Доброе время суток, господа.
Необходима консультация и помощь специалистов и просто любителей в области высоких
ИГБТ технологий. Есть задача сделать несколько одинаковых развязанных гальванически
мощных токовых ключей с минимальными потерями на тепло. Рабочее напряжение 12 вольт
от аккумуляторов 100 ампер/час. Полевые отпадают в следствие наличия обратного диода
и специфики работы схемы. Приблизительно - в схеме 2 аккумулятора которые должны
коммутироваться токовыми ключами в последовательное соединение и параллельное с частотой 1 к гц.
Рабочая частота - 500-1000 гц, скважность 2
, ток в импульсе 50-80 ампер. Предполагаемая схема:
DC\DC преобразователь для гальванической развязки всех ключей - драйвер HCPL3120 -
четыре транзисторных ключа в параллель. Транзисторы предположительно трэнч (меньше потери и
входная емкость), скажем IRG6S320 (Ic=50 ампер при 20 градусах, 1.5 вольт падение напряжения
Qg = 40 nC, Epulse = 250 мкДж).
Вопрос собственно: какой затворный резистор ставить по графику, на какую мощьность выбирать DC/DC преобразователь
приблизительно для питания драйвера (2-2.5 ампер пикового тока) управляющего 4 IGBT транзистора трэнч или обычных
с коллекторным током 50-70 ампер; какое тепловыделение ориентировочно, проканает ли за радиатор печатная плата
на металлическом основании. Потянет ли HCPL3120 непосредственно 4 транзистора в параллель.
Спасибо за советы.

Уважаемый новый участник!
Приветствую Вас на форуме ELECTRONIX.ru.
Надеюсь, перед размещением сообщений у Вас хватило времени и терпения прочесть Правила.
Напоминаю Вам, что кросспостинг ими запрещён!
Надеюсь на полезное сотрудничество и уважительные взаимоотношения.

Модератор.

taselectronix, на мой взгляд Вы ошибочно хотите использовать IGBT в таком низковольтном приложении.
Включение современных полевых транзисторов (Ron <= 1 мОм) последовательно, позволит уменьшить статические потери более чем на порядок по сравнению с Вашим решением.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Я так думаю это полевики необходимы со встроенным мощным диодом?
Или на схеме внутренний паразитный диод?
поделитесь ссылкой на схему
Спасибо!

еще момент - по приложенной схеме постоянно будет работать транзистор и диод соседнего транзистора
падение напряжения на диоде 1.5 вольт получается будет нагрев диода и приличный если нагревом транзистора условно пренебречь?

http://valvolodin.narod.ru/articles/Ir/Dt/dt94-5.pdf
Обратите внимание на абзац в документе где говориться о том, что канал МОП ПТ представляет собой двунаправленный ключ. Диод работать не будет.

Еще момент - в конце последнего документа обозначено, что напруга на затвор должна быть выше коммутируемого сигнала на 10 вольт, а в схеме с HCPL питание +-12 вольт? еще необходимо развязать через DC\DC все ключи..
если DC перед hcpl будет - управление полностью развязано от коммутируемого тока, работать будет?

К сожалению оригинал документа, за давностью лет, на сайте IR отсутствует, но похоже это результат
работы переводчика. Проверить принцип ведь просто. Нужно пять вещей: двухканальный блок питания
полевой транзистор, резистор нагрузки, вольтметр, и желание. Проверьте, а нам узнать о Ваших успехах будет интересно.

А работать? Будет.

Спасибо большое!

У нас принято писать по-русски. Модератор.