Вот какая мысль имеется. Сегодня Микрон (и не только) активно продвигает новое поколение NAND памятей, у которых данные передаются по двум фронтам, в общей сложности получается 166 Megatransfers/s на один кристалл. Довольно приличная скорость, но проблема в том, что большинство современных процессоров к ней не готово. Многие просто по частоте не дотягивают, многие просто еще в разработке, наверное. Кроме того, для большинства процессоров вообще не свойственно иметь более одной внешней скоростной шины памяти. Те же C64x имеют одну быструю для DDR2 и одну медленную для всего прочего старья. Поэтому пока актуально делать интеграцию через ПЛИС, заодно реализуя возможный уровень параллелизма нескольких кристаллов. Нынешние ПЛИСы, как показал опыт памяти DDR2 SDRAM, вполне себе тянут DDR с тактовой частотой от 166 МГц, а тут и надо то всего 83 МГц пока.

Кто-нибудь занимался? Есть уже опыт какой-нибудь?