Поясните, пожалуйста, что подразумевается под максимальным числом циклов программирования/стирания во flash?
В рамках чего оно действует?
Например, означает ли это, что я могу достигнуть предела программирования/стирания в рамках одной страницы и после этого продолжать писать/стирать на другой или же этот "счётчик" общий на всё пространство flash и он инриментируется при действиях даже с одной страницей?

Да, в этот форум по инерции написал. Сорри.

Никакого счетчика внутри нет.
Ячейка памяти снашивается при программировании. обусловлено структурой самой ячейки.
Вы можете "достигнуть предела программирования/стирания в рамках одной страницы и после этого продолжать писать/стирать на другой"

Это я знаю. Я выразился образно.


Спасибо. Всё ясно.

У каждой страницы ресурс вырабатывается отдельно. На этом основываются алгоритмы эмуляции EEPROM в флэш-памяти: увеличивая объём флэш-памяти, выделенной на эмуляцию EEPROM, повышаем "ресурс" эмулируемой EEPROM.

У меня вопрос конкретно по флеши в LPC111x - сколько циклов перезаписи? В даташите и юзер мануале не нашел (может быть плохо искал). В одних источниках пишут 10к, в других 100к, так сколько точно? Мне это принципиально для проекта

В даташите написано: Endurance 10000 cycles min.
Обратите внимание, что записывать данные в эту флэш можно только пачками по 256 байт. Это из того же даташита: Data must be written to the flash in blocks of 256 bytes.