Ищется транзистор.
SOT-23, N-Chanel, VDSS >=120V, открывающийся при 2в

Нашел только IRF5801.
Корпус побольше да и открывается гарантировано от 3-х вольт.

Хочется SOT-23 или около того, чтобы с микроконтроллера 3,3 вольтовым сигналом пошимить.

Есть что либо широкораспротраненное и доступное?

по каталогу Вишей есть BS107KL
я так понял, он открывается при 0,8В
а, нет. це рекламная замануха.
0,8...2В

и вообще он в СОТ23 называется TN2404K, а не BS107KL

бардак.

Для 120В - как-то сильно сомнительно. Если есть дополнительное питание +5, на него маломощный транзистор с инверсией.

"Ищется" в Гугле:
About 1,940,000 results (0.21 seconds)

В нашей деревне есть только BS107, TO-92.

"Будем искать" - а то прийдется ставить без перламутровых пуговиц.
:-)

Биполярные транзисторы производить запретили заодно с лампами Ильича?

Не запретили но полевики лучше.
При моделировании быстрее набирает напряжение и потребление лучше.
Для макета возьму MPSA42A.

Я смотрю вы для макета выбрали всё-таки биполярный транзистор, правда который уже не выпускается. Может стоит попробовать PMBT5550. Дешевый, популярный. Если вам его скорости не хватает, то может попробовать сделать управление по эмиттеру? Если вас не затруднит, не могли бы вы более полно описать требования к ключу?

Ключ будет работать в классическом step-up преобразователе для питания лавинного фотодиода(70..140В).
MPSA42 выпускается в обновленном виде MMBTA42.

Интересная характеристика. Впервые встречаю.

Полевой транзистор за 8 миллисекунд заряжает выходной конденсатор до 100 вольт.
Биполярный за 90 миллисекунд.

Зачем же сравнивать Ж с П. Транзисторы тоже имеют своё предназначение.

Выбранная топология IMHO, не очень удачна для 20 кратного повышения, лучше применить трансформатор. Разве, если очень хочется “пошимить”. Тогда возьмите строб ключ от вспышки GT8G133; GT10G131.

Предположим что вы подаете меандр, тогда максимальный ток через транзистор I=U*t/L=5*.000005/.000047=0.53А. А у него максимальный 0.5A. Если уж сравнивать биполярный с полевым транзистором, то корректнее следует промоделировать с чем-то типа PBHV8115T

С указанными на скриншотах номиналами, до 140 вольт должно заряжаться меньше чем за 2 мс. Но ни диод, ни транзистор выбраны совершенно негодные для данного тока.


Если только промоделировать, потому что купить его, в той же деревне, он тоже вряд ли сможет. Вообще, если у автора такие проблемы с комплектующими, нужно не мечтать о чём-то нормально-расчётном, а исходить из имеющегося — например того, что можно наковырять из дохлой бытовой техники, и т.п.

по параметрическому поиску можно посмотреть в линейки APEC

http://www.a-power.com.tw/index.aspx?lang=..._list&no=20

Я уже остановился на MSP42A.
Его работа меня удивила.

Пока не приобрел его, экспериментировал с BC847. ШИМ от микроконтроллера с 5 вольтовым питанием.
Затем впаял вместо него MSP42A.
Схема не заработала.

На токоограничивающем резисторе в базе "красивые" импульсы, а собственно на базе 0,7 вольт постоянного напряжения.
Уменьшил сопротивление до 2К не помогло.
В документации написано, что насыщение база-эмитер 0,9 вольт при токе 2 мА.
По идее уже должен был работать.

Когда поставил делитель с ШИМ вывода микроконтроллера из двух резисторов по 300 ом и подключил базу к середине резистора то схема заработала.

Граничная частота транзистора 50МГц, паразитные емкости должны быть небольшими.
При моделировании с резистором 2К в базе схема работает.
Не понятно почему пришлось вкачивать в базу такой большой ток?

Смотрю на datasheet MPSA42 емкость база-эмиттер порядка 65 пФ, что почти на порядок больше BC847. Плюс ещё время рассасывания явно большое.
Хотя если моделирование показывает, что должно быть нормально, то странно. А по маркировке на корпусе этот транзистор именно MPSA42?

BC847 и MPSA42 - это совершенно разные транзисторы. У второго в 2,5 раза больше максимально допустимый постоянный ток, в 6 с лишним раз больше граничное напряжение коллектор-эмиттер. Как следствие, у него значительно больше площадь кристалла, меньше коэффициент усиления в режиме насыщения. Автор пытался заставить работать его в ключевом режиме при базовом токе 2 мА (первоначально, похоже, и еще при меньшем). А это при коэффициенте усиления 10 дает ток коллектора только 20 мА. При чем в конкретном случае емкости переходов? Импульсные свойства биполярных транзисторов определяются в основном временем рассасывания. Кстати, моделируетмя работа биполярного транзистора в режиме насыщения не удовлетворительно, мягко говоря.

MMBTA42 вполне рабочий вариант, если задать эти самые 20 мА, т.е. поставить дроссель не 47 мкГн, а 1000 мкГн, ну и написать, наконец, правильную программу "набора напряжения", насчёт чего есть большие сомнения.