В проекте EP3C120 и SO-DIMM DDR2.
Вот задумался, при использовании планки с SO-DIMM DDR2 так ли необходимо ставить терминирующие резисторы 50 Ом за этой самой планкой, с подтяжкой к 0.9В по всем цепям… Или не ставить резисторы вообще, или ставить но только по определенным цепям, есть ли на этот счет условия?
Если смотреть на принципиальную схему платы ML555 от Xilinx, то там по всем цепям стоят эти самые резисторы 49.9 Ом… Ну и DC-DC на 0.9В с током 6А, как-то многовато получается...
Кто и как решал эту проблему? Поделитесь соображениями, опытом, ну и источниками...

Самому проектировать платы с DDR2 не доводилось, однако работал с отладочной альтеровской платой Arria 2 GX. Там установлен SODIMM DDR2. Глянул схематик, резисторы стоят и у них (56 Ом). Схематик в аттаче.

Если верить дядькам из микрона, то на терминацию можно забить, если корпус памяти один и длина дорожек не превышает 2.5".
SO-DIMM - это все же не тот случай.

Не верьте дяденькам из Микрона, верьте результатам моделирования.

AndrewS6, спасибо за схему, ее у меня не было. Скачиваю, медленно правда идет. Хочу просмотреть трассировку... Склоняюсь, что буду эти резисторы ставить.

aaarrr, тоже спасибо. Хорошо бы по возможности, иметь точное указание на это допущение.

DmitryR, моделирующих программ не имею, хотя, хотел бы поработать и с ними... Интересно, они могут моделировать прижимной разъем и любые планки SO-DIMM?

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Они могут моделировать все, на что есть модели. Модели на планки обычно есть, модели на разъемы реже.