Коллеги, у меня такая проблема.
Пытаюсь программировать Flash память Atmel AT25DF081 посредством SPI0 порта МК Silabs C8051F320.
Настройки SPI у меня правильные, т.к. на запрос Manufacturer and Device ID я считываю правильные 4 байта (все как в ДЩ прописано). Решил реализовать функцию полного стирания памяти (Chip Erase) и, согласно ДЩ, выполняю в такой последовательности:
1. Посылаю команду Write Enable, которая устанавливает защелку WEL
2. Делаю спец. запись в регистр статуса Global Unprotect, чтобы снять запрет на запись (как я понял, это необходимо и для стирания).
3. Снова шлю команду Write Enable, т.к. после Global Unprotect защелка WEL сбрасывается автоматически (так и должно быть в случае успешной операции записи).
4. И наконец отправляю команду Chip Erase.
5. Теперь, согласно ДЩ, мониторю бит RDY/BSY регистра статуса (один раз отправляю команду Read Status Register, а потом дёргаю SCK для вытаскивания значения регистра).
И вот тут происходит самое интересное. Иногда, после внутреннего цикла стирания (неск. секунд) ИМС выдает RDY/BSY = 0, а иногда (намного чаще) он постоянно равен единице, т.е. программа зацикливается на этом.
Помимо того что RDY/BSY=1, флаг WEL тоже частенько "любит" сидеть в лог. "1".
Код пишу на асм, переписывал несколько раз, перепроверял на кристалле по шагам и читал статус по шагам, опускал тактовую SPI до 3 кГц. Ничего не помогает побороть нестабильное поведение ИМС.
Есть такое соображение. Моя флэш низковольной серии AT25 (Vcc=1.65...1.95В), но я питаю ее от 3.3В, т.к. трехвольтовой серии AT26 не было в продаже. В ДЩ напряжение на пинах absolute max. rating для AT25 указано 3.8В, то есть вроде как она должна стабильно работать на 3.3В.
В общем, намучался я с ней. Буду рад любому совету.
Модераторам: если раздел не тот, перекиньте куда следует, пожалуйста.
Полная версия этой страницы: Проблемы с AT25DF081
Форум разработчиков электроники ELECTRONIX.ru > Аналоговая и цифровая техника, прикладная электроника > Цифровые схемы, высокоскоростные ЦС
Стоит заметить, что микросхема в режиме Absolute Maximum Rating всего лишь гарантированно не выйдет из строя. Правильное функционирование не гарантируется.
кусок исходников ST.com
у меня работает. питание 3.3
у меня AT25DF321A-SH-B .
#define sFLASH_CMD_RDSR 0x05 /*!< Read Status Register instruction */
#define sFLASH_CMD_WREN 0x06 /*!< Write enable instruction */
#define sFLASH_DUMMY_BYTE 0x00
#define sFLASH_WIP_FLAG 0x01 /*!< Write In Progress (WIP) flag */
void sFLASH_GlobalEraze()
{
sFLASH_WriteEnable();
sFLASH_CS_LOW();
sFLASH_SendByte(0x60);
sFLASH_CS_HIGH();
sFLASH_WaitForWriteEnd();
}
void sFLASH_GlobalUnprotekted()
{
sFLASH_WriteEnable();
sFLASH_CS_LOW();
sFLASH_SendByte(0x01);
sFLASH_SendByte(0x00);
sFLASH_CS_HIGH();
sFLASH_WaitForWriteEnd();
sFLASH_GlobalEraze();
}
void sFLASH_WriteEnable(void)
{
/*!< Select the FLASH: Chip Select low */
sFLASH_CS_LOW();
/*!< Send "Write Enable" instruction */
sFLASH_SendByte(sFLASH_CMD_WREN);
/*!< Deselect the FLASH: Chip Select high */
sFLASH_CS_HIGH();
}
void sFLASH_WaitForWriteEnd(void)
{
uint8_t flashstatus = 0;
/*!< Select the FLASH: Chip Select low */
sFLASH_CS_LOW();
/*!< Send "Read Status Register" instruction */
sFLASH_SendByte(sFLASH_CMD_RDSR);
/*!< Loop as long as the memory is busy with a write cycle */
do
{
/*!< Send a dummy byte to generate the clock needed by the FLASH
and put the value of the status register in FLASH_Status variable */
flashstatus = sFLASH_SendByte(sFLASH_DUMMY_BYTE);
}
while ((flashstatus & sFLASH_WIP_FLAG) == SET); /* Write in progress */
/*!< Deselect the FLASH: Chip Select high */
sFLASH_CS_HIGH();
}
у меня работает. питание 3.3
у меня AT25DF321A-SH-B .
