого ограничения нет, по краеней мере по даташиту, который я приводил в пример.
Вообще кто-нибудь реально работал в таких режимах? У меня ограничение в клоке 50 МГц.