Здравствуйте! У меня вопрос: какие существуют ограничения при параллельном сложении мощности от нескольких мощных СВЧ полевых кристаллов транзистора? Есть ли здесь эффекты аналогичные поперечной неустойчивости, как в биполярном транзисторе? Схема приведена на рисунке.

В полевом транзисторе канал открывается и управляется поперечным электрическим полем и что бы не было в канале полевика зон мешающих открытию канала делается равномерное подлегирование затвора и равномерная металлизация на затворе. Это что касается структуры.
Что бы с наименьшими проблемами объединить несколько кристаллов их нужно получить как минимум из одной партии, а лучше что бы они были из одной выращенной структуры. Тогда разброс параметров будет минимальным и сопротивления каналов, емкостей и всего остального в структуре будет наиболее близким друг к другу.
При монтаже на радиатор нужно, что бы все кристаллы были качественно напаяны с полной смачиваемостью подложки кристалла, это обеспечит равномерное отведение тепла без появления зон перегрева. И еще одно равномерно распределяйте по металлизации контактные нити.
Если же кристаллы из разных партий, то здесь начинаются сложности и все зависит уже от структуры кристаллов и оборудования на котором делали. Или изворачиваться, искать различия, как влияют и выравнивать параметры.
А на сколько мощные?

Совсем изложенным выше согласен...можно добавить подбор по пороговому напряжению при плюсах, профиль эпитаксиального слоя и т.д.
Берите кристаллы с одной пластины, если это отечественный производитель.





Насчет биполяра не согласен.
Биполяр в классическом смысле эммитер, база, коллектор согласен, но существуют и другие виды технологии получения биполярных транзисторов.
На настоящий момент времени разработано несколько конструктивно-технологических вариантов изготовления мощных высоковольтных быстродействующих биполярных транзисторов. Два из них- MESH и BSIT- за последние 15 лет стали достаточно известными и используемыми. Каждому из этих вариантов присущи свои достоинства и недостатки. Перечислю только самые основные: MESH обладает высокой ОБР, хорошо работает на индуктивную нагрузку до 20кГц, fT=10-15МГц, tсп тип=0.2мкс при H21E=15-30 в линейном режиме, Ucesat типовое для БТ;
BSIT обладает минимальным значением Ucesat из всех типов БТ, tсп≤0.1мкс при H21E=30-50 в линейном режиме, fT=50МГц, работает в ключевых схемах на частотах до 100кГц, но имеет очень низкую область безопасной работы.
Менее известны SIT приборы, относящиеся к полевым транзисторам с выходной характеристикой лампового триода. Обладают высокой ОБР, fT вплоть до нескольких ГГц, Ron (сопротивление в откр. сост.) сопоставимо с аналогичными МОП-структурами, но SIT-транзисторы требуют отдельного источника отрицательного напряжения.
И практически неизвестны потребителям и разработчикам биполярные транзисторы по технологии SIRET ( Siemens Ringo-Emitter Transistors). Эти приборы обладают преимуществами MESH и BSIT - расширенная ОБР, fT=50МГц, tсп тип=50-80нс при H21E=15-30 в линейном режиме, а также имеют собственные достоинства, присущие только SIRET-технологии: более линейная зависимость коэффициента усиления по току при Ik max (более высокий H21E при токах близких к Ik max), надёжная работа на индуктивную нагрузку в линейных и ключевых схемах до 100кГц, лучшее использование площади кремниевой структуры, возможность объединять транзисторы или чипы в сборки(микросборки) без дополнительных выравнивающих резисторов (базовых и эмиттерных) и без какого-либо подбора по коэффициенту усиления по току. В транзисторах по SIRET-технологии полностью исключён эффект шнурования тока, это способствует резкому повышению стойкости к энергии вторичного пробоя(обратный вторичный пробой). До предельно минимальной величины сведён эффект оттеснения эмиттерного тока, это значительно повышает стойкость к прямому вторичному пробою, и, одновременно с узкими эмиттерами, существенно снижает время рассасывания накопленного заряда, улучшая, тем самым, переключательные характеристики транзисторов. Каждый элементарный эмиттер подключается к общей шине через отдельный резистор (минимизируется неравномерность распределения тока по кристаллу), что также, в свою очередь, расширяет область безопасной работы и позволяет делать сборки на любые уровни токов без дополнительных компонентов.
Все, вышеперечисленные достоинства, делают SIRET-транзисторы универсальными и способными работать в линейных схемах на частотах свыше 50МГц(для СВЧ на пробивные до 50вольт и до 1 Ггц) и в ключевых хорошие времена на любую реактивную нагрузку.
Наиболее полно преимущества SIRET-транзисторов реализуются при коммутации напряжений в диапазоне 200-400В (транзисторы с параметрами Uкео гр =300-500В,UкэR =600-1000В), здесь полностью используется частотный диапазон, а увеличение Ucesat на 50-150мВ- ничтожно малый вклад в потери.
SIRET-транзисторы могут быть собраны или изготовлены по схеме Дарлингтона с дополнительным выводом базы выходного транзистора либо с дополнительным диодом “база-база”, если входной запирающий импульс может быть отрицательным (для npn) относительно эмиттера.

Порядка 30 Вт с кристалла на частоте 1 ГГц.
Вы перечислили ряд технологических проблем, которые препятствуют сложению кристаллов. А что касается физики, чем страшен этот разброс?
Как я понимаю основная причина - просто снижение выходного тока одного из транзисторов или есть еще какие-то нюансы?

Ведь даже в зарубежных транзисторах существует борьба с тем, чтобы выравнивать потенциал на входе и выходе с каждого кристалла. Т.е. на разных кристаллах может быть разное выходное (входное) напряжение. Вот как раз я и интересуюсь, чем это вызвано и какие еще могут быть проблемы при параллельном сложении.