Здравствуйте!
В форуме пишут о том, что при особо критических случаях SIM900 может зависнуть так, что не помогают сбросы ни по PWRKEY ни по NRESET.
Вы делаете либо физический ключ питания на Vbat через, например, P-канальный MOSFET с низким Vgs для насыщения, либо ставите стабилизаторы питания с выводом управления.
Хорошо. Надежно. Работает. Проверено...
Собственно, а зачем тогда вообще ноги PWRKEY и NRESET использовать? Включить их как требует datasheet и оставить в покое - т.е. не подключать к микроконтроллеру. А подключить только управление этим самым MOSFET или стабилизатором.
Я видел вопросы по поводу автосброса при включении - вешается конденсатор и т.п. -Т.е. так же можно сделать. Или же есть какая-то хитрая процедура старта SIM900 и без этих управления по этим ногам никуда?
Единственный вариант как я вижу, когда нужна, например, нога PWRKEY - это сделать спящий режим или отключить приемо-передающий тракт (как я понимаю) и использовать например GPIO и RTC.
NRESET -вообще не вижу смысла перед снятием питания с Vbat.
Завис - дернул питание жестко (SIM900 и SIM300 последних версий как я понял не страдают слетом прошивок) и все. И смысл этих программных ресетов?
Полная версия этой страницы: SIM900. а нужно ли вообще использовать PWRKEY и NRESET?
Форум разработчиков электроники ELECTRONIX.ru > Интерфейсы > Форумы по интерфейсам > Сотовая связь и ее приложения
Да - в принципе так можно.
На POWERKEY для автовключения диод катодом к Vbat + конденсатор на GND (резистор есть в модуле)
NRESET лучше через 10К к Vext
Но учтите что отключение лучше тогда делать програмно (CPOWD), чтобы завершить корректно соединение.
И только в критических случаях сразу отключать ключем.
На POWERKEY для автовключения диод катодом к Vbat + конденсатор на GND (резистор есть в модуле)
NRESET лучше через 10К к Vext
Но учтите что отключение лучше тогда делать програмно (CPOWD), чтобы завершить корректно соединение.
И только в критических случаях сразу отключать ключем.
Цитата(CADiLO @ Aug 16 2011, 10:13) 
Да - в принципе так можно.
На POWERKEY для автовключения диод катодом к Vbat + конденсатор на GND (резистор есть в модуле)
NRESET лучше через 10К к Vext
Но учтите что отключение лучше тогда делать програмно (CPOWD), чтобы завершить корректно соединение.
И только в критических случаях сразу отключать ключем.
На POWERKEY для автовключения диод катодом к Vbat + конденсатор на GND (резистор есть в модуле)
NRESET лучше через 10К к Vext
Но учтите что отключение лучше тогда делать програмно (CPOWD), чтобы завершить корректно соединение.
И только в критических случаях сразу отключать ключем.
Понятно. Спасибо.
Подскажите плз вот такое: Вот отключение питания через P-канальный мосфет - схема понятная, проверенная, рабочая. А можно ли сделать какбы "комплементарную схему" но с применением N- канального MOSFET и отключением как бы "нуля" от SIM900 вместо +Питания.
иными словами схема: стоит N-MOSFET - затвор поддтянут через скажем 30к к стоку. Сток - на 0. Исток к выводам GND SIM900. Т.е. все тоже самое что и с P-MOSFET только отключаем не +Пит а 0.
Такое применимо с SIM900?
Почему вопрос - N-MOSFET как грязи да и просто интересно- как бы физика не противоречит.
Цитата(Ildar Belkin @ Aug 16 2011, 11:50)
Понятно. Спасибо.
Подскажите плз вот такое: Вот отключение питания через P-канальный мосфет - схема понятная, проверенная, рабочая. А можно ли сделать какбы "комплементарную схему" но с применением N- канального MOSFET и отключением как бы "нуля" от SIM900 вместо +Питания.
иными словами схема: стоит N-MOSFET - затвор поддтянут через скажем 30к к стоку. Сток - на 0. Исток к выводам GND SIM900. Т.е. все тоже самое что и с P-MOSFET только отключаем не +Пит а 0.
Такое применимо с SIM900?
Почему вопрос - N-MOSFET как грязи да и просто интересно- как бы физика не противоречит.
Подскажите плз вот такое: Вот отключение питания через P-канальный мосфет - схема понятная, проверенная, рабочая. А можно ли сделать какбы "комплементарную схему" но с применением N- канального MOSFET и отключением как бы "нуля" от SIM900 вместо +Питания.
иными словами схема: стоит N-MOSFET - затвор поддтянут через скажем 30к к стоку. Сток - на 0. Исток к выводам GND SIM900. Т.е. все тоже самое что и с P-MOSFET только отключаем не +Пит а 0.
Такое применимо с SIM900?
Почему вопрос - N-MOSFET как грязи да и просто интересно- как бы физика не противоречит.
Вопрос снят- глупость написал. Плавать "0" будет при большом токе.
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста, пройдите по ссылке.