CODE
#define sFLASH_CMD_RDSR 0x05 /*!< Read Status Register instruction */
#define sFLASH_CMD_WREN 0x06 /*!< Write enable instruction */
#define sFLASH_DUMMY_BYTE 0x00
#define sFLASH_WIP_FLAG 0x01 /*!< Write In Progress (WIP) flag */
void sFLASH_GlobalEraze()
{
sFLASH_WriteEnable();
sFLASH_CS_LOW();
sFLASH_SendByte(0x60);
sFLASH_CS_HIGH();
sFLASH_WaitForWriteEnd();
}
void sFLASH_GlobalUnprotekted()
{
sFLASH_WriteEnable();
sFLASH_CS_LOW();
sFLASH_SendByte(0x01);
sFLASH_SendByte(0x00);
sFLASH_CS_HIGH();
sFLASH_WaitForWriteEnd();
sFLASH_GlobalEraze();
}
void sFLASH_WriteEnable(void)
{
/*!< Select the FLASH: Chip Select low */
sFLASH_CS_LOW();
/*!< Send "Write Enable" instruction */
sFLASH_SendByte(sFLASH_CMD_WREN);
/*!< Deselect the FLASH: Chip Select high */
sFLASH_CS_HIGH();
}
void sFLASH_WaitForWriteEnd(void)
{
uint8_t flashstatus = 0;
/*!< Select the FLASH: Chip Select low */
sFLASH_CS_LOW();
/*!< Send "Read Status Register" instruction */
sFLASH_SendByte(sFLASH_CMD_RDSR);
/*!< Loop as long as the memory is busy with a write cycle */
do
{
/*!< Send a dummy byte to generate the clock needed by the FLASH
and put the value of the status register in FLASH_Status variable */
flashstatus = sFLASH_SendByte(sFLASH_DUMMY_BYTE);
}
while ((flashstatus & sFLASH_WIP_FLAG) == SET); /* Write in progress */
/*!< Deselect the FLASH: Chip Select high */
sFLASH_CS_HIGH();
}
Warlockwolf
Спасибо, но проблема не с кодом. Ваша ИМС AT25DF321A-SH-B по datasheet расчитана на 3.3 В режим (Single 2.7V - 3.6V Supply), в то время как AT25DF081 для низковольтных систем (Single 1.65V - 1.95V Supply).
Дмитрий_Б,
пожалуй, вы правы. Сегодня раздобыл и запаял SST25VF080, она полностью аналогична по функционалу и питанию искомой AT26DF081 (2.7В...3.6В). Все прекрасно работает.
Видимо, мне стоило обратить внимание на сноску у Absolute maximum ratings
Спасибо, но проблема не с кодом. Ваша ИМС AT25DF321A-SH-B по datasheet расчитана на 3.3 В режим (Single 2.7V - 3.6V Supply), в то время как AT25DF081 для низковольтных систем (Single 1.65V - 1.95V Supply).
Дмитрий_Б,
пожалуй, вы правы. Сегодня раздобыл и запаял SST25VF080, она полностью аналогична по функционалу и питанию искомой AT26DF081 (2.7В...3.6В). Все прекрасно работает.
Видимо, мне стоило обратить внимание на сноску у Absolute maximum ratings
Обнаружилась проблема взаимодействия ПЛИС с EEPROM AT25080B\AT25160B. Речь идет о записи в неё массива. Как частный случай всех нулей. Мой автомат производит управление и чтением\записью управляя регистром состояния. Время записи одной ячейки 1.8мС, как видно по состоянию готовности к записи. Удивительно, но при посмотре осцилом результата записи нулей видны некоторые необнуленные ячейки. Каждый акт нового прописывания сокращает их число, но не полностью. полная очистка получается после 3х-4х циклов обнуления.
1. Может ли это быть результатом деградации ячеек вследствие окончания рессурса.
2. Может это эффект от короткого времени запрета готовности 1.8мС, который по доке может достигать 5мС.
SCK-5МГц. Времена сигналов CS и данных разнесены к SCK по доке.
Что предпринять для решения проблемы?
1. Искусственно ввести задержку на новую запись после формальной готовности?
2. Что говорит опыт форумчан в подобном случае? На что обратить внимание?
Тут скриншот(c МоделСима) цикла записи кода 33h
Ну ведь нормально работало!...
1. Может ли это быть результатом деградации ячеек вследствие окончания рессурса.
2. Может это эффект от короткого времени запрета готовности 1.8мС, который по доке может достигать 5мС.
SCK-5МГц. Времена сигналов CS и данных разнесены к SCK по доке.
Что предпринять для решения проблемы?
1. Искусственно ввести задержку на новую запись после формальной готовности?
2. Что говорит опыт форумчан в подобном случае? На что обратить внимание?
Тут скриншот(c МоделСима) цикла записи кода 33h
Ну ведь нормально работало!...
Пришлось написать адаптивный алгоритм записи в EEPROM с контрольной проверкой чтением. На стенде погонял записью-чтением счетчика. Наблюдаю расхождение по времени записи в ячейки в 100 раз.(1Мгц SCK), т е 300 ячеек могут записываться от 2 сек до 3 мин. Сбоев нет, но такое время записи не подходит!..
Все из-за шустрости FPGA! Достаточно сделать паузу хотя бы 0.8uS(лог '1') по CS после последнего "неудачного" (не готово на запись) чтения слова состояния И все заработало штатно... Ура!
Цитата(Мур @ Jan 23 2012, 14:07) 
Все из-за шустрости FPGA! Достаточно сделать паузу хотя бы 0.8uS(лог '1') по CS после последнего "неудачного" (не готово на запись) чтения слова состояния И все заработало штатно... Ура!
И еще важно! Читать содержимое после записи не стоит часто, а выждать время (в моем случае 1.8мС-готовность к записи по внутреннему автомату).
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста, пройдите по ссылке.