Помощь - Поиск - Пользователи - Календарь
Полная версия этой страницы: Вых. мощность Si1000
Форум разработчиков электроники ELECTRONIX.ru > Микроконтроллеры (MCs) > Все остальные микроконтроллеры > MCS51
Vladimir Prokofiev
ПРоблема в том, что на Si4432 и на Si1000 измеряемая выходная можность ~17dBm вместо 20 на 868МГц.
А если изменить три регистра на 240МГц то выходная мощность больше 20!

При этом измеряется мощность до фильтров всех, после Lshunt и С (послед конденсатор). Я менял номиналы, но картина схожая. При этом картина схожая и на трех других платах, одна из которых вместо Si1000 стоит F060 c Si4432 rev V2

Прошивки везде одинаковые.

Такое чувство, что это что-то неправильно настроено в регистрах...
Кто сталкивался, был бы рад совету
one_eight_seven
Извините за поздний ответ, но на Si4432 v2 мощность в +20 dBm недостижима. У меня на отладочных платах V2, вообще, выдаёт +16 dBm на 868 МГц, а на микросхемах B1 всё значительно лучше.
Документ
May 21, 2009
Si4432 Errata (Revision V2)

1.
Description: The TX Output Power is 18.5 dBm compared to the data sheet limit of 20 dBm.
Impact: Will have impact on range compared to transmitter at +20 dBm.
Workaround: No workaround exists in the current silicon.
Resolution: Will be fixed in the next revision.
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста, пройдите по ссылке.
Invision Power Board © 2001-2025 Invision Power Services, Inc.