Если имеется софт написанный для параллельной flash, у которой 2048 секторов по 256 байт каждый,
получиться ли перейти не меняя софт на другую память с количеством секторов 8, каждый по 65535 байт ?

Спасибо.

Зависит от софта. Если он из этой FLASH только читает, то получится. Если пишет - то скорее всего нет (если только это не предусмотренно в самом софте). Более того, даже при переходе на FLASH той же геометрии но другого производителя софт может перестать писать (команды и последовательности для записи могут у разных FLASH отличаться)

а если я возьму flash без секторов ?

Все равно зависит от софта. И параллельного FLASH совсем без секторов/блоков не бывает.

как влияет тот факт есть ли у flash сектора или нет на то пишем мы тада или читаем ?
По-моему есть адрес и есть данные которые надо записать по этому адресу или прочитать.
Как уменьшение секторов может мне хоть чем то помешать ?
Единственное, что приходит, так это то что я например считаю что пишу данные в один сектор, а на самом деле из-за того что микросхема FLASH другая, буду писать в другой сектор и все.

У меня FLASH отдельно от процессора не программируется, запись туда происходит под руководоством самого процессора.
Если процессор записал по одному адресу то он будет знать по какому адресу ему надо будет прочитать эти данные.

Обьясните в чем я не прав ??? PLZZ

Перестаньте фантазировать и просто сравните даташиты двух (или нескольких) Flash - той которая у вас уже используется и ту на которую хотите ее заменить. Там не только (не столько) в размерах секторов может быть заморочка, а еще и в алгоритме программирования.

Вот например M27C4001

Это не Flash. Это м/с EPROM с ультрафиолетовым стиранием (UV EPROM). Она стирается не посекторно, а вся сразу - засветкой УФ излучением через окно. OTP EPROM это вообще однократно программируемая версия этой EPROM.

Нет. Чтение действительно производится простым чтением по адресу. А вот запись производится специальной последовательностью чтений и записей по специальному набору адресов. И эта последовательность у разных м/сх разная
Для записи слова в FLASH необходимо, что бы это слово было стерто (т.е. там были FFFF). Стирание в FLASH происходит поблочно (или посекторно). Еще во FLASH бывает защита записи, она програмируется посекторно. Так что посекторная организация не важна только до первой записи пустого FLASHа.

если я вместо flash возьму параллельную FRAM индентичного корпуса и распиновки, то секторная проблема исчезнет ???

с записью во FRAM все куда проще, зарись во фрам происходит так же как и чтение по адресу, там есть последовательности чтений и записей по специально определенным адресам ??

FRAM хороший выбор . но опять-же

софт придется по любому лопатить

товарищи, обьясните мне запись во фрам происходит так же как и чтение в два этапа:
1) установка адреса
2) подача логического сигнала - запись
и все ???

Фрам это чип с электричесим стиранием и записью, так-же как и ЕЕПРОМ или Флеш, Разница в физике процессов. Можно найти плиблизительную замену одного другим, для этого нужно покурить даташитов. кроме распиновки сравнить алгоритмы запись-чтение.
без детального. Вами, рассмотрения даташитов "дiла не буде"

Нет. Почитайте же даташиты уже! http://www.ramtron.com/products/nonvolatil...y/parallel.aspx
Кроме того, найти FRAM в идентичном корпусе будет весьма затруднительно. Параллельные FRAM большого объема идут в TSSOP и BGA корпусах.

нужна замена AT29C040A

А вас нисколько не смущает, что ваша Flash с 5В питанием, в то время как современные Flash преимущественно для диапазона 2,7-3,6В выпускаются? Из 5В-овых см., например, у SST серию SST39SF040 и у Micron серию M29F.

смущает, да только деваться некуда, AT29 вообще не рекомендуют в новых разработках, данная flash идет у нас в серии хотелось бы заменить ее быстро