Здравствуйте! Подскажите пожалуйста как можно рассчитать/измерить индуктивность истокового вывода в мощном СВЧ МОП транзисторе по схеме с общим истоком?
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Полная версия этой страницы: Индуктивность истока МОП транзистора
Форум разработчиков электроники ELECTRONIX.ru > Силовая Электроника - Power Electronics > Моделирование и Анализ Силовых Устройств – Power Supply Simulation
Посмотрите в апплах у IR, по-моему для ТО220 - 2,5 нГн, может быть там есть и для других корпусов.
Цитата(MikeSchir @ Nov 10 2011, 12:21) 
Посмотрите в апплах у IR, по-моему для ТО220 - 2,5 нГн, может быть там есть и для других корпусов.
Это не такой корпус. У меня корпус - КТ25, для мощного СВЧ транзистора, наподобие:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Цитата(Stefan1 @ Nov 10 2011, 12:28)
Это не такой корпус. У меня корпус - КТ25, для мощного СВЧ транзистора, наподобие:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
А из таблички в даташите: RF Test Fixture Impedance нельзя как-то извлечь эти сведения?
Цитата(MikeSchir @ Nov 10 2011, 13:55)
А из таблички в даташите: RF Test Fixture Impedance нельзя как-то извлечь эти сведения?
Тогда надо знать всю эквивалентную схему по которой они считают этот импеданс и ее параметры.
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста, пройдите по ссылке.