Возник вопрос тут:
Известно что алюминий является примесью типа p.

1) Как же работают алюминиевые контакты к кремнию типа n? Т.е. понятно что после отжига они работают, но я что-то перестал понимать почему.
И в целом, в случае контакта алюминия и кремния, когда получается омический контакт, когда pn-переход, и когда барьер Шотки?

2) Что ограничивает "снизу" глубину транзисторов? Можно ли легировать только верхние 5нм например и получать при этом работающие транзисторы (BJT/MOSFET?

Не гарантирую, но, насколько помню, используется область с проводимостью n+, которая после взаимодействия с алюминием становится просто n.

Т.е. рекомбинация неосновных носителей, и нужно чтобы алюминия там было меньше чем примеси.... С переходом значит понятно.
Остается барьер Шотки.

Все контакты в кремниевой технологии - Шоттки. Просто с малым пробивным напряжением, зависящим от толщины окисла. А люминь еще и очень хорошо диффундирует в кремний и поликремний, - эффект как бы минимизации ОПЗ перехода.

Нет, снова не понятно )
Будет точка, где алюминия будет столько, что никакое n+ легирование не поможет, должен быть pn переход... Или я неправильно понимаю динамику диффузии алюминия.

Под рп-переходом понимают область перехода между полупроводниками, а не металлом и полупроводником. Последнее - Шоттки, Бардин.

Это понятно, проблема в том, что алюминий диффундирует в кремний, и получается кремний p-типа. Прямо рядом с поверхностью кремний должен быть сильно легирован в p тип => pn переход.

Неа. Там, куда он диффундирует - там хреновый люминь, но не полупроводник